Шинеллер Бернд

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Стогний Александр Иванович, Шинеллер Бернд, Хойкен Михаель, Луценко Евгений Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Шуленков Алексей Серафимович

МПК: H01L 21/28, H01L 33/00, H01L 21/283...

Метки: прозрачного, p-gan, эпитаксиальному, контакта, способ, слою, омического, изготовления

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...