Пономарь Владимир Николаевич

Способ контроля механических напряжений в кремниевой структуре пленка SiO2–подложка Si

Загрузка...

Номер патента: 10215

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Пономарь Владимир Николаевич

МПК: H01L 21/66, G01L 1/25

Метки: контроля, пленка sio2–подложка si, напряжений, структуре, способ, кремниевой, механических

Текст:

...плотность интерференционных линий вне зависимости от ориентации сторон сосредоточена в углах окна. В случае круглого окна в каждой его точке создаются равные условия формирования интерференционной картины, зависящие только от действительных значений напряжений в данном азимутальном направлении. Выбор радиального направления для определения относительного удлинения отделенной от подложки пленки обусловлен тем, что только это удлинение...

Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от статического электричества

Загрузка...

Номер патента: 4988

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич, Шведов Сергей Васильевич, Силин Анатолий Васильевич, Усов Геннадий Иванович, Пономарь Владимир Николаевич

МПК: H01L 29/06

Метки: защиты, моп, интегральной, транзистора, выходного, схемы, элемент, электричества, статического

Текст:

...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...

Интегральная схема

Загрузка...

Номер патента: 2817

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Силин Анатолий Васильевич, Кавриго Николай Федорович, Пономарь Владимир Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 23/053

Метки: интегральная, схема

Текст:

...Коэффициент теплового расширения материала прокладки 7 превышает коэффициент теплового расширения кристалла 3 не более, чем на 20 . Прокладка 7 (фиг. 2) выполнена в форме прямоугольной пластины, и содержит сквозные отверстия 8 переменного сечения, расположенные большим сечением в сторону основания 1, центры которых отстоят друг от друга на расстоянии а (фиг. 2) вдоль сторон прокладки, где а 1,0-1,2 мм,2 диаметр большего сечения отверстия 8...

Способ создания металлизации полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 2823

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Пилипенко Владимир Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Пономарь Владимир Николаевич, Чигирь Григорий Григорьевич

МПК: H01L 21/324

Метки: схем, приборов, создания, полупроводниковых, способ, металлизации, интегральных

Текст:

...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...