Петлицкая Татьяна Владимировна

Способ создания окисной пленки на поверхности полупроводниковой либо металлической подложки

Загрузка...

Номер патента: 14296

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Ковалева Светлана Анатольевна, Петлицкая Татьяна Владимировна, Пилипенко Владимир Александрович, Витязь Петр Александрович, Жорник Виктор Иванович

МПК: B82B 3/00, C25D 11/02

Метки: поверхности, создания, пленки, подложки, способ, металлической, окисной, полупроводниковой, либо

Текст:

...например монокристаллического кремния, эпитаксиальные пленки кремния, а также поликристаллический кремний, алюминий и др. Сущность изобретения поясняется прилагаемыми фигурами. Фиг. 1 - блок-схема для реализации предлагаемого способа на основе атомно-силового микроскопа (АСМ). Фиг. 2 - АСМ 3 - изображение топографии поверхности монокристаллического кремния КДБ-12 (111) с локальной окисной пленкой, полученной после первого этапа сканирования...