Шелег Александр Устинович

Способ получения соединения CuAl5S8

Загрузка...

Номер патента: 18174

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Шелег Александр Устинович, Соболь Валерий Романович, Мянзелен Руслан Равильевич, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/46

Метки: получения, cual5s8, соединения, способ

Текст:

...состоящую из химических элементов меди, алюминия и серы, для предотвращения взаимодействия алюминия с материалом ампулы загружали в тигель из нитрида бора и помещали его в кварцевой ампуле. После загрузки ампулу вакуумировали, запаивали и размещали в вертикальную печь сопротивления, изготовленную таким образом,что на ее протяжении существует температурный градиент более 20 и не более 30 /см. После этого с целью получения однородного...

Электронный датчик гидростатического давления

Загрузка...

Номер патента: 17572

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Камилов Ибрагимхан Камилович, Шелег Александр Устинович, Нестерук Юлия Александровна, Арсланов Расул Качалаевич, Сайпулаева Луиза Абдурахмановна, Моллаев Ахмедбек Юсуфович, Трухан Владимир Михайлович

МПК: G01L 9/00

Метки: давления, электронный, гидростатического, датчик

Текст:

...на сапфире. Недостатком прототипа является сложность конструкции и невысокая точность измерения, отсутствие конкретных значений измеряемых давлений - указаны только верхние пределы, которые находятся в интервале давлений от 0,03 кПа до 1000 МПа. Задача, решаемая настоящим изобретением, состоит в измерении гидростатического давления с высокой точностью в интервале от 0 до 7 ГПа, расширении номенклатуры материалов, применяемых в чувствительных...

Поляризатор излучения света в ближней ИК-области спектра

Загрузка...

Номер патента: 16496

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Трухан Владимир Михайлович

МПК: G02F 1/01, G02B 5/30

Метки: спектра, ближней, света, излучения, ик-области, поляризатор

Текст:

...3,030 3,010 2,973 2,960 2,947 2,943 2,940 2,937 2,935 2,930 2,920 2,920 0 0,738 0,742 0,744 0,748 0,751 0,753 0,754 0,755 0,756 0,757 0,758 0,759 0,760 0,761 е 3,000 2,960 2,940 2,920 2,900 2,890 2,880 2,870 2,873 2,868 2,863 2,858 2,853 2,848 е 0,751 0,756 0,758 0,760 0,761 0,762 0,763 0,764 0,765 0,766 0,767 0,768 0,769 0,770 Из приведенных в табл. 1 и на фиг. 1 сравнительных характеристик показателей преломления обыкновенного и...

Полупроводниковый материал

Загрузка...

Номер патента: 16032

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Шелег Александр Устинович, Корзун Борис Васильевич, Желудкевич Александр Ларионович

МПК: C30B 29/46

Метки: полупроводниковый, материал

Текст:

...определяли по знаку термо-э.д.с. Примеры конкретного получения нового полупроводникового материала. Пример 1. Для получения нового полупроводникового материала 1-1,99-(1-) с атомарной долей галлия 0,20 и недостатком серы 0,05, что соответствует составу 0,200,801,95, в кварцевую ампулу внутренним диаметром 28 мм и длиной 160 мм загружали шихту, содержащую механическую смесь химических элементов, ат. доля -0,2532,- 0,0506,- 0,2025,- 0,4937....

Способ получения гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 23/06, C01G 28/00, C30B 29/10...

Метки: полупроводниковых, способ, гетероструктуры, получения, материалов, основе

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Способ получения полупроводникового соединения со структурой халькопирита CuAlTe2

Загрузка...

Номер патента: 14710

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Шелег Александр Устинович, Фадеева Елена Александровна, Соболь Валерий Романович

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00

Метки: полупроводникового, cualte2, соединения, структурой, получения, способ, халькопирита

Текст:

...2 происходит в результате гетерогенной реакции между твердой фазой состава (2)0,97(23)0,03(первичные выпавшие кристаллы) и жидкостью состава (2)0,40(23)0,60 2. Учитывая, что такие реакции протекают очень медленно, то для получения гомогенных образцов соединения со структурой халькопирита 2 необходимо использовать высокие температуры (1000 К) и длительное время отжига (10 суток). Задачей настоящего изобретения является сокращение времени...

Способ получения феррита висмута

Загрузка...

Номер патента: 12467

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Соболь Валерий Романович, Корзун Борис Васильевич, Волчик Татьяна Владимировна, Шелег Александр Устинович

МПК: C01G 29/00, C30B 29/10, C04B 35/26...

Метки: висмута, феррита, способ, получения

Текст:

...(состав 1,740,263). При дальнейшем охлаждении кристаллизация 3 идет без перитектического превращения, хотя и с незначительным отклонением от стехиометрического состава 3. Примеры конкретного применения способа получения феррита висмута. Пример 1 Рассчитывали, взвешивали и гомогенизировали навеску общей массой 20 г, необходимую для получения феррита висмута, исходя из того, что шихта содержит оксиды 23 и 23 в соотношении, соответствующем...

Дефлектор лазерного луча

Загрузка...

Номер патента: 12388

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Голякевич Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович

МПК: G02F 1/29

Метки: лазерного, луча, дефлектор

Текст:

...угла отклонения оптического луча, снижении потребляемой электрической мощности, расширении оптического диапазона частот отклоняемых оптических лучей. В заявляемом дефлекторе решение этой задачи достигается тем, что в известном дефлекторе монокристаллический активный элемент выполнен из дифосфида цинка или кадмия тетрагональной модификации с термически индуцированным в пространстве и во времени градиентом показателя преломления, при этом угол...

Способ получения монокристалла диарсенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 11173

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Шелег Александр Устинович, Трухан Владимир Михайлович, Голякевич Татьяна Васильевна

МПК: C30B 11/00

Метки: диарсенида, цинка, монокристалла, способ, получения

Текст:

...мышьяка, причем процесс синтеза и выращивания 2 ведут в вакуумированных до 10-3 Па кварцевых ампулах с коническим дном, в которые помещают исходные материалы цинк, мышьяк и дополнительную навеску мышьяка, рассчитанную на свободный объем ампулы. Откаченную и отпаянную графитизированную кварцевую ампулу помещают в двухтемпературную печь сопротивления с регулятором температуры(РИФ-101) и поднимают температуру до 600 С, и выдерживают ее в течение...

Способ получения монокристалла дифосфида кадмия тетрагональной модификации

Загрузка...

Номер патента: 11194

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Голякевич Татьяна Васильевна

МПК: C30B 23/00

Метки: способ, получения, монокристалла, тетрагональной, кадмия, модификации, дифосфида

Текст:

...2 11194 1 2008.10.30 тижения температуры кристаллизации 990-1000 К и температуры испарения 996-1009 К ампулу начинают перемещать вдоль оси печи со скоростью 0,6-0,8 мм/ч, равной скорости роста монокристалла. Процесс выращивания ведут 80-100 ч. После окончания выращивания монокристаллов (2)т понижают температуру в зоне кристаллизации до 830-850 К и выдерживают в течение 72 ч, после чего печь выключают. Температурные и временные режимы...

Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации

Загрузка...

Номер патента: 10304

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Голякевич Татьяна Васильевна, Мица Александр Владимирович, Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович, Фекешгази Иштван Винцеевич

МПК: G02B 5/28, G02B 1/10

Метки: двухкомпонентное, покрытие, оптического, дифосфида, модификации, кадмия, монокристаллического, ахроматическое, элемента, тетрагональной, просветляющее

Текст:

...луча и от 3,35 до 3,00 для необыкновенного луча, которая обеспечила повышение пропускания оптических элементов из 2(т) до уровня свыше 99,90 в диапазоне от 550 до 1100 нм. Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации, содержащее четыре чередующихся слоя с низким и высоким показателями преломления из диоксида кремния и диоксида циркония...

Индикатор ионизирующего излучения

Загрузка...

Номер патента: U 4153

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Шелег Александр Устинович, Ячковский Андрей Янович

МПК: G01T 1/00

Метки: индикатор, ионизирующего, излучения

Текст:

...(2), фтористым кальцием(2( или боратом лития (247(М, которые легированы марганцем. Регистрация ИИ осуществляется по наличию люминесцирующего свечения при нагревании. Недостатком такого индикатора является небольшая интенсивность свечения люминофора, что приводит к необходимости использования дополнительной регистрирующей аппаратуры, а также достаточно высокие температуры. Среди некоторых наиболее используемых фосфоров температуры...