Пшеничный Евгений Николаевич

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Трусов Виктор Леонидович, Пшеничный Евгений Николаевич, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C23C 16/56, H01L 21/205, C23C 16/30...

Метки: пленок, фосфором, легированных, кремния, осаждения, способ

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Способ формирования нанокристаллов германия Ge для энергонезависимой памяти

Загрузка...

Номер патента: 17081

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Новиков Андрей Геннадьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Гайдук Петр Иванович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/44, H01L 21/336

Метки: энергонезависимой, памяти, нанокристаллов, формирования, германия, способ

Текст:

...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...

Способ осаждения тонких пленок SiGe

Загрузка...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Комаров Фадей Фадеевич, Солодуха Виталий Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: C23C 16/30, H01L 21/205

Метки: осаждения, способ, пленок, тонких

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Устройство подачи паров жидкого вещества в реактор установки химического осаждения из газовой фазы

Загрузка...

Номер патента: 11859

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Сидерко Александр Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич, Плебанович Владимир Иванович

МПК: F24H 9/02, B01F 03/04, G05D 23/00...

Метки: установки, осаждения, устройство, вещества, фазы, жидкого, реактор, газовой, подачи, паров, химического

Текст:

...использование резервуара меньшей емкости (например, 5 литров или менее). Использование обогреваемого трубопровода для подачи паров жидкого вещества в реактор технологической установки позволяет исключить конденсацию паров и засорение трубопровода. Для исключения конденсации паров внутри трубопровода необходимо обеспечить нагрев трубопровода до температуры на 2-5 С выше температуры паров жидкого вещества. Использование измерителя потока паров...

Способ получения пленки борофосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 4154

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: Смагин Дмитрий Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Сидерко Александр Александрович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/316

Метки: получения, способ, стекла, пленки, борофосфоросиликатного

Текст:

...При температуре испарителя с ТЭОС выше 70 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре испарителя с ДМФ ниже 20 С не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления ДМФ. При температуре испарителя с ДМФ выше 35 С в реактор подается избыточное количество паров ДМФ и суммарная концентрация бора и фосфора превышает 10 вес. , кроме того, повышается...

Способ осаждения пленок фосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 3924

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Наливайко Олег Юрьевич, Буслов Игорь Иванович, Пшеничный Евгений Николаевич, Смагин Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, пленок, способ, фосфоросиликатного, стекла

Текст:

...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...