Соловьев Ярослав Александрович

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18438

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Чиж Александр Леонидович, Блынский Виктор Иванович, Солодуха Виталий Александрович, Малышев Сергей Александрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...

Солнечный элемент на основе диода Шоттки с металлическим полупрозрачным наноячеистым электродом

Загрузка...

Номер патента: U 10183

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Муха Евгений Владимирович, Степанов Андрей Анатольевич, Сацкевич Янина Владимировна, Смирнов Александр Георгиевич, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/06, H01L 31/108...

Метки: основе, солнечный, металлическим, электродом, наноячеистым, полупрозрачным, шоттки, диода, элемент

Текст:

...часть поступающего светового потока отражается и поглощается металлическим электродом, что заметно снижает эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую энергию указанного солнечного элемента. Предлагаемая полезная модель решает задачу увеличения эффективности солнечного элемента, равномерности преобразования падающей световой энергии в электрическую энергию по площади структуры солнечного элемента и срока службы...

Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Подковщиков Николай Николаевич, Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: обратной, кристалла, стороны, полупроводникового, формирования, способ, металлизации, прибора

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: обратной, металлизация, кристалла, стороны, прибора, полупроводникового

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: прибора, кремниевого, кристаллодержателю, полупроводникового, способ, кристалла, присоединения

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18137

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 17627

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Выговский Станислав Вячеславович, Соловьев Ярослав Александрович, Рубцевич Иван Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C04B 41/51

Метки: керамических, изоляторов, способ, металлизации, алюмооксидных

Текст:

...температурой от 40 до 50 С. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При вжигании металлизации при температуре ниже 1640 С и барботировании азота с водородом при температуре воды менее 40 С повышается пористость металлизации на границе с керамикой и образуется пограничный слой неравномерной толщины, что приводит к снижению вакуумной плотности паяных...

Высоковольтный быстродействующий диод

Загрузка...

Номер патента: 16468

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Пуцята Владимир Михайлович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, высоковольтный, быстродействующий

Текст:

...функцию резистивной полевой обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии наблюдаются существенные внутренние механические напряжения, которые могут привести...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 16184

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Блынский Виктор Иванович, Василевский Юрий Георгиевич, Малышев Сергей Александрович, Голубев Николай Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...

Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники

Загрузка...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: планарных, бора, микроэлектроники, источников, изготовлении, изделий, твердых, композиция, получения

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: схем, планарных, полупроводниковых, изготовления, бора, приборов, твердых, создании, источников, интегральных, способ

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15400

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Голубев Николай Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Высоцкий Виктор Борисович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...поликристаллического кремния (ППК) в составе защитного диэлектрического покрытия выполняет функцию резистивной обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15018

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Бармин Михаил Дмитриевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ковальчук Наталья Станиславовна, Сарычев Олег Эрнстович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диода, способ, изготовления, шоттки

Текст:

...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...

Металлизация интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Шильцев Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 21/28...

Метки: схемы, металлизация, интегральной

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14848

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, диод

Текст:

...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...

Способ изготовления фотодиода

Загрузка...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Становский Владимир Владимирович, Сивец Василий Иосифович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/00

Метки: фотодиода, изготовления, способ

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Комаров Фадей Фадеевич, Мильчанин Олег Владимирович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: способ, шоттки, изготовления, диода

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Немагнитный сплав на основе никеля

Загрузка...

Номер патента: 13170

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C22C 19/03

Метки: никеля, немагнитный, основе, сплав

Текст:

...тины и ванадия приведет к неполному устранению магнитных свойств сплава, а значит, будет наблюдаться замыкание катодом-мишенью силовых линий магнитного поля. Это, в свою очередь, приведет к разогреву мишени и подложек, электрическим пробоям, деформации и оплавлению мишени и обусловит снижение качества металлических пленок, что ухудшает контактные свойства переходных слоев силицидов, сформированных твердофазной реакцией с кремнием...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, диода, способ, шоттки

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13060

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Токарев Владимир Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Шамягин Виктор Павлович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: шоттки, способ, диода, изготовления

Текст:

...Если отжиг проводить более 180 минут при температуре более 1040 С, то глубина залегания перехода охранного кольца будет слишком большой, а поверхностная концентрация бора в охранном кольце пониженной,что приведет к снижению величины обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Если отжиг проводить в окислительной среде, то поверхностная концентрация бора в охранном кольце будет...

Пленкообразующая композиция для диффузии алюминия в кремний

Загрузка...

Номер патента: 12893

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Бересневич Людмила Брониславовна, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Мойсейчук Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: диффузии, алюминия, композиция, пленкообразующая, кремний

Текст:

...позволяет снизить количество неконтролируемых примесей и улучшить 2 12893 1 2010.02.28 качество легированных стекол для диффузии алюминия. При содержании ТЭОС менее 15,0 мас.в осажденных пленках содержится недостаточно нитрата алюминия для обеспечения требуемого содержания диффузанта, и глубина диффузии уменьшается. При содержании ТЭОС более 17,0 мас.образуется студенистая масса, которая непригодна для нанесения пленок диффузанта...

Высоковольтный биполярный транзистор

Загрузка...

Номер патента: 12019

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: высоковольтный, биполярный, транзистор

Текст:

...до 0,2 мкм позволяет улучшить защитные свойства пассивирующего покрытия и компенсировать механические напряжения, возникающие на границе нитрид кремния - слой легкоплавкого стекла из-за разности их термических коэффициентов линейного расширения. В совокупности это обеспечивает дополнительное повышение выхода годных ВБТ. При толщине слоя нитрида кремния менее 0,05 мкм улучшение защитных свойств не достигается и компенсации механических...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: кристалла, прибора, кремниевого, присоединения, полупроводникового, способ, кристаллодержателю

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Турцевич Аркадий Степанович, Емельянов Виктор Андреевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/02, B05D 5/12, C23C 16/455...

Метки: кремния, пленки, осаждения, поликристаллического, способ, полуизолирующего

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 12057

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: шоттки, способ, изготовления, диода

Текст:

...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...

Интегральный тонкопленочный резистор кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Сякерский Валентин Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович

МПК: H01L 29/00, H01L 49/02

Метки: резистор, интегральный, кремниевой, тонкопленочный, интегральной, микросхемы

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Многослойное пассивирующее покрытие для высоковольтных полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Пуцята Владимир Михайлович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, высоковольтных, покрытие, пассивирующее, полупроводниковых, многослойное

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 11278

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, способ, шоттки, диода

Текст:

...геттерирующего слоя, а отжиг проводят перед формированием углубления в эпитаксиальном слое. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что величина токов утечки диодов Шоттки определяется высотой барьера Шоттки, плотностью поверхностных состояний на границе металл-кремний, а также током генерации носителей заряда в области обеднения диода Шоттки 4, 5. Ионное легирование непланарной стороны подложки ионами...

Способ пассивации p-n переходов тиристора с меза-канавкой

Загрузка...

Номер патента: 11157

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Шильцев Владимир Викторович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: тиристора, меза-канавкой, способ, пассивации, переходов

Текст:

...менее 8,0 мас.резко ухудшается способность данного слоя к оплавлению. Это приводит к плохой планаризации топологического рельефа и ухудшает качество фотолитографии при формировании рисунка пассивирующих областей из-за уменьшения толщины и обрыва фоторезистивного слоя по краю меза-канавки. В случае суммарного содержания бора и фосфора более 10 мас.при содержании фосфора более 5 мас.слои БФСС будут характеризоваться плохой стойкостью к...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Кресло Сергей Михайлович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: примесей, кремниевые, диффузии, изготовления, акцепторных, пластины, силовых, способ, полупроводниковых, приборов

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: твердых, полупроводниковых, приборов, бора, изготовлении, источников, диффузии, интегральных, микросхем, способ

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: планарных, бора, способ, источников, приборов, твердых, изготовления, схем, интегральных, полупроводниковых, создании

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 10443

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Кузик Сергей Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, шоттки, диода, изготовления

Текст:

...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...

Металлизация полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: прибора, металлизация, полупроводникового

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 10252

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Карпов Иван Николаевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 29/00

Метки: шоттки, диод

Текст:

...счет уменьшения механических напряжений в первом барьерном слое, величина которых может превышать 1 ГПа. Никель также блокирует диффузию кислорода в силицид платины и обеспечивает формирование платиносодержащего первого барьерного слоя диода Шоттки с однородными свойствами, что, в свою очередь, приводит к снижению обратных токов, улучшению качества диодов Шоттки и повышению выхода годных. Кроме того, никель снижает высоту барьера барьерного...

Немагнитный сплав на основе никеля

Загрузка...

Номер патента: 10288

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Купченко Геннадий Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич, Поко Ольга Александровна, Майонов Александр Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Купченко Владимир Геннадьевич

МПК: C22C 19/05

Метки: никеля, немагнитный, сплав, основе

Текст:

...роста значительно замедляется. Хром тормозит рост оксидных пленок 10 и 25 и снижает концентрацию дефектов в кристаллической структуре оксидного слоя, являющихся основными путями трансмиссии никеля к поверхности, а кислорода вглубь слоя. Как следствие,повышается адгезия серебра к слою сплава- С -и улучшается его паяемость, что положительно сказывается на процессе сборки уже на этапе разделения пластин на кристаллы. Сплав и распылительную...

Способ нанесения пленки молибдена на полупроводниковые подложки

Загрузка...

Номер патента: 9957

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Баранов Валентин Владимирович

МПК: C23C 14/35, C23C 14/34

Метки: способ, молибдена, подложки, пленки, нанесения, полупроводниковые

Текст:

...подложке и ухудшению стабильности ее структуры и воспроизводимости электрофизических свойств, снижению выхода годных ИСМЭ. Мощность магнетронного разряда однозначно определяет скорость нанесения пленки,а, следовательно, ее структуру и электрофизические свойства. При мощности распыления менее 0,7 кВт наблюдается увеличение растягивающих механических напряжений, что приводит к ухудшению адгезии пленок, а, следовательно, стабильности их...

Катодный узел

Загрузка...

Номер патента: 9560

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Чапкович Анатолий Сергеевич

МПК: C23C 14/34

Метки: узел, катодный

Текст:

...выступов на боковой поверхности катода-мишени не обеспечивается герметичное вакуум-плотное крепление катода-мишени к водоохлаждаемому держателю. Сущность изобретения поясняется фиг. 1-4, где на фиг. 1 схематично показано магнетронное распылительное устройство (МРУ) для ионно-плазменного напыления с катодным узлом в соответствии с прототипом, на фиг. 2 схематично показано устройство мишени для катодного узла МРУ согласно прототипу, на фиг. 3...

Способ формирования металлизации обратной стороны кремниевой пластины

Загрузка...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: обратной, металлизации, стороны, пластины, формирования, кремниевой, способ

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...