Плебанович Владимир Иванович

Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния

Загрузка...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Челядинский Алексей Романович, Васильев Юрий Борисович, Оджаев Владимир Борисович, Турцевич Аркадий Степанович, Садовский Павел Кириллович, Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерного, пластине, кремния, способ, слоя, формирования

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Способ регенерации раствора ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 14499

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Карпович Дмитрий Викторович, Кисель Анатолий Михайлович, Вечер Дмитрий Вячеславович, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна

МПК: C23F 1/46

Метки: раствора, способ, кислоты, ортофосфорной, регенерации

Текст:

...Регенерация раствора ортофосфорной кислоты выполнялась путем периодической подачи воды в отработанный раствор, охлажденный до температуры (905) С и непрерывно циркулирующий в течение 2-2,5 ч. Затем производился нагрев восстановленного раствора 34 до температуры (1605) С и выполнялся процесс травления пленки нитрида кремния. Результаты представлены в табл. 3. Пример 4. Для проведения регенерации по заявляемому способу был выбран...

Материал для тонкопленочного омического контакта к кремнию

Загрузка...

Номер патента: 13808

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Колос Светлана Валентиновна, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 23/48, C22C 19/05

Метки: тонкопленочного, материал, контакта, омического, кремнию

Текст:

...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...

Состав для травления пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/02

Метки: травления, состав, поликристаллического, пленок, кремния

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Устройство подачи паров жидкого вещества в реактор установки химического осаждения из газовой фазы

Загрузка...

Номер патента: 11859

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Сидерко Александр Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич, Плебанович Владимир Иванович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: F24H 9/02, B01F 03/04, G05D 23/00...

Метки: реактор, устройство, установки, фазы, подачи, газовой, химического, жидкого, вещества, паров, осаждения

Текст:

...использование резервуара меньшей емкости (например, 5 литров или менее). Использование обогреваемого трубопровода для подачи паров жидкого вещества в реактор технологической установки позволяет исключить конденсацию паров и засорение трубопровода. Для исключения конденсации паров внутри трубопровода необходимо обеспечить нагрев трубопровода до температуры на 2-5 С выше температуры паров жидкого вещества. Использование измерителя потока паров...

Состав для проявления позитивного фоторезиста

Загрузка...

Номер патента: 11541

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Бахматова Надежда Андреевна

МПК: G03F 7/32

Метки: состав, проявления, фоторезиста, позитивного

Текст:

...бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетные массы гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля 4000 и высыпать в транспортную емкость. 2.4. Перемешать полученный состав. Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами. Для приготовления заявляемого состава были взяты различные концентрации гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля...

Способ очистки отборника проб деионизованной воды, выполненного в виде гибкой поливинилхлоридной трубки

Загрузка...

Номер патента: 11521

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: B08B 11/00

Метки: отборника, гибкой, виде, поливинилхлоридной, воды, проб, деионизованной, способ, трубки, очистки, выполненного

Текст:

...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...

Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7

Загрузка...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, C09K 13/00

Метки: поверхности, качества, способ, ph больше 7, контроля, растворе, полупроводниковой, пластины, очистки, кремниевой, химической

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48, H01L 23/52...

Метки: металлизации, способ, приборов, полупроводниковых, изготовления, системы, кремниевых

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Способ контроля качества поверхности изделия

Загрузка...

Номер патента: 10214

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: изделия, поверхности, качества, контроля, способ

Текст:

...областью в виде квадратного фрагмента размером . Фактический диаметр изображения всей поверхности пластины составляет 200 мм (1000 мм, т.е./2), фактический размер изображения фрагмента, т.е.40 мм (примечание в данном случае при печати все размеры несколько уменьшены). На фиг. 3 приведен упомянутый выделенный фрагмент изображения поверхности пластины с разделением его на четыре равных элемента размером , с усреднением яркости изображения...

Способ контроля качества поверхности изделия

Загрузка...

Номер патента: 10213

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: контроля, поверхности, способ, изделия, качества

Текст:

...таких поверхностей лучшую планаризацию. Материалы разных слоев покрытия также могут быть разными. Шероховатость поверхностей, используемых в изделиях микроэлектроники, оптики,точного машиностроения и др. областей науки и техники, где наличие дефектов поверхности является одним из показателей ее качества, соответствует преимущественно 6-14 классам. Поверхности 13-го и 14-го класса шероховатости являются зеркальными. Для контроля их качества...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Плебанович Владимир Иванович

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: кремниевых, интегральных, микросхем, металло-кремнийорганических, полимерных, остатков, удаления, состав, изготовлении

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Турыгин Анатолий Викторович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: поверхности, химической, очистки, основе, пленок, алюминия, состав

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...