Снитовский Юрий Павлович

Способ изготовления транзистора

Загрузка...

Номер патента: 15265

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Ефремов Василий Андреевич, Нелаев Владислав Викторович, Снитовский Юрий Павлович

МПК: H01L 21/331

Метки: транзистора, способ, изготовления

Текст:

...внедряемой примеси того же типа, которой легирован кремний 3) образованием атомов отдачи молибдена в приповерхностном слое (молибденпримесь -типа проводимости) кремния в эмиттере 4) образованием большого количества радиационных дефектов под действием как основного потока ионов фосфора, так и атомов отдачи молибдена, которые при достаточной дозе легирования образуют аморфизованный слой кремния. Низкотемпературная термообработка (отжиг)...