Свирин Василий Тимофеевич

Форма для литья изделий из пластмасс и способ ее изготовления

Загрузка...

Номер патента: 9794

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Логуновская Нина Валентиновна, Свирин Василий Тимофеевич, Шпак Екатерина Петровна, Акула Игорь Петрович, Чекан Николай Михайлович

МПК: B29C 33/56, C23C 14/06

Метки: пластмасс, способ, изготовления, литья, изделий, форма

Текст:

...2007.10.30 На рис. 2 представлен фрагмент литейной формы с упрочняющим химически стойким покрытием. На рис. 3 представлена схема источника плазмы импульсного катодно-дугового разряда. Тетраэдрический аморфный углерод относится к классу безводородных алмазоподобных материалов с высоким содержанием 3-гибридизированных связей углерода (порядка 85 ), характеризующийся высокой твердостью, близкой к твердости природного алмаза. Такой углеродный...

Способ получения резистивного слоя

Загрузка...

Номер патента: 5013

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Свирин Василий Тимофеевич, Чекан Николай Михайлович, Точицкий Эдуард Иванович

МПК: H01C 17/04

Метки: способ, резистивного, слоя, получения

Текст:

...и ТКС полупроводников от температуры небольшие изменения вприводят к значительному изменению этих параметров. В то же время механические,химические и иные характеристики пленки и скин-слоя практически совпадают граница пленки и скин-слоя обладает минимальной свободной энергией, обеспечивая тем самым стабильность функционирования такой системы в качестве высокоомного резистора и ус 2 5013 1 тойчивость ее к старению. При типичных...

Низкоэнергетичный ионный источник

Загрузка...

Номер патента: 2013

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Свирин Василий Тимофеевич, Стогний Александр Иванович

МПК: H05H 1/00

Метки: ионный, источник, низкоэнергетичный

Текст:

...устройства 2 больше коэффициента преобразования прототипа 1, т.к. в предлагаемом ИИ длина разрядного промежутка больше примерно на высоту конической вставки, поэтому время нахождения нейтралей в области ионообразования больше и, следовательно, больше вероятность ионизации, а из образовавшихся внутри вставки ионов лишь незначительное количество уходит на ее стенки, т.к. вставка находится под плавающим потенциалом, подавляющая часть ионов...