Шикуло Владимир Евгеньевич

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Ефименко Сергей Афанасьевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Малый Игорь Васильевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/77, H01L 27/04

Метки: микросхемы, кремниевой, изготовления, способ, интегральной

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Система определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки

Загрузка...

Номер патента: U 9421

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Мадвейко Сергей Игоревич, Бордусов Сергей Валентинович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Достанко Анатолий Павлович, Полыко Валерий Владимирович, Цивако Алексей Александрович

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмохимической, свч, проведения, оптимального, процессов, обработки, плазмообразующей, система, определения, среды, давления

Текст:

...зависимости для процесса удаления фоторезистивных покрытий с поверхности кремниевых подложек в атмосфере 2. Результаты исследований были положены в основу разработанной системы определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки материалов. Аналоги описываемой полезной модели представлены в 3, 4, 5. По своей технической сущности и достигаемому техническому результату к...

Полевой транзистор с плавающим затвором

Загрузка...

Номер патента: U 9208

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Алиева Наталья Васильевна, Трусов Виктор Леонидович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 29/788

Метки: плавающим, транзистор, затвором, полевой

Текст:

...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Сенько Сергей Федорович, Хмыль Александр Александрович, Алиева Наталья Васильевна, Емельянов Антон Викторович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 29/94

Метки: конденсатор, интегральных, микросхем

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, загрязнений, удаления, поверхности, полимерных, состав

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: микросхем, металло-кремнийорганических, изготовлении, полимерных, состав, удаления, кремниевых, остатков, интегральных

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Фильтрующее устройство

Загрузка...

Номер патента: U 1983

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Плескачевский Юрий Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Станкевич Виктор Михайлович, Селькин Владимир Петрович, Гракович Петр Николаевич

МПК: B01D 29/05

Метки: фильтрующее, устройство

Текст:

...элементом и выходным отверстием напротив выходного отверстия, согласно полезной модели, опорный перфорированный диск содержит неперфорированный участок, расположенный напротив выходного отверстия, причем проекция перфорированного участка на плоскость, на которой расположено выходное отверстие, перекрывает площадь выходного отверстия, кроме того, входное и выходное отверстия располагают на одной оси.На фиг. 1 изображено фильтрующее...