Рубан Геннадий Иосифович

Способ получения пленок металлооксидных высокотемпературных сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 358

Опубликовано: 30.03.1995

Авторы: Свиридович Олег Григорьевич, Точицкий Эдуард Иванович, Рубан Геннадий Иосифович

МПК: C23C 14/28

Метки: металлооксидных, пленок, получения, сверхпроводников, способ, высокотемпературных

Текст:

...на атомах вподложке. я двухступенчатый напуск кислорода впленки необходимдля обеспечения 1) фа- .зового перехода тетрагональной структуры в орторомбическую и 2) насыщения этой фазы кислородом до оптимальной величины т с определеннымсодержанием и упорядочением -в кислородной подсистеме- ортором бической фазы. При давлении-г кислородаболее 133 па и менее 40 Па на первом этапепленки при этому наблюдается также нео днородность состава пленки...

Устройство для нанесения покрытий в вакууме

Загрузка...

Номер патента: 360

Опубликовано: 30.03.1995

Авторы: Буравцев А. Т., Рубан Геннадий Иосифович, Точицкий Эдуард Иванович, Обухов В. Е.

МПК: C23C 14/26

Метки: нанесения, устройство, вакууме, покрытий

Текст:

...каналов уменьшаются к периферии формирователя. Удлиненные стенки центральных КЗНЗЛОБ ОТКЛОНЯЮТ часть потока к периферии подложки. Повышение козффициента использования-материала покрытия обеспечивается за сиет 25 того, что каналы формирователя фонусируют поток пара в основном на подложку, а Не вне ее.КОГДЗ ОСИ КЗНЭПОВ направлены В зону подложкодержателя, расположеннуюзо на расстоянии ближе 0,63 от его цент ра, то перекрытие потоков пара...