Шинеллер Бернд

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Яблонский Геннадий Петрович, Луценко Евгений Викторович, Шуленков Алексей Серафимович, Хойкен Михаель, Стогний Александр Иванович, Шинеллер Бернд

МПК: H01L 21/28, H01L 33/00, H01L 21/283...

Метки: эпитаксиальному, прозрачного, омического, p-gan, контакта, изготовления, слою, способ

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...