Сякерский Валентин Степанович

Способ получения паяемого покрытия на тонкой пленке алюминия

Загрузка...

Номер патента: 17506

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Сокол Виталий Александрович, Сякерский Валентин Степанович, Меледина Марина Владимировна

МПК: H01L 21/288

Метки: паяемого, алюминия, способ, тонкой, получения, пленке, покрытия

Текст:

...контактным цинкованием. Сущность заявляемого способа получения паяемого покрытия на тонкой пленке алюминия толщиной 1 мкм и более заключается в следующем. Растворы и режимы обработки,предлагаемые в данном изобретении, разработаны с учетом максимально щадящего действия на тонкую алюминиевые пленку и в то же время рассчитаны на достижение эффективного результата. Оба раствора, как относительно слабый буферный раствор плавиковой кислоты в...

Способ изготовления многоуровневой системы микроэлектронных межсоединений на основе алюминия и его анодных оксидов

Загрузка...

Номер патента: 17099

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Сокол Виталий Александрович, Ярошевич Ирина Викторовна, Шиманович Дмитрий Леонидович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 49/02, H01L 21/64, H01L 21/84...

Метки: оксидов, основе, анодных, изготовления, способ, многоуровневой, системы, алюминия, межсоединений, микроэлектронных

Текст:

...второго уровня фиг. 11 - тонкий адгезионный слой пористого оксида 23 на открытых участках алюминия второго уровня фиг. 12 - четвертая фоторезистивная маска по рисунку контактных площадок, сформированная поверх адгезионного пористого оксида 23 на фиг. 11 сквозная межэлементная изоляция второго уровня из пористого оксида алюминия 23 3 17099 1 2013.04.30 фиг. 13 - ионное травление поверхности образца до удаления ранее дополнительно...

Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 16100

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Лукашова Надежда Васильевна, Лемешевская Алла Михайловна, Сякерский Валентин Степанович, Сорока Сергей Александрович

МПК: H01C 1/00, H01L 21/8238, H01C 7/00...

Метки: изготовления, высокоомного, кмоп, резистора, способ, полупроводникового, интегральной, схемы

Текст:

...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...

Интегральная микросхема

Загрузка...

Номер патента: 15363

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Дрозд Сергей Евгеньевич, Листопадов Андрей Викторович, Белоус Виктор Анатольевич

МПК: H03K 19/0948

Метки: интегральная, микросхема

Текст:

...-типа и рабочими областями транзисторов логических блоков, обусловленной кратковременным несанкционированным повышением (всплеском) основного питающего напряженияили подачей высокого напряженияв процессе перезаписи информации в ячейки , расположенные на этом же кристалле микросхемы. На фиг. 1 представлена электрическая схема устройства выбора одного из двух возможных режимов работы микросхемы динамической памяти. На фиг. 2 представлена...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 14949

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, эпитаксиальная, ориентации, структура, кремниевая

Текст:

...скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка, например треугольной ямкой. При первом разделении первичных элементов рисунка на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания...

Устройство для получения количественных характеристик дефектов поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 13857

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: количественных, характеристик, изделий, устройство, поверхности, дефектов, получения

Текст:

...содержащее точечный источник оптического излучения, держатель изделий и экран, содержит расположенную между источником излучения и держателем изделий координатную сетку, а также тем, что в качестве координатной сетки используют фотошаблон топологических структур полупроводниковых приборов. Сущность заявляемого технического решения заключается в формировании на контролируемой поверхности светотеневой координатной сетки, искажение...

Способ контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 13856

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: поверхности, изделий, качества, способ, контроля

Текст:

...в качестве координатной сетки. Формирование координатной сетки более дешевыми способами, например трафаретной печатью, как правило, повреждает поверхность полупроводниковых пластин. Поэтому их использование также ограничено. Таким образом, недостатки прототипа связаны с высокой трудоемкостью контроля,обусловленной как большим количеством технологических операций по приготовлению образцов для контроля, так и сложностью этих операций....

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6405

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, ориентации, структура, эпитаксиальная, 111

Текст:

...дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется фрактальная структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности...

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: U 5480

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: устройство, изделий, качества, поверхности, контроля

Текст:

...источник оптического излучения, держатель образцов и экран, дополнительно содержит расположенную между источником излучения и держателем образцов координатную сетку, а также тем, что в качестве координатной сетки используют фотошаблон топологических структур полупроводниковых приборов. Сущность заявляемого технического решения заключается в формировании на контролируемой поверхности светотеневой координатной сетки, искажение изображения...

МОП-транзистор со встроенным каналом

Загрузка...

Номер патента: 11992

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич, Дудар Наталия Леонидовна, Леонов Николай Иванович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 29/00

Метки: каналом, моп-транзистор, встроенным

Текст:

...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...

Интегральный тонкопленочный резистор кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Сякерский Валентин Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 49/02, H01L 29/00

Метки: резистор, микросхемы, тонкопленочный, интегральный, интегральной, кремниевой

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Высокоомный поликремниевый резистор

Загрузка...

Номер патента: 11703

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Леонов Николай Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Дударь Наталья Леонидовна, Котов Владимир Семенович, Емельянов Виктор Андреевич, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01C 7/00, H01C 1/00, H01L 29/00...

Метки: поликремниевый, резистор, высокоомный

Текст:

...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...

Способ получения визуальной картины распределения напряженности постоянного магнитного поля

Загрузка...

Номер патента: 11502

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Сякерский Валентин Степанович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01R 33/02

Метки: способ, визуальной, магнитного, картины, напряженности, постоянного, получения, распределения, поля

Текст:

...расчета муаровых картин в настоящее время развиты достаточно хорошо 7,8, а положение цветовых линий и пятен на экране кинескопа можно легко определить путем прямого измерения, что позволяет проводить не только качественный, но и количественный контроль. В связи с этим остановимся на факторах, которые необходимо учитывать при расчетах количественных характеристик магнитных полей. На основании анализа муаровой картины рассчитывается...