Сычик Василий Андреевич

Солнечный термоэлектрический холодильник

Загрузка...

Номер патента: 18317

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 35/28

Метки: термоэлектрический, солнечный, холодильник

Текст:

...поглощения фотонов от воздействия солнечного излучения структурой термоэлектрического солнечного холодильника на поверхность слоя 6 нанесен слой проводящего материала 7 из светопрозрачного материала, который выполняет функцию просветляющего слоя, снижающего поверхностную рекомбинацию носителей заряда на границе -слой 6 - проводящий слой 7. Толщина проводящего слоя 7 из светопрозрачного материала ( 0,0) составляет (0,52,0) мк. При...

Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18230

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, солнечной, преобразователь, энергии

Текст:

...полупроводника сформирован на -слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией 10 2010 21 см-3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим основанием 5. Его толщина составляет (0,10,4). Аналогичной концентрацией легирующей примеси обладает сильнолегированный -слой 6 широкозонного полупроводника, размещенный на -слое 1, однако его толщина составляет (0,30,5). Омическим контактом к...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18229

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: изготовления, энергии, преобразователя, солнечной, способ, полупроводникового

Текст:

...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/18

Метки: преобразователя, изготовления, способ, энергии, солнечной, полупроводникового

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Способ изготовления гетеропереходного светодиода

Загрузка...

Номер патента: 16935

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 33/20

Метки: способ, гетеропереходного, светодиода, изготовления

Текст:

...к -слою из узкозонного полупроводника. Средняя скорость формирования металлического слоя составляет 100200 /с, а температура нагрева основания составляет 300350 С. Стравливают плоскую поверхность полупроводникового основания р-типа методом ионно-плазменного травления для получения бездефектной структуры и удаления окисной пленки и инородной поверхностной примеси. Скорость травления составляет 3040 /с, а температура процесса 300400 С....

Газодинамическая пушка

Загрузка...

Номер патента: U 8749

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Соболенко Михаил Карпович, Сычик Василий Андреевич

МПК: F41F 3/04

Метки: газодинамическая, пушка

Текст:

...4 в пусковом стволе 1. Впуск воздуха высокого давления из ресивера 8 высокого давления в пусковой ствол 1 и посадочную платформу 5 осуществляется через дроссельный коллектор 9, который состоит из обоймы с отверстиями, куда вставляются гильзы с фиксаторами и отверстием для прохода газа. В гильзу вставляется поворотная дроссельная заслонка (на фиг. 1 не показано) с проходным каналом для сжатого газа. Дроссельные заслонки снабжены...

Инерционный двигатель

Загрузка...

Номер патента: U 8665

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Тихонов Виктор Владимирович, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03G 3/08

Метки: инерционный, двигатель

Текст:

...и подшипником скольжения 9 цилиндрические массы 10, являющиеся инерционными элементами, причем цилиндрические массы 10 скользят по беговым дорожкам корпуса 4. Для запуска движителя 1 и его торможения используются два тормоза 11. Корпус 4 двигателя 1 выполнен из стали, а его беговые дорожки отполированы до 1012 класса точности. Мотор 2 стандартного типа представляет дизельный двигатель и служит для вращения вала 5, водил 6 с инерционными...

Гидроэлектрическая станция

Загрузка...

Номер патента: U 8690

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Руденков Александр Евгеньевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: станция, гидроэлектрическая

Текст:

...химически теплостойкого материала, например бетона, в форме цилиндра, диаметр которого зависит от требуемой генерируемой мощности ГЭС и составляет 520 м, а высота - от 5 до 30 м. Вал 3 выполнен трубчатой формы для повышения его жесткости и снижения веса из стали. В верхнем основании вала 3 размещена гидротурбина 4 стандартной конструкции и максимально возможных размеров. Винтовой шнек 2 сечения выполнен спиралеобразной формы из легкого,...

Водоохлаждающее устройство

Загрузка...

Номер патента: U 8627

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28

Метки: водоохлаждающее, устройство

Текст:

...мс помощью электропроводящего клея установлен на металлическом основании 12. Методом электронно-лучевого или магнетронного распылителя на торцевые стороны мструктуры с диэлектрическим слоем 11 по периметру через маску нанесен металлический слой 13, накоротко замыкающий мструктуру,то есть ее верхний и нижний омические контакты 10 и 4. Толщины слоев мструктуры определены экспериментально и равны электропроводящего светопрозрачного слоя 100,30,1...

Водоохлаждающий элемент

Загрузка...

Номер патента: U 8626

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Уласюк Николай Николаевич, Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 35/28

Метки: элемент, водоохлаждающий

Текст:

...причем толщина основания составляет 13 мкм. Габаритные размеры металлического основания 11 составляют 4848 мм, а размеры расположенной на нем структуры 4444 мм. Просветляющий слой 10 исключает потери на отражение излучения от -слоя, то есть повышает коэффициент поглощения фотонов -слоем 5. Поскольку концентрация электронов в -слое 3 при инжекции фотогенерированных электронов из слоя 5 достигает 1019 см-3 и выше, а концентрация...

Глубинная электростанция

Загрузка...

Номер патента: U 8610

Опубликовано: 30.10.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: глубинная, электростанция

Текст:

...с гидравлическим аккумулятором 3,верхняя часть корпуса которого выполнена в виде усеченного пустотелого конуса и сопряжена большим основанием со второй своей частью, выполненной в форме полусферического пустотелого тела вращения. Такая конструкция гидравлического аккумулятора 3 воспринимает вращение создаваемого водоводами 8 потока и образует маховик, что обеспечивает оптимальное вращение водяного потока на требуемых оборотах, его...

Гидродинамическая электростанция

Загрузка...

Номер патента: U 8569

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Руденков Александр Евгеньевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: электростанция, гидродинамическая

Текст:

...в форме конической фигуры, из которой выходят спирали водоводов 7 с наклоном спиралей к горизонту под углом 40-60. Межосевое расстояниемежду валом 3 и каждым из водоводов 7 зависит от требуемой величины механического 2 85692012.10.30 момента на валу 3, то есть генерируемой мощности, и находится в пределах от 1 до 3 метров. Водоводы 7 механически жестко связаны с валом 3 перемычками 8 пустотелой формы. На горизонтальных участках водоводов 7...

Гетеропереходный светодиод

Загрузка...

Номер патента: 16464

Опубликовано: 30.10.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/20

Метки: гетеропереходный, светодиод

Текст:

...1 второй гетеропереход, то есть сформирована двойная-, -гетероструктурой. Полупроводниковое основаниетипа 1, -слой 2 собственного полупроводника и-слой 3 выполнены из полупроводников, обладающих большой подвижностью носителей заряда, большой диффузионной дли 2 16464 1 2012.10.30 ной, низкой концентрацией собственных носителей заряда. Толщина -слоя 2 определяется стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через...

Биогазовая топливная установка

Загрузка...

Номер патента: U 8473

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Тихонов Виктор Владимирович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01M 8/16

Метки: установка, топливная, биогазовая

Текст:

...12, обеспечивает непрерывную подачу сырья 6 в увлажнитель сырья 3, где он заполняется водой до уровня влажности 87-92 . Газгольдер 2 осуществляет аккумуляцию и сбор генерируемого газа. Сифон 14 стандартной конструкции и заданных размеров, связанный с поплавком 16 и заслонкой 17, предотвращает утечку генерированного в БГТУ биогаза в атмосферу. Шнековый пульпоудалитель 15 стандартной конструкции и заданных размеров обеспечивает...

Устройство контроля тепловых излучений

Загрузка...

Номер патента: U 8467

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: G01J 5/00

Метки: излучений, контроля, тепловых, устройство

Текст:

...фильтра 1 с наружной стороны объектива 2 позволяет улучшить работоспособность устройства путем повышения точности измерений, а также разрешающей способности и чувствительности. Это достигается вследствие отсекания инфракрасным фильтром 1 видимых и ультрафиолетовых лучей и ликвидации эффекта фотон-электронного взаимодействия в объективе, искажающего истинную картину разделения интенсивности фотонного потока. С этой же целью пространство...

Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: U 8466

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: устройство, электрическую, солнечной, преобразования, энергии

Текст:

...Как показали результаты расчета и эксперимента,высота выступов-слоя 2 составляет 100200 мкм, их диаметр равен 100200 мкм, а ширина впадин, то есть расстояние между выступами, составляет 100200 мкм. Затем на сформированный-слой 2 с выступами и впадинами конформно наносятся методом молекулярно-лучевой эпитаксии -слой 3 того же широкозонного полупроводника собственной проводимости, обладающего высокой подвижностью носителей...

Устройство двунаправленного обмена информацией

Загрузка...

Номер патента: U 8423

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Саперов Анатолий Григорьевич, Уласюк Николай Николаевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H03M 13/00

Метки: двунаправленного, информацией, устройство, обмена

Текст:

...для осуществления двунаправленного обмена, блокэлементов 4, подключаемый при передаче данных, модуль 5 (ВУ, БП, БС и ПЭ, подключаемые в режиме приема данных), ЦАП 6, АЦП 7 и ФНЧ 8. Схема ЛППМ 3 содержит -разрядный регистр сдвига 9, -разрядный регистр сдвига 10, предназначенный для хранения кусочно-непрерывной апериодичной функции,блок вентилей 11 для логического перемножения значений разрядов блока 9 на соответствующее значение отсчетов...

Гидроэлектростанция

Загрузка...

Номер патента: U 8166

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Дручик Светлана Сергеевна

МПК: F03B 13/00

Метки: гидроэлектростанция

Текст:

...электрической мощности, и находится в пределах 1050 м 2. Высота -образного водовода 1 (корпуса) над уровнем воды зависит от требуемого перепада давлений, скорости течения воды из сопла и составляет от 5 до 10 метров, а угол наклона нисходящей части -образного водовода 1 с соплом 2 выбирается так,чтобы гидротурбина 3, на которую воздействует вытекающий из сопла 2 высокоэнергетический водяной поток, размещалась на прибрежном бетонном...

Гравитационная гидроэлектростанция

Загрузка...

Номер патента: U 8007

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Руденков Александр Евгеньевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: гравитационная, гидроэлектростанция

Текст:

...со второй цепной передачей 7. Вал 3 и вал 4 установлены на подшипниках в корпусе 10 ГГЭС. Вал 3 с ведущей зубчатой шестерней 1, на котором размещен маховик 11, механически посредством редуктора 12 связан с электрическим генератором 13. Режим работы функциональных узлов ГГЭС контролируется и управляется блоком управления 14. Водозаборные короба 8 наполняются рабочей жидкостью (водой) из бассейна или реки 15, на которой имеется естественный...

Солнечный термоэлектрический холодильник

Загрузка...

Номер патента: 15155

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: термоэлектрический, холодильник, солнечный

Текст:

...подложке, на столбиковую поверхность которой последовательно методом газофазной эпитаксии нанесен -слой 2, -слой 3, -слой 4 и методом ионного распыления электропроводящий слой 5 из светопрозрачного материала. В соответствии с результатами расчета оптимальная высота столбиков диаметром(50200) микрон составляет (50150) микрон, а расстояние между столбиками (50100) микрон. В результате суммарная площадь фоточувствительной структуры типа-...

Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 15176

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Денисенко Михаил Фёдорович, Леонов Василий Севастьянович, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: электрическую, способ, солнечной, энергии, преобразователя, изготовления

Текст:

...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...

Преобразователь солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 15175

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Леонов Василий Севастьянович, Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович, Денисенко Михаил Фёдорович

МПК: H01L 31/04

Метки: электрическую, энергии, солнечной, преобразователь

Текст:

...полупроводника легирован акцепторной примесью с концентрацией (10161017) см-3, его толщина обусловливается максимальным переносом фото -инжектированных в -слое 2 носителей к-слою 4. Как показали результаты эксперимента, толщина -слоя 3 широкозонного полупроводника составляет (0,20,4) . Сильнолегированный -слой 4 широкозонного полупроводника сформирован на р-слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021)...

Способ изготовления термоэлектрического солнечного холодильника

Загрузка...

Номер патента: 15154

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: термоэлектрического, изготовления, способ, солнечного, холодильника

Текст:

...процесса диффузии бора 10001100 С, а время процесса составляет 0,30,5 часа. Методом термической диффузии на поверхности кремниевой монокристаллической области (подложки) формируют сильнолегированный слой-типа толщиной 0,10,3 мкм введением акцепторной примеси - бора с концентрацией (10201021) см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 С, а время процесса составляет 0,20,5 часа. На сформированный-слой широкозонного полупроводника со...

Способ изготовления солнечного термоэлектрического холодильника

Загрузка...

Номер патента: 15174

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04, H01L 35/28

Метки: изготовления, способ, солнечного, термоэлектрического, холодильника

Текст:

...арсенида галлия, легированный -акцепторной примесью с концентрацией 31020 см-3, толщиной 0,1 микрон, который является омическим контактом к решетчатому верхнему металлическому контакту солнечного термоэлектрического холодильника -, осуществляют при температуре основания 400450 С со средней скоростью 2030 /сек. На торцевую сторону солнечного термоэлектрического холодильника по периметру наносят защитный диэлектрический слой диоксида кремния (2)...

Ветроэлектрическая станция

Загрузка...

Номер патента: U 7584

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Клепко Валентин Валентинович, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03D 1/00

Метки: ветроэлектрическая, станция

Текст:

...генератором 10. Нижняя секция пустотелого секционного вала 4 совместно с редуктором 8, электрическим генератором 10 и блоком управления 12 защищены кожухом 13, а на вершине вертикальной опоры 2 размещена защитная крышка 14. Основание 1 заданных размеров изготовлено из железобетона и размещено на грунте. Вертикальная опора 2 цилиндрической формы изготовлена из прочного, химически стойкого материала, например стали, диаметр которой...

Регулируемый преобразователь переменного напряжения

Загрузка...

Номер патента: U 7485

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Уласюк Николай Николаевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H02M 5/12

Метки: преобразователь, переменного, регулируемый, напряжения

Текст:

...тринисторных пар 3, 4, 5 соединены с устройством управления тиристорами 6, которое электрически связано с управляющим выпрямительным мостом. Фазные вторичные обмотки 2 фаз А, В, С подключены к силовой нагрузке 7. Включение встречно-параллельно соединенных тринисторных пар 3, 4, 5 в первичные фазные обмотки 1 трехфазного трансформатора обусловливает минимизацию активных потерь в трансформаторе и обеспечивает повышение КПД устройства и амплитуды...

Жидкостно-кольцевая машина

Загрузка...

Номер патента: U 7446

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Тихонов Виктор Владимирович, Сычик Василий Андреевич

МПК: F04C 19/00

Метки: машина, жидкостно-кольцевая

Текст:

...соединен с электродвигателем. Сущность полезной модели поясняет фигура, где изображена конструкция жидкостнокольцевой машины. Конструктивно жидкостно-кольцевая машина (ЖКМ) состоит из корпуса 1 со стойками 2, в которых установлены подшипники 3. Барабан 4 цилиндрической формы размещен на валу 5, установленном на подшипниках 3. На корпусе 1 ЖКМ размещены стойки 6 камеры сжатия с подшипниками 7. Камера сжатия 8 размещена на валу 9, который...

Полупроводниковый светодиод

Загрузка...

Номер патента: U 7184

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/00

Метки: полупроводниковый, светодиод

Текст:

...стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через прямосмещенные - первый переход дырок и - второй прямосмещенный переход электронов и составляет (1,11,6), где- диффузионная длина носителей заряда. Сильнолегированный -слой 1 широкозонного полупроводника сформирован на металлическом основании 2 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021) см 3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает...

Световая кисть

Загрузка...

Номер патента: U 7182

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Кочергин Сергей Николаевич

МПК: G03B 17/00

Метки: световая, кисть

Текст:

...и диафрагмой с фиксированным диаметром, причем объектив механически связан с источником светового излучения посредством первой переходной муфты, диафрагмы с фиксированным диаметром и второй переходной муфты. Сущность полезной модели поясняет чертеж, где на фиг. 1 изображена конструкция световой кисти. Конструктивно световая кисть состоит из фотографического объектива 1, первой переходной муфты 2, диафрагмы с фиксированным диаметром 3, второй...

Универсальная фотокамера

Загрузка...

Номер патента: U 7181

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Кочергин Сергей Николаевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: G03B 19/00

Метки: фотокамера, универсальная

Текст:

...осях крепятся объективная панель и кассетная стенка при этом в центрах П-образных рамок размещены резьбовые стержни с гайками, установленными на верхних плоскостях оснований вертикальных стоек. Сущность полезной модели поясняет чертеж, где на фиг. 1 изображена конструкция универсальной фотокамеры, а на фиг. 2 - конструкции составных частей универсальной фотокамеры. Конструктивно универсальная фотокамера состоит из корпуса,...

Ротор магнитоэлектрической машины

Загрузка...

Номер патента: 13838

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Прищепов Михаил Александрович, Русан Викентий Иванович

МПК: H02K 21/14

Метки: магнитоэлектрической, ротор, машины

Текст:

...из материала с малым удельным электрическим сопротивлением (медь или алюминий) и имеющим большую длину, чем магнитная система, образованная постоянными магнитами 3 и ферромагнитными сегментами 4. Выступающие обе части 7 цилиндра 6 выполнены одинаковой длины в. Как показали результаты эксперимента, длина выступающей части немагнитного цилиндра в должна равняться 0,1-0,2 его активной части а. Работает ротор следующим образом. Ввиду того...

Энергетический реактор

Загрузка...

Номер патента: U 6900

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Тихонов Виктор Владимирович

МПК: G21C 1/00

Метки: энергетический, реактор

Текст:

...металлизация 4 из термостойких материалов (, , ), к которой подведен отрицательный электрод с-25 кВ. 2 69002010.12.30 В основании корпуса 1 имеется проем, к которому посредством электромагнитного клапана подведена система откачки с вакуумным насосом 11, обеспечивающим вакуум в кипящей активной зоне 2 порядка 10-6 Па. Установленный на корпусе 1 водоохлаждаемый кожух 5 выполнен из термостойкого,механически прочного материала с высокой...

Генератор переменного тока

Загрузка...

Номер патента: U 6670

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H02K 19/00

Метки: генератор, переменного, тока

Текст:

...на стойках 11 корпуса генератора 1. На фиг. 2 изображена схема включения статорных обмоток 5 на электрощите, установленном на корпусе генератора 1, которые соединены по схеме звезда. 2 66702010.10.30 На фиг. 3 представлена схема подключения обмоток возбуждения 7 роторов секционных однофазных генераторов к питающему напряжению постоянного тока. Для обеспечения постоянства тока возбуждения в во всех обмотках возбуждения и магнитного потока...

Полупроводниковый преобразователь оптических излучений

Загрузка...

Номер патента: U 6298

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, оптических, полупроводниковый, излучений

Текст:

...эпитаксии, представляющий твердый раствор интерметаллического соединения 1. Параметр степени концентрации компонента в раствореизменяется от ну 21 ля до единицы, причем со стороны -слоя 4 из узкозонного полупроводника он представляет материал этого слоя -, а со стороны -области - перехода 2 - материал этой 2 области, то есть соединение 1. Например, если материалом -области - перехода являетсяс 21,43 эВ, а материалом -слоя 4 -с 30,36...

Полупроводниковый преобразователь температуры

Загрузка...

Номер патента: U 6251

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: G01K 7/16

Метки: температуры, полупроводниковый, преобразователь

Текст:

...Информационный омический контакт 6 к полупроводниковому основанию 1 с внешним выводом представляет слой толщиной 1,0-2,0 мкм на сильнолегированной области полупроводникового основания 1. Диэлектрический слой 2, нанесенный на полупроводниковое основание 1, обладает высокими изоляционными свойствами, его толщина 1-3 мкм. Он может формироваться из оксида кремния или оксида алюминия. Полупроводниковый слой 3 выполнен из более широкозонного...

Электростанция

Загрузка...

Номер патента: U 6179

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Асанов Геннадий Васильевич, Асанов Владимир Геннадьевич

МПК: H02K 57/00

Метки: электростанция

Текст:

...постоянного тока вп с выпрямителя 9 и ак с аккумулятора 10 на электродвигатель 1. Работой электронного коммутатора 11, электродвигателя 1, электромагнитной муфты 4 и электрогенератора 6 управляет блок управления 12. Электродвигатель 1 реализован конструкцией, где используется ротор большого диаметра (2) м, который создает на валу большой крутящий момент более 100 Нм. Для его электропитания используется преобразователь переменного...

Многосекционная поплавковая речная электростанция

Загрузка...

Номер патента: U 6061

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Сычик Людмила Николаевна, Сычик Андрей Васильевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: электростанция, многосекционная, поплавковая, речная

Текст:

...соединены с поплавками 3. На попарно расположенных по ширине подвижных стойках 2 на роликоподшипниках размещены валы 4 с турбинными колесами 5. Подвижные цилиндрические стойки 2 имеют проемы, высота которых определяется диаметром турбинных колес 5, глубиной их погружения в воду, минимальным уровнем глубины реки и составляет от 1,0 до 5 метров. Длина, ширина и толщина поплавков 3, которые изготавливаются в форме пустотелых параллелепипедов из...

Многосекционный генератор переменного тока

Загрузка...

Номер патента: U 5976

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Асанов Геннадий Васильевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H02K 19/00

Метки: переменного, тока, генератор, многосекционный

Текст:

...подается напряжение, создающее в обмотке возбуждения 17 2 59762010.02.28 ротора каждого однофазного генератора ток возбуждения в. Концы обмотки возбуждения 17 подсоединены к коллектору 18. На фиг. 3 изображена схема включения статорных обмоток 14 на электрощите, установленном на статоре первого секционного генератора переменного тока 1, которые соединены по схеме Звезда. Магнитопровод статора 14 и магнитопровод ротора 16 выполнены из...

Электродвигатель постоянного тока

Загрузка...

Номер патента: U 5884

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Асанов Геннадий Васильевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H02K 23/00

Метки: электродвигатель, постоянного, тока

Текст:

...10 с пазами 11, в которых уложена обмотка 12 якоря. Магнитопровод 10 ротора неподвижно соединен со ступицей 13 вала 7 спицами 14. В статоре ЭДПТ размещено четыре магнитных сердечника 2 с обмотками 3, которые представляют 4 пары полюсов, причем обмотки 3 статора соединены последовательно. Они создают оптимальный по величине магнитный поток Ф и обеспечивают заданную частоту магнитного поля индуктируемой в обмотке 12 якоря ЭДС....

Бесплотинная речная электростанция

Загрузка...

Номер патента: U 5819

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Асанов Геннадий Васильевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: F03B 13/00

Метки: речная, бесплотинная, электростанция

Текст:

...размещенными на основаниях, например на анкерной опоре 7. При изменении уровня воды в реке отбойники 6 остаются погруженными в воду на неизменную глубину 0,5-1,5 м и на турбинное колесо 3 поступает неизменный поток воды, обеспечивая устойчивое вращение турбинного колеса 3. Отбойники 6 представляют сваренные стальные листы толщиной 2 мм с полостями посредине, их ширина составляет 0,7-2,5 м, а длина 8-10 м. Угол их сужения для повышения 2...