Пшенко Анатолий Николаевич

Способ измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре

Загрузка...

Номер патента: 8857

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Пшенко Анатолий Николаевич, Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: дозы, ионов, способ, измерения, имплантированной, полупроводниковой, структуре

Текст:

...и масс-спектрального рабочего диапазона.Поставленная задача достигается тем, что в способе измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре, включающем формирование на полупроводни шахковой подложке тестового элемента полевого типа, содержащего Контактные площадки истока И стока для зондовь 1 х измерений электрофизической характеристики тестового элемента в зависимости от приложенного К нему электрического...