Пушкарев Анатолий Васильевич

Способ получения полупроводниковых твердых растворов

Загрузка...

Номер патента: 17457

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Олехнович Николай Михайлович, Корзун Борис Васильевич, Желудкевич Александр Ларионович, Пушкарев Анатолий Васильевич

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46

Метки: полупроводниковых, получения, твердых, способ, растворов

Текст:

...твердых растворов на основе тройных соединений 2 и 2 заключается в следующем. Вначале подготавливают шихту заданного состава с 00,15 из предварительно полученных тройных соединений 2 и 2. Шихту гомогенизируют в шаровой мельнице. После этого шихту запрессовывают в таблетки, помещают в камеру высокого давления и подвергают термобарической обработке в течение 3-20 мин при давлении 4-6 ГПа и температуре 9701270 . Далее таблетки извлекают из...

Шихта для получения термостабильного соединения со структурой перовскита на основе феррита висмута

Загрузка...

Номер патента: 14218

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Олехнович Николай Михайлович, Радюш Юрий Владимирович, Пушкарев Анатолий Васильевич

МПК: C04B 35/26, C01G 29/00, C30B 29/10...

Метки: перовскита, структурой, феррита, термостабильного, получения, соединения, шихта, висмута, основе

Текст:

...основе оксидов висмута, магния и ниобия. При введении в шихту, состоящую из оксидов висмута и железа, дополнительно оксидов магния и ниобия в соотношении, соответствующем формуле (2/31/3)3, выше предела растворимости (2/31/3)3 в перовскитной кристаллической решетке феррита висмута в конечном продукте образуются дополнительные фазы на основе висмута магния и ниобия с флюоритоподобной кристаллической структурой (или) со структурой пирохлора....

Сегнетоэлектрический керамический материал

Загрузка...

Номер патента: 10867

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Радюш Юрий Владимирович, Олехнович Николай Михайлович, Мороз Иван Иванович, Пушкарев Анатолий Васильевич

МПК: C04B 35/462, H01B 3/12, H01G 4/12...

Метки: материал, сегнетоэлектрический, керамический

Текст:

...сегнетоэлектрический керамический материал получают по обыкновенной керамической технологии. Заданного состава смесь порошков исходных реактивов после ее помола подвергают обжигу при температуре 700-800 С в течение 4-5 ч и затем при температуре 900-1000 С в течение 3-4 ч с промежуточным помолом продукта первого обжига. Продукт после второго обжига измельчают и из полученного порошка спекают керамический материал при температуре 1100-1200 С в...

Способ получения керамического композиционного материала сегнетоэлектрик-феррит

Загрузка...

Номер патента: 10176

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Мороз Иван Иванович, Пушкарев Анатолий Васильевич, Олехнович Николай Михайлович, Радюш Юрий Владимирович

МПК: C04B 35/26, C04B 35/645

Метки: способ, керамического, композиционного, получения, сегнетоэлектрик-феррит, материала

Текст:

...исходной смеси порошков, и не содержит дополнительных фаз. Керамический композиционный материал сегнетоэлектрик-феррит, получаемый по заявляемому способу, проявляет соответствующие диэлектрические и магнитные свойства. Заявляемое техническое решение иллюстрируется на примере получения следующих керамических композиционных материалов титанат бария-магний-никель-цинковый феррит (3-0,270,310,4224), магний ниобат-цирконат...

Сегнетоэлектрический керамический материал

Загрузка...

Номер патента: 10086

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Олехнович Николай Михайлович, Пушкарев Анатолий Васильевич, Мороз Иван Иванович, Радюш Юрий Владимирович

МПК: C04B 35/462, H01G 4/12, H01B 3/12...

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

Текст:

...проницаемости. Поставленная задача решается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал на основе титаната бария (ВаТ 3) дополнительно содержит ниобат лития (3). Состав материала определяется формулой (3)1(3). Оптимальная величина молярной доли 3 в конечном продукте лежит в пределах 0,01 х 0,20. В качестве исходной шихты используют смесь порошков ВаТ 3 и 3 при молярной доле 3, лежащей в указанных пределах. Способ...