Стогний Александр Иванович

Способ обработки поверхности оптического элемента на основе фторида кальция CaF2

Загрузка...

Номер патента: 16781

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Шарко Сергей Александрович, Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Будько Тамара Олеговна

МПК: C23C 14/46, G02B 1/10

Метки: основе, оптического, элемента, способ, поверхности, обработки, фторида, кальция

Текст:

...дефекты размером 200-300 нм являются ловушками и линзами для излучения, что заметно ухудшает оптические характеристики приборов, создаваемых на основе фторида кальция. Органические примеси скапливаются в трещинах,образующихся по границам монокристаллических блоков при механохимическом полировании (трещиноватый слой), а также в областях ростовых дефектов. Химические методы обработки не в состоянии удалить эти примеси. При наклонном падении...

Способ нанесения металлического покрытия на порошки алмаза

Загрузка...

Номер патента: 16316

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Будько Тамара Олеговна, Шарко Сергей Александрович

МПК: C23C 14/46, C01B 31/06, C23C 14/18...

Метки: металлического, нанесения, покрытия, алмаза, способ, порошки

Текст:

...заключается в том, что обработка алмаза в СВЧ плазме атомарного водорода приводит к удалению адсорбированного кислорода с поверхности алмаза и одновременном ее активации для нанесения слоя металлизации. Нанесенный наноразмерный слой титана не имеет внутренних напряжений, препятствует взаимодействию кислорода и непосредственному контакту кобальта с поверхностью алмаза. Это создает благоприятные условия для последующего нанесения на...

Способ получения пленок феррит-шпинели

Загрузка...

Номер патента: 16206

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович, Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович

МПК: H01F 10/20, C23C 14/58, C23C 14/06...

Метки: способ, получения, пленок, феррит-шпинели

Текст:

...30-60 минут в среде кислорода. Сущность изобретения заключается в следующем полированные пластины кремния ориентации (100), диаметром 76 мм служили подложками и препарировались по стандартной методике. Составная мишень формировалась компактированнием керамических образцов (1-)24 заданного состава в виде полиэдров размерами (8055 мм). 2 16206 1 2012.08.30 Распыление мишени производилось в среде кислорода при температуре внутри камеры 905...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович

МПК: B82B 3/00, H01L 21/02, H01L 33/00...

Метки: изготовления, галлия, контакта, эпитаксиальному, p-gan, способ, нитрида, прозрачного, слою, омического

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Ионный источник

Загрузка...

Номер патента: 15032

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: H01H 1/00, H01J 27/02, H01J 27/00...

Метки: источник, ионный

Текст:

...и изолятор 10 между дополнительным электродом 7 и фланцем 9. Со стороны анода 1 полый катод 2 закрыт фланцем 9 с осевым контрагирующим отверстием 11, в которое введен анод 1, а в зазор(на фигурах не показано) контрагирующего отверстия 11, образованного фланцем полого катода и анодом, помещен керамический изолятор 12. Внутри полого катода 2 расположена осесимметричная внутренняя магнитная система 13, снабженная корпусом 14. Внешняя магнитная...

Способ получения наноразмерных пленок BaxSr1-XTiO3

Загрузка...

Номер патента: 14780

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович, Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович

МПК: C30B 29/32, H01L 27/00, C30B 23/06...

Метки: получения, пленок, способ, наноразмерных, baxsr1-xtio3

Текст:

...пленки титаната бария-стронция, который заключается в том, что с помощью ионно-лучевого распыления в среде смеси газов аргона и кислорода напыляли буферный слой диоксида титана (2) на подложку из ситала. В дальнейшем на слой Т 2 методом ионно-лучевого распыления при температуре 620640 С наносили наноразмерную пленку 1-3. Недостатком данного способа является большая толщина гетероструктуры пленка 1-3 - буферный слой за счет большей (20 нм)...

Ионный источник

Загрузка...

Номер патента: 13847

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Стогний Александр Иванович, Пашкевич Михаил Викторович, Новицкий Николай Николаевич, Труханов Алексей Валентинович

МПК: H01J 27/00, H01J 27/02, H01L 3/00...

Метки: ионный, источник

Текст:

...7, изолятор 8 между анодом 1 и фланцем 9 и изолятор 10 между дополнительным электродом 7 и фланцем 9. Со стороны анода 1 полый катод 2 закрыт фланцем 9 с осевым контрагирующим отверстием (на чертеже не показано), в которое введен анод 1. Внутри полого катода 2 расположена осесимметричная внутренняя магнитная система 11, снабженная корпусом 12. Внешняя магнитная система 5 и дополнительная магнитная система 6 ориентированы одноименными...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 13804

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: способ, омического, эпитаксиальному, прозрачного, изготовления, p-gan, контакта, слою

Текст:

...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...

Генератор атомарного водорода

Загрузка...

Номер патента: 13950

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: C23C 14/35, H01J 27/00

Метки: атомарного, генератор, водорода

Текст:

...кроме области соединения с ионизационной камерой 4, и таким образом, что между дополнительной полостью 6 и кожухом 7 образуется полость (на чертеже не показано), являющаяся водной рубашкой после заполнения проточной водой. Магнитная система 8 находится внутри водной рубашки и служит для создания магнитного поля величиной 0,1 Тл в области выхода торца полости кольцеобразного сечения 5 в дополнительную камеру 6. Кольцо 9 возле закрытого торца...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN

Загрузка...

Номер патента: 13504

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Павловский Вячеслав Николаевич, Стогний Александр Иванович, Шуленков Алексей Серафимович, Новицкий Николай Николаевич, Данильчик Александр Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Луценко Евгений Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: эпитаксиальному, изготовления, омического, контакта, способ, слою, прозрачного, p-gan

Текст:

...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...

Генератор атомарного водорода

Загрузка...

Номер патента: 11620

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: H01J 37/317, H01J 27/02, C23C 14/35...

Метки: водорода, генератор, атомарного

Текст:

...4 с продольной полостью кольцеобразного сечения 5 в боковой стенке ионизационной камеры 4 и дополнительная камера 6 закрытого вида, вакуумноплотно состыкованная с ионизационной камерой 4 (вакуумное уплотнение на чертеже не показано). В дополнительной камере 6 выполнено центральное отверстие (на чертеже не показано), согласованное по расположению и диаметру с наружным диаметром продольной полости кольцеобразного сечения 5. Дополнительная...

Ионный источник

Загрузка...

Номер патента: 11305

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович

МПК: H01J 27/00

Метки: ионный, источник

Текст:

...друг другу. Для обеспечения рабочих режимов ионного источника магнитные системы достаточно собрать из ферритовых постоянных магнитов (на чертеже не показаны) с величиной магнитной индукции каждого не менее 15 мТл и размерами, обеспечивающими объем в 12 см 3 каждого, потом равномерно их расположить друг от друга внутри каждой магнитной системы с зазорами между магнитами, не превышающими их характерного поперечного размера. Возле боковой...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Шинеллер Бернд, Хойкен Михаель, Яблонский Геннадий Петрович, Шуленков Алексей Серафимович, Стогний Александр Иванович, Луценко Евгений Викторович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/283, H01L 21/28...

Метки: эпитаксиальному, омического, изготовления, слою, прозрачного, p-gan, контакта, способ

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...

Способ изготовления трубчатого электронагревателя

Загрузка...

Номер патента: 6273

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Зубец Александр Владимирович, Стогний Александр Иванович, Суходолов Юрий Викторович

МПК: H05B 3/48, H05B 3/52

Метки: изготовления, трубчатого, способ, электронагревателя

Текст:

...1350-1500 С в течение 1-5 ч. В наполнителе в результате химической реакции между периклазоми корундом А 2 О 3 с соотношением компонентов 11 мол. образуется шпинель 24, занимающая объем больший, чем объем, занимаемый смесью 5. В отличие от прототипа в заявленном способе увеличение объема наполнителя позволяет без дополнительных приспособлений и усложнения процесса изготовления уменьшить кратность операций опрессовки оболочки и перейти на...

Низкоэнергетичный ионный источник

Загрузка...

Номер патента: 2013

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Свирин Василий Тимофеевич, Стогний Александр Иванович

МПК: H05H 1/00

Метки: источник, низкоэнергетичный, ионный

Текст:

...устройства 2 больше коэффициента преобразования прототипа 1, т.к. в предлагаемом ИИ длина разрядного промежутка больше примерно на высоту конической вставки, поэтому время нахождения нейтралей в области ионообразования больше и, следовательно, больше вероятность ионизации, а из образовавшихся внутри вставки ионов лишь незначительное количество уходит на ее стенки, т.к. вставка находится под плавающим потенциалом, подавляющая часть ионов...