Портнов Лев Яковлевич

Способ изготовления системы металлизации полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: системы, способ, изготовления, металлизации, полупроводникового, прибора

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Способ нанесения пленки молибдена на полупроводниковые подложки

Загрузка...

Номер патента: 9957

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Портнов Лев Яковлевич, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Баранов Валентин Владимирович

МПК: C23C 14/35, C23C 14/34

Метки: способ, молибдена, подложки, нанесения, пленки, полупроводниковые

Текст:

...подложке и ухудшению стабильности ее структуры и воспроизводимости электрофизических свойств, снижению выхода годных ИСМЭ. Мощность магнетронного разряда однозначно определяет скорость нанесения пленки,а, следовательно, ее структуру и электрофизические свойства. При мощности распыления менее 0,7 кВт наблюдается увеличение растягивающих механических напряжений, что приводит к ухудшению адгезии пленок, а, следовательно, стабильности их...

Металлизация полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Портнов Лев Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/482, H01L 23/48, H01L 21/60...

Метки: прибора, полупроводникового, металлизация

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: способ, кристаллодержателю, присоединения, полупроводникового, кристалла, прибора, кремниевого

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...