Шведов Сергей Васильевич

Способ определения времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика МДП-микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 17531

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Чигирь Григорий Григорьевич, Филипеня Виктор Анатольевич, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/28

Метки: диэлектрика, определения, наработки, способ, мдп-микросхемы, времени, подзатворного, отказ

Текст:

...не протекает через диэлектрик и не создает вклада в деградацию диэлектрика, что приводит к увеличению погрешности измерений. С уменьшением длительности импульса величина погрешности возрастает, и при длительности импульса менее 5 мс точность измерений становится недопустимо низкой при использовании длительности импульса более 50 мс существенно возрастает время испытаний и нарушается экспрессность контроля. Время испытаний увеличивается до...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 14912

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/302

Метки: эпитаксиальная, ориентации, структура, кремниевая, 111

Текст:

...Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости 111. Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров, находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями...

Межуровневая диэлектрическая изоляция полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 14318

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изоляция, межуровневая, полупроводникового, диэлектрическая, прибора

Текст:

...обнажается поверхность пленки на основе диоксида кремния, к которой полиимид имеет очень слабую адгезию. Толщина пленки нитрида кремния более 0,15 мкм нецелесообразна в связи с тем, что затраты на ее формирование увеличиваются без получения дополнительных преимуществ. Кроме того, в структуре растут механические напряжения, которые приводят к возникновению характерных дефектов, в частности пор в диэлектрической изоляции, что приводит к снижению...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6404

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, 111, ориентации, эпитаксиальная, структура

Текст:

...результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом рисунка. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь...

Способ изготовления полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 13237

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, прибора, полупроводникового, способ

Текст:

...нитрида кремния в водороде химическая связь между атомами кремния и азота разрывается, а на оборванные связи присоединяется водород. Связь кремния с водородом при контакте с воздухом окисляется, а связь азота с водородом, представляющая собой не что иное как модифицирующие аминогруппы, остается стабильной вплоть до нанесения пленки полиамидокислоты. Поскольку нитрид кремния содержит очень много азота, количество образовавшихся...

Межуровневая диэлектрическая изоляция полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: U 6196

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: межуровневая, прибора, полупроводникового, диэлектрическая, изоляция

Текст:

...дефектов. Кроме того, пленки нитрида кремния характеризуются высокими барьерными свойствами по отношению к катионным загрязнениям, что обеспечивает дополнительные преимущества заявляемой конструкции. Минимальная толщина нитрида кремния, равная 0,02 мкм, обусловлена тем, что при меньших значениях существующие методы получения таких пленок не обеспечивают их сплошность, формируемая пленка носит островковый характер. Кроме того, в процессе...

МОП-транзистор со встроенным каналом

Загрузка...

Номер патента: 11992

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Леонов Николай Иванович, Дудар Наталия Леонидовна, Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна, Сякерский Валентин Степанович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 29/00

Метки: встроенным, каналом, моп-транзистор

Текст:

...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...

Способ изготовления высокоомного поликремниевого резистора

Загрузка...

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Котов Владимир Семенович, Емельянов Виктор Андреевич, Шведов Сергей Васильевич, Дударь Наталья Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович

МПК: H01C 7/00, H01C 1/00, H01L 29/00...

Метки: поликремниевого, резистора, изготовления, высокоомного, способ

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...

Способ выявления глубоких уровней в p-n-переходе полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 11643

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводникового, выявления, способ, уровней, прибора, глубоких, p-n-переходе

Текст:

...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...

Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от статического электричества

Загрузка...

Номер патента: 4988

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Шведов Сергей Васильевич, Усов Геннадий Иванович, Силин Анатолий Васильевич, Лемешевская Алла Михайловна, Пономарь Владимир Николаевич

МПК: H01L 29/06

Метки: статического, моп, транзистора, выходного, схемы, защиты, элемент, интегральной, электричества

Текст:

...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...