Шинеллер Бернд

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Шуленков Алексей Серафимович, Стогний Александр Иванович, Шинеллер Бернд, Луценко Евгений Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Хойкен Михаель

МПК: H01L 21/283, H01L 33/00, H01L 21/28...

Метки: эпитаксиальному, омического, p-gan, контакта, прозрачного, изготовления, слою, способ

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...