Шумило Виктор Степанович

Способ изготовления гетеропереходного светодиода

Загрузка...

Номер патента: 16935

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/20

Метки: изготовления, светодиода, гетеропереходного, способ

Текст:

...к -слою из узкозонного полупроводника. Средняя скорость формирования металлического слоя составляет 100200 /с, а температура нагрева основания составляет 300350 С. Стравливают плоскую поверхность полупроводникового основания р-типа методом ионно-плазменного травления для получения бездефектной структуры и удаления окисной пленки и инородной поверхностной примеси. Скорость травления составляет 3040 /с, а температура процесса 300400 С....

Водоохлаждающий элемент

Загрузка...

Номер патента: U 8626

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич, Уласюк Николай Николаевич

МПК: H01L 35/28

Метки: элемент, водоохлаждающий

Текст:

...причем толщина основания составляет 13 мкм. Габаритные размеры металлического основания 11 составляют 4848 мм, а размеры расположенной на нем структуры 4444 мм. Просветляющий слой 10 исключает потери на отражение излучения от -слоя, то есть повышает коэффициент поглощения фотонов -слоем 5. Поскольку концентрация электронов в -слое 3 при инжекции фотогенерированных электронов из слоя 5 достигает 1019 см-3 и выше, а концентрация...

Полупроводниковый преобразователь оптических излучений

Загрузка...

Номер патента: U 6298

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: оптических, преобразователь, полупроводниковый, излучений

Текст:

...эпитаксии, представляющий твердый раствор интерметаллического соединения 1. Параметр степени концентрации компонента в раствореизменяется от ну 21 ля до единицы, причем со стороны -слоя 4 из узкозонного полупроводника он представляет материал этого слоя -, а со стороны -области - перехода 2 - материал этой 2 области, то есть соединение 1. Например, если материалом -области - перехода являетсяс 21,43 эВ, а материалом -слоя 4 -с 30,36...

Полупроводниковый преобразователь температуры

Загрузка...

Номер патента: U 6251

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: G01K 7/16

Метки: полупроводниковый, преобразователь, температуры

Текст:

...Информационный омический контакт 6 к полупроводниковому основанию 1 с внешним выводом представляет слой толщиной 1,0-2,0 мкм на сильнолегированной области полупроводникового основания 1. Диэлектрический слой 2, нанесенный на полупроводниковое основание 1, обладает высокими изоляционными свойствами, его толщина 1-3 мкм. Он может формироваться из оксида кремния или оксида алюминия. Полупроводниковый слой 3 выполнен из более широкозонного...

Солнечный термоэлектрический холодильный элемент

Загрузка...

Номер патента: U 5540

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Сычик Андрей Васильевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 35/28

Метки: холодильный, элемент, солнечный, термоэлектрический

Текст:

...сформирована методом фотолитографии на р-слое 1, то есть на полупроводниковой подложке, на решетчатую поверхность которой последовательно методом газофазной эпитаксии нанесен -слой 2, -слой 3, р-слой 4 и методом ионного распыления электропроводящий слой 5 из светопрозрачного материала. 3 55402009.08.30 В соответствии с результатами расчета оптимальная высота выступов составляет(30300) микрон, угол наклона граней выступов к своей оси -...

Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии в холод

Загрузка...

Номер патента: U 5481

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/00

Метки: солнечной, холод, преобразователь, энергии, полупроводниковый

Текст:

...7 (прозрачный антиотражательный элемент), оптическая плотность которого выше, чем у р-слоя 6. В качестве материала просветляющего слоя используются окислы кремнияи О 2, а оптимальная толщина просветляющего слоя 7 составляет 0,05-0,15 мкм. Толщина металлического слоя решетчатого омического контакта 8 составляет 1-3 мкм, а занимаемая им площадь составляет 512 от всей площади р-слоя 6 устройства. При контакте невырожденных полупроводников...

Полупроводниковый датчик солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: U 5383

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, солнечной, датчик, полупроводниковый

Текст:

...и обеспечивает омический контакт с электропроводящим слоем 4. Его толщина составляет (0,10,3) . Омическим контактом к р-слою 3 является проводящий слой 4,выполненный из прозрачного материала, например окиси индия-олова, который одновременно является просветляющим слоем. Он формируется толщиной (13) мкм. С помощью электропроводящего клея к нему по периметру присоединяется внешний металлический вывод 5, а сильнолегированный...

Шкаф холодильника

Загрузка...

Номер патента: 7315

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Занько Александр Фомич, Антонов Александр Алексеевич

МПК: F25D 23/00, F25D 23/02

Метки: шкаф, холодильника

Текст:

...поясняется чертежом шкаф холодильника с двумя боковыми дверями,установленный в стене А, разделяющей соседние помещения, вид сверху. Шкаф холодильника содержит корпус 1 и двери 2, 3. При необходимости шкаф может быть выполнен с тремя и четырьмя боковыми дверями. Для предупреждения открывания дверей 2, 3 одновременно шкаф холодильника может быть снабжен средством (на чертеже не показано), указывающим на то, что одна из дверей 2, 3...

Полупроводниковый холодильник

Загрузка...

Номер патента: 7011

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Лашицкий Эдуард Казимирович, Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович, Сычик Андрей Васильевич

МПК: H01L 35/28

Метки: полупроводниковый, холодильник

Текст:

...коэффициентом передачи электронов на р-область 3 нанесен варизонный рМг-слой 5 также методом жидкофазной или газофазной эпитаксии, который согласовывает р-область 3 и р 1-область 6 по постоянным кристаллических решеток. Варизонный ртг-слой 5 представляет твердыйраствор интерметаллического соединения АХА В. Параметр степени концентрациикомпонента в ртг-слое 5 Изменяется от нуля до единицы, причем со стороны р-области 3 он представляет...

Способ изготовления полупроводникового термоэлемента

Загрузка...

Номер патента: 7007

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич, Калантаева Татьяна Владимировна, Шамкалович Владимир Иванович

МПК: H01L 35/28

Метки: полупроводникового, термоэлемента, изготовления, способ

Текст:

...выполнена из широкозонного бинарного соединения баАз, то варизонный слой реализуется структурой 1 пх 6 а 1 ХА 5, где х - параметр степени концентрации компонента в растворе, путем монотонного снижения интенсивности потока компонента Ап 1 от максимального значения до нуля и монотонного повышения интенсивности потока компонента Ап 2 от нуля до максимального значения. Параметр х изменяется от 1 до нуля. Режим формирования варизонного слоя Ап 1...

Термоэлектрический холодильник

Загрузка...

Номер патента: 6828

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Сычик Андрей Васильевич, Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович, Шамкалович Владимир Иванович

МПК: H01L 35/28

Метки: холодильник, термоэлектрический

Текст:

...экстрагируемых из 1- в 1-область и, как показали результаты эксперимента, составляет (25). Сильнолегированный 1 слой 4 представляет часть 1-области 3, который сформирован путем введения высокой концентрации донорной примеси 1020 см-3, обладает малым сопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим слоем 7. Сильнолегированный 1-слой 6 представляет часть 1-области 5 и также сформирован методом диффузии или ионной имплантации...

Катодный узел электроннолучевой трубки

Загрузка...

Номер патента: 6595

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Урбанович Александр Анатольевич, Сычик Андрей Васильевич, Шумило Виктор Степанович, Горожданов Александр Джонович, Предко Юрий Иванович

МПК: H01J 1/308

Метки: катодный, электроннолучевой, узел, трубки

Текст:

...высокой подвижностью основных носителей - электронов. Им являются теллуриды и селениды цинка и кадмия, арсенид алюминия, антимонид алюминия, фосфид индия. Толщина эмиттерной области 2 и базовой области 1 выбираются стандартными для получения максимального коэффициента передачи инжектированных электронов от эмиттера 2 к коллектору 3. Обычно толщина области эмиттера составляет 0,51 мкм, а толщина области базы(0,50,8), где- диффузионная длина...

Способ определения электроемкости химических источников тока

Загрузка...

Номер патента: 6603

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: Урбанович Александр Анатольевич, Горожданов Александр Джонович, Сычик Василий Андреевич, Бреднев Александр Викторович, Сычик Андрей Васильевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H02J 7/00

Метки: способ, источников, химических, электроемкости, тока, определения

Текст:

...измерения скорости изменения напряжения и сравнения ее с градуировочным значением,решается задача - существенно повышается точность измерения электроемкости ХИТ. Погрешность измерения электроемкости снижается более чем в 4 раза с 98-95(у прототипа) до 21 . Изложенная сущность изобретения поясняется фиг. 1-3, где на фиг. 1 представлена электрическая схема реализации метода, на фиг. 2 - зависимость, на фиг. 3 - зависимость С(/). 2 6603 1...

Бытовой компрессионный холодильник

Загрузка...

Номер патента: 5186

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Кацуба Евгений Владимирович, Занько Александр Фомич, Шумило Виктор Степанович

МПК: F25D 27/00, F25D 29/00

Метки: холодильник, бытовой, компрессионный

Текст:

...через индикатор режима замораживания с выключателем режима замораживания,причем выключатель режима замораживания связан с лампочкой через диод, а индикатор режима замораживания выполнен в виде светодиода, установленного параллельно диоду. Изобретение поясняется чертежами фиг. 1 - общий вид холодильника фиг. 2 - электрическая схема блока управления холодильником. Бытовой компрессионный холодильник содержит холодильную камеру 1 с дверью 2...

Кухонная плита

Загрузка...

Номер патента: 4832

Опубликовано: 30.12.2002

Авторы: Занько Александр Фомич, Антонов Александр Алексеевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: F24C 7/00, F24C 3/00

Метки: плита, кухонная

Текст:

...плите, содержащей закрепленную на несущих панелях установленную с возможностью выдвижения вперед конфорочную панель с конфорками и панелью управления, жарочный шкаф с верхним нагревательным элементом и держателем противней, отличием является то, что жарочный шкаф расположен непосредственно над задней конфоркой конфорочной панели, а около задней стенки жарочного шкафа размещен держатель противней, кронштейн которого соединен с...

Кухонная плита с индукционным нагревом

Загрузка...

Номер патента: 4820

Опубликовано: 30.12.2002

Авторы: Макрицкий Юрий Витольдович, Шумило Виктор Степанович

МПК: H05B 6/36, H05B 6/12

Метки: нагревом, кухонная, плита, индукционным

Текст:

...сети в переменный ток, к выходным клеммам которого подключены выводы индуктора, и схему управления переключающими элементами силового блока, в котором катушка индуктивности выполнена из многожильного провода в видекороткозамкнутых кольцевых контуров, установленных в одной плоскости концентрично друг другу на расстоянии от индуктора, равном 1,52,5 см, при этом многожильный провод выполнен из изолированных проводников 1,(8) 2 2 0...

Бытовая кухонная плита

Загрузка...

Номер патента: 4694

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Антонов Александр Алексеевич, Шумило Виктор Степанович, Занько Александр Фомич

МПК: F24C 7/00, F24C 3/00

Метки: кухонная, бытовая, плита

Текст:

...элементом конфорочной панели, а передняя часть духовки закреплена на задней части духовки с возможностью углового поворота вокруг продольной оси духовки. Изобретение поясняется чертежами фиг. 1 - общий вид плиты сбоку в исходном состоянии, фиг. 2 - общий вид плиты сбоку с поднятой передней частью духовки и установленными противнями. Бытовая кухонная плита содержит каркас 1, конфорочную панель 2 с нагревательными элементами 3, 4 и...

Устройство индукционного нагрева

Загрузка...

Номер патента: 4546

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Занько Александр Фомич, Флейтух Сергей Григорьевич, Шумило Виктор Степанович, Сисин Анатолий Алексеевич

МПК: H05B 6/06, H05B 6/12

Метки: нагрева, индукционного, устройство

Текст:

...На фиг. 3 изображены 1 и 2 - ключевые элементы инвертора 6 1 и 2 - встречно включенные шунтирующие диоды- индуктивность нагрузочного резонансного контура 7, выполняющая функцию нагревательного индуктора, в непосредственной близости от которого размещается посуда 1 и 2 накопительные конденсаторы резонансного контура 7 32, 33 двухвходовые элементы И-НЕ 34, 35, 38 и 39 - элементы НЕ, выполняющие функцию задержки 36 37, 40 и 41 - двухвходовые...

Катодный узел ЭЛТ

Загрузка...

Номер патента: 4545

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович, Урбанович Александр Анатольевич

МПК: H01J 1/308

Метки: катодный, узел, элт

Текст:

...электроны из канала 1 в -слой 5 в горячие, т.е. изотипный гетеропереход является источником горячих электронов. Как показали результаты эксперимента, для более эффективного диффузионного перемещения горячих электронов из канала 1 черезслой 5 в активированный слой 7 с низкой работой выхода этот слой 5 неравномерно легирован, например, по параболическому закону с максимальным обеднением основных носителей со стороны канала 1. Для...

Устройство индукционного нагрева

Загрузка...

Номер патента: U 529

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Сисин Анатолий Алексеевич, Шумило Виктор Степанович, Флейтух Сергей Григорьевич

МПК: H05B 6/06, H05B 6/12

Метки: индукционного, устройство, нагрева

Текст:

...построено по замкнутой структуре двухтактного генерирования резонансных колебаний и реализует пороговый амплитудно-фазовый способ формирования защитного интервала в парафаз 4 529 ной широтно-импульсной последовательности, подаваемой на управляющие входы коммутирующих транзисторных элементов. Такое структурное построение индукционного нагревательного устройства позволяет повысить надежность за счет формирования защитного интервала, при котором...

Устройство регулирования энергии для нагревательных элементов

Загрузка...

Номер патента: U 311

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Севрук Владимир Антонович, Шумило Виктор Степанович, Сисин Анатолий Алексеевич

МПК: F24C 15/00, F24C 7/08

Метки: элементов, регулирования, устройство, нагревательных, энергии

Текст:

...тока, к выходу которого последовательно подключены резистивный задатчик уровня мощности, средний выход которого связан через аналого-цифровой преобразователь с входами управляющего задающего генератора, выполненного на основе микропроцессора, выход которого через транзисторное согласующее устройство подключен к управляющему входу тиристорного регулятора, силовые входы которого последовательно через коммутирующую часть и электронагреватель...

Устройство регулирования энергии для нагревательных элементов

Загрузка...

Номер патента: U 180

Опубликовано: 30.09.2000

Авторы: Севрук Владимир Антонович, Шумило Виктор Степанович, Казанцев Анатолий Петрович, Сисин Анатолий Алексеевич

МПК: H05B 1/02, H01H 19/60, F24C 7/08...

Метки: устройство, элементов, нагревательных, регулирования, энергии

Текст:

...элемента, силовые вход и выход которого последовательно через нагревательный элемент присоединены к зажимам сети переменного тока, отличающееся тем, что дополнительно содержит подключенный к выходу вторичного источника низковольтного переменного напряжения источник оптического излучения, а также первые и вторые приемные и передающие оптико-механические соединители первого и второго передающих кабелей волоконно-оптической линии связи,...

Селектор импульсов по длительности

Загрузка...

Номер патента: 3445

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Занько Александр Фомич, Шумило Виктор Степанович, Сисин Анатолий Алексеевич

МПК: H03K 5/19, H03K 5/26

Метки: селектор, импульсов, длительности

Текст:

...вход которого подключен к выходу второго ключа управления, а выход - ко входу детектора нуля, второй выход управляющего вентиля соединен с первым входом второго ключа управления и первым входом триггера,выход которого является выходом селектора, второй вход триггера подключен к выходу детектора нуля и ко второму входу 4 второго ключа управления, третий вход которого через второй делитель частоты на два соединен с третьим входом первого ключа...

Поворотный переключатель

Загрузка...

Номер патента: U 98

Опубликовано: 30.03.2000

Авторы: Сисин Анатолий Алексеевич, Шумило Виктор Степанович, Флейтух Сергей Григорьевич, Севрук Владимир Антонович

МПК: F24C 7/08, H01H 19/60

Метки: переключатель, поворотный

Текст:

...его фронтальной стороне крепежной пластиной, выполненный с первым и вторым центральными отверстиями, через которые проходит поворотный вал с неподвижно закрепленными звездочкой фиксатора углового положения, расположенной в нише между упомянутыми отверстиями, подпружиненной перпендикулярно к оси вала через фиксаторный шарик первой прижимной пружиной, опирающейся на регулировочный винт, кодирующим элементом в форме диска или цилиндрического...

Датчик электрических полей

Загрузка...

Номер патента: 3227

Опубликовано: 30.03.2000

Авторы: Бреднев Александр Викторович, Урбанович Александр Анатольевич, Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: G01R 29/12

Метки: электрических, датчик, полей

Текст:

...ап 10, например из окислов титана, толщина которого определяется полной степенью изоляции измерительного электрода 3 от канала, максимально формируемым в нем зарядом для данного типа диэлектрика и механизмом его поляризации. Слой полярного диэлектрика 2 должен иметь хорошее сопряжение по температурному коэффициенту линейного расширения (ТКЛР) и формироваться на полупроводниковом основании слоем однородной структуры. Толщина слоя 2...

Устройство управления мощным полевым транзистором

Загрузка...

Номер патента: 2938

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Флейтух Сергей Григорьевич, Шумило Виктор Степанович, Занько Александр Фомич, Макрицкий Юрий Витольдович

МПК: H03K 17/20, H03K 17/687, H03K 17/08...

Метки: полевым, мощным, транзистором, управления, устройство

Текст:

...и его включение, - в это время выключающий транзистор заперт импульсом, формируемым на вторичной обмотке трансформатора схемы коммутации, служащей для выключения, что соответствует логическому состоянию 1 и 0 генераторов пусковых импульсов. При смене их логических состояний выключающий транзистор открывается и происходит разряд входной емкости мощного полевого транзистора. В данной схеме управления масса и габариты управляющих...

Устройство индукционного нагрева (варианты)

Загрузка...

Номер патента: 3028

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Флейтух Сергей Григорьевич, Макрицкий Юрий Витольдович, Шумило Виктор Степанович, Занько Александр Фомич

МПК: H05B 6/08, H05B 6/12

Метки: варианты, устройство, нагрева, индукционного

Текст:

...относительно оси силового блока, проходящей через центр 3028 1 индуктора, накопительный конденсатор выполнен в виде сборки из 2 конденсаторов, где 2, расположенных радиально-симметрично относительно оси силового блока и соединенных шинами по замкнутому контуру, симметричному оси силового блока, к шинам, соединяющим накопительные конденсаторы, подключены свободные выводы последовательно соединенных коммутаторов и конденсаторов так, что...

Индуктор для кухонной индукционной электроплиты (варианты)

Загрузка...

Номер патента: 2863

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Занько Александр Фомич, Макрицкий Юрий Витольдович, Флейтух Сергей Григорьевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H05B 6/44, H05B 6/40

Метки: индукционной, электроплиты, варианты, кухонной, индуктор

Текст:

...по днищу кухонной посуды, располагаемой над индуктором. Поставленная цель достигается тем, что в индукторе для кухонной индукционной электроплиты, содержащем, где 4, ферритовых сердечников П-образной формы, на ножках которых расположены индукционные катушки, выполненные из многожильного провода типа литцендрата и намотанные в обратном направлении, причем все катушки соединены последовательно, а кухонная посуда располагается над полюсами...

Устройство индукционного нагрева

Загрузка...

Номер патента: 2864

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Занько Александр Фомич, Макрицкий Юрий Витольдович, Шумило Виктор Степанович, Флейтух Сергей Григорьевич

МПК: H02M 1/16, H05B 6/02

Метки: устройство, индукционного, нагрева

Текст:

...сквозного тока, например, при включении питающего напряжения и логической схемы запуска, во время настройки или когда установлено недостаточное время задержки, либо когда перепад напряжения на переключающем элементе имеет скорость нарастания близкую к предельно допустимому значению. Целью изобретения является получение задержки включения анодного тока относительно спада напряжения на переключающем элементе. Поставленная цель...

Индуктор для кухонной индукционной электроплиты

Загрузка...

Номер патента: 2641

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Макрицкий Юрий Витольдович, Занько Александр Фомич

МПК: H05B 6/44, H05B 6/40

Метки: электроплиты, индукционной, кухонной, индуктор

Текст:

...3 см плотность тепловой энергии примерно равна 0,63 от максимума.Известна индукционная нагревательная катушка, содержащая спираль из многожильного провода, выполненная в виде, по меньшей мере, трех секций концентрически расположенных одна в другой, причем все секции намотаны в одну сторону, соединены последовательно и имеют шаг намотки внутренних секций, расположенных между крайними внешней и центральной, превышающий шаг намотка/т крайних...