Пуцята Владимир Михайлович

Высоковольтный быстродействующий диод

Загрузка...

Номер патента: 16468

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Сарычев Олег Эрнстович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Пуцята Владимир Михайлович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: быстродействующий, высоковольтный, диод

Текст:

...функцию резистивной полевой обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии наблюдаются существенные внутренние механические напряжения, которые могут привести...

Многослойное пассивирующее покрытие для высоковольтных полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Пуцята Владимир Михайлович

МПК: H01L 21/02

Метки: покрытие, приборов, многослойное, пассивирующее, высоковольтных, полупроводниковых

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...