Солодуха Виталий Александрович

Медицинский монитор пациента

Загрузка...

Номер патента: U 10309

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Данилович Петр Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Лебедев Виктор Ильич, Сарычев Олег Эрнстович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: A61B 5/044, A61B 5/04

Метки: пациента, монитор, медицинский

Текст:

...с блоком регистрации и анализа, жидкокристаллический индикатор, кабель электропитания, на внутренние поверхности корпуса и экрана жидкокристаллического индикатора нанесено металлическое покрытие с толщиной, достаточной для обеспечения светопередачи и считывания информации пользователем, отражающее электромагнитные волны в диапазоне метровых и дециметровых волн от 10,0 до 0,3 м, причем металлическое покрытие экрана жидкокристаллического...

Способ герметизации корпуса интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 18641

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Зубович Анатолий Николаевич, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Довженко Александр Алексеевич

МПК: H01L 21/56, H01L 31/0203

Метки: способ, корпуса, схемы, герметизации, интегральной

Текст:

...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18438

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Блынский Виктор Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Чиж Александр Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Малышев Сергей Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...

Механизм трансформации

Загрузка...

Номер патента: U 10016

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Шестак Вадим Георгиевич, Сарычев Олег Эрнстович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Кашковский Виктор Михайлович

МПК: A61G 7/015, A61G 7/018, A61G 7/002...

Метки: трансформации, механизм

Текст:

...(трется) с поверхностями продольного и фиксирующих пазов корпуса. Характер контакта - трение скольжения с коэффициентом трения 0,15. Вследствие этого происходит истирание поверхностей продольного, фиксирующих пазов и некоторой ограниченной поверхности штифта. Износ поверхностей сокращает срок службы механизма трансформации. Заявленная полезная модель решает задачу уменьшения коэффициента трения при перемещении штока. Поставленная задача...

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 16/56, C23C 16/30, H01L 21/205...

Метки: легированных, кремния, осаждения, пленок, фосфором, способ

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18137

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Ефименко Сергей Афанасьевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Малый Игорь Васильевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 27/04, H01L 21/77

Метки: микросхемы, кремниевой, интегральной, способ, изготовления

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/44, B08B 7/00

Метки: микросхем, интегральных, пленки, способ, производства, титана, силицида, формирования

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Механизм трансформации

Загрузка...

Номер патента: U 9741

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Шестак Вадим Георгиевич, Кашковский Виктор Михайлович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: A61G 7/002, A61G 7/015, A61G 7/018...

Метки: механизм, трансформации

Текст:

...вдоль штока и имеет выемку, поверхность которой и поверхности продольного паза со стороны фиксирующих пазов расположены на одном уровне в продольном пазу корпуса между фиксирующими пазами дополнительно выполнены углубления, причем расстояние от углубления до фиксирующего паза А больше, чем расстояние от оси штифта до выемки ползунка Б, на 10-20 , а радиус кривизны углубления угл меньше радиуса кривизны штифта шт. Сопоставительный анализ...

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 17627

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Рубцевич Иван Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Выговский Станислав Вячеславович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C04B 41/51

Метки: изоляторов, алюмооксидных, металлизации, керамических, способ

Текст:

...температурой от 40 до 50 С. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При вжигании металлизации при температуре ниже 1640 С и барботировании азота с водородом при температуре воды менее 40 С повышается пористость металлизации на границе с керамикой и образуется пограничный слой неравномерной толщины, что приводит к снижению вакуумной плотности паяных...

Способ формирования нанокристаллов германия Ge для энергонезависимой памяти

Загрузка...

Номер патента: 17081

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Гайдук Петр Иванович, Новиков Андрей Геннадьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/44, H01L 21/336

Метки: формирования, способ, памяти, энергонезависимой, германия, нанокристаллов

Текст:

...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...

Способ осаждения тонких пленок SiGe

Загрузка...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Солодуха Виталий Александрович, Комаров Фадей Фадеевич

МПК: H01L 21/205, C23C 16/30

Метки: осаждения, тонких, способ, пленок

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Способ химического осаждения из газовой фазы пленок вольфрама

Загрузка...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Сидерко Александр Александрович, Каленик Вера Ивановна

МПК: C23C 16/14, H01L 21/285

Метки: химического, способ, газовой, вольфрама, осаждения, фазы, пленок

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Градирня энергетической установки

Загрузка...

Номер патента: 15169

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Кунцевич Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Сарычев Олег Эрнстович, Драко Андрей Васильевич, Радкевич Валерий Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: F28C 1/00

Метки: градирня, энергетической, установки

Текст:

...форсунки, при этом угол оси факела центральной форсунки относительно оси шахты составляет 35-39. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что капли жидкости в факеле распыла движутся по параболическим траекториям, причем восходящая часть их траекторий находится в пределах конуса, который определяется углом раствора факела. Объем, который занимают капли факела распыла (на восходящей части их траекторий),...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, диод

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15018

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ковальчук Наталья Станиславовна, Соловьев Ярослав Александрович, Бармин Михаил Дмитриевич

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диода, шоттки, изготовления, способ

Текст:

...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...

Металлизация интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Шильцев Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 21/28...

Метки: металлизация, схемы, интегральной

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Способ изготовления межэлементных соединений микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Лабан Эдуард Казимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/28, H01L 23/48, H01L 21/02...

Метки: способ, изготовления, соединений, межэлементных, микросхемы

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Способ изготовления фотодиода

Загрузка...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Турцевич Аркадий Степанович, Сивец Василий Иосифович, Солодуха Виталий Александрович, Становский Владимир Владимирович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/00

Метки: изготовления, способ, фотодиода

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 14381

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Выговский Станислав Вячеславович, Добриян Татьяна Сергеевна, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C04B 41/80, C04B 41/88

Метки: способ, изоляторов, керамических, алюмооксидных, металлизации

Текст:

...алюмооксидных керамических изоляторов в среде водорода и азота, вжигание металлизации, совмещенное с окончательным обжигом алюмооксидных керамических изоляторов, осуществляют при температуре не ниже 1610 С с периодом толкания 20-45 мин. Сопоставительный анализ предлагаемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов отличается от известного тем, что вжигание металлизации,...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластины, способ, кремниевые, приборов, диффузии, акцепторных, изготовления, примесей, полупроводниковых, силовых

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Довнар Николай Александрович, Комаров Фадей Фадеевич, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Мильчанин Олег Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: шоттки, диода, изготовления, способ

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Центробежно-струйная форсунка

Загрузка...

Номер патента: U 6614

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Сарычев Олег Эрнстович, Солодуха Виталий Александрович, Глоба Александр Николаевич, Рыбкин Владимир Анатольевич, Савич Владимир Николаевич

МПК: B05B 1/00

Метки: форсунка, центробежно-струйная

Текст:

...цилиндрического сопла находится в диапазоне от 2,8 до 3,5, а угол наклона периферийных пазов вкладыша находится в диапазоне от 15 до 20. В центробежно-струйной форсунке раздробление потока жидкости производят путем разделения поступающего потока жидкости на два, причем первый из потоков закручивают вокруг оси форсунки, пропуская его по наклонным пазам вкладыша, второй направляют по центру вдоль оси форсунки, а смешение потока...

Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Родин Георгий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/02

Метки: микрорельефа, способ, интегральных, схем, изготовлении, планаризации

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Немагнитный сплав на основе никеля

Загрузка...

Номер патента: 13170

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: C22C 19/03

Метки: никеля, основе, немагнитный, сплав

Текст:

...тины и ванадия приведет к неполному устранению магнитных свойств сплава, а значит, будет наблюдаться замыкание катодом-мишенью силовых линий магнитного поля. Это, в свою очередь, приведет к разогреву мишени и подложек, электрическим пробоям, деформации и оплавлению мишени и обусловит снижение качества металлических пленок, что ухудшает контактные свойства переходных слоев силицидов, сформированных твердофазной реакцией с кремнием...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: шоттки, изготовления, диода, способ

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13060

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Токарев Владимир Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шамягин Виктор Павлович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, способ, диода, шоттки

Текст:

...Если отжиг проводить более 180 минут при температуре более 1040 С, то глубина залегания перехода охранного кольца будет слишком большой, а поверхностная концентрация бора в охранном кольце пониженной,что приведет к снижению величины обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Если отжиг проводить в окислительной среде, то поверхностная концентрация бора в охранном кольце будет...

Пленкообразующая композиция для диффузии алюминия в кремний

Загрузка...

Номер патента: 12893

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Бересневич Людмила Брониславовна, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Мойсейчук Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремний, композиция, пленкообразующая, диффузии, алюминия

Текст:

...позволяет снизить количество неконтролируемых примесей и улучшить 2 12893 1 2010.02.28 качество легированных стекол для диффузии алюминия. При содержании ТЭОС менее 15,0 мас.в осажденных пленках содержится недостаточно нитрата алюминия для обеспечения требуемого содержания диффузанта, и глубина диффузии уменьшается. При содержании ТЭОС более 17,0 мас.образуется студенистая масса, которая непригодна для нанесения пленок диффузанта...

Корпус мощного полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 12545

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Осипов Александр Александрович, Горобец Григорий Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Выговский Станислав Вячеславович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 23/00

Метки: прибора, полупроводникового, мощного, корпус

Текст:

...стекла С-76-4 с обечайкой из стали, которые имеют существенное различие в коэффициентах термического линейного расширения (КТЛР), что способствует возникновению в стеклоспае механических напряжений, приводящих к образованию сквозных и несквозных микротрещин в стекле и снижению герметичности по ВУ 12545 С 12009.10.30сле термоциклирования. Так как стеклоспай обладает низкой устойчивостью К механическим деформациям выводов при эксплуатации,...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, кристалла, полупроводникового, прибора, кремниевого, присоединения, кристаллодержателю

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 12057

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: диода, способ, изготовления, шоттки

Текст:

...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...

Шликер для горячего литья керамических деталей

Загрузка...

Номер патента: 11692

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Добриян Татьяна Сергеевна, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Выговский Станислав Вячеславович

МПК: C04B 35/10, B28B 1/00

Метки: литья, горячего, деталей, шликер, керамических

Текст:

...уменьшенной усадкой, что снижает дефектообразование в процессе снятия деталей из отливаемой пресс-формы. При содержании полипропиленгликоля-2000 в шликере менее 1 мас. , воска менее 0,2 мас. , олеиновой кислоты менее 0,2 мас.происходит расслоение шликера и не обеспечивается однородная плотность отливки, возникают раковины внутри керамических деталей и на поверхности. Также при литье керамических деталей происходит неполное заполнение...

Многослойное пассивирующее покрытие для высоковольтных полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Пуцята Владимир Михайлович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, покрытие, приборов, высоковольтных, пассивирующее, многослойное

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 11278

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, шоттки, диода, способ

Текст:

...геттерирующего слоя, а отжиг проводят перед формированием углубления в эпитаксиальном слое. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что величина токов утечки диодов Шоттки определяется высотой барьера Шоттки, плотностью поверхностных состояний на границе металл-кремний, а также током генерации носителей заряда в области обеднения диода Шоттки 4, 5. Ионное легирование непланарной стороны подложки ионами...

Способ пассивации p-n переходов тиристора с меза-канавкой

Загрузка...

Номер патента: 11157

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: тиристора, переходов, способ, меза-канавкой, пассивации

Текст:

...менее 8,0 мас.резко ухудшается способность данного слоя к оплавлению. Это приводит к плохой планаризации топологического рельефа и ухудшает качество фотолитографии при формировании рисунка пассивирующих областей из-за уменьшения толщины и обрыва фоторезистивного слоя по краю меза-канавки. В случае суммарного содержания бора и фосфора более 10 мас.при содержании фосфора более 5 мас.слои БФСС будут характеризоваться плохой стойкостью к...

Способ удаления фоторезиста с поверхности кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 1688

Опубликовано: 30.06.1997

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Роговой Владимир Иванович, Сергеев Виктор Петрович

МПК: H01L 21/306

Метки: фоторезиста, кремниевых, поверхности, способ, удаления, пластин

Текст:

...опасностью растрескивания пластин вследствие большого перепада температуры при последующей промывке пластин в деионизованной воде с температурой 5010. Деионизованная вода, в которой отмываются пластины от остатков серной кислоты, содержит примеси органического происхождения, как-то частицы ионообменных смол, микроорганизмы. Для их разложения вводится путем барботирования озоносодержащий газ. Органические примеси при концентрации озона 3, 12...