Петлицкая Татьяна Владимировна

Способ создания окисной пленки на поверхности полупроводниковой либо металлической подложки

Загрузка...

Номер патента: 14296

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Витязь Петр Александрович, Петлицкая Татьяна Владимировна, Пилипенко Владимир Александрович, Ковалева Светлана Анатольевна, Жорник Виктор Иванович

МПК: C25D 11/02, B82B 3/00

Метки: поверхности, металлической, способ, создания, полупроводниковой, либо, окисной, подложки, пленки

Текст:

...например монокристаллического кремния, эпитаксиальные пленки кремния, а также поликристаллический кремний, алюминий и др. Сущность изобретения поясняется прилагаемыми фигурами. Фиг. 1 - блок-схема для реализации предлагаемого способа на основе атомно-силового микроскопа (АСМ). Фиг. 2 - АСМ 3 - изображение топографии поверхности монокристаллического кремния КДБ-12 (111) с локальной окисной пленкой, полученной после первого этапа сканирования...