Наливайко Олег Юрьевич

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: C23C 16/30, C23C 16/56, H01L 21/205...

Метки: способ, пленок, фосфором, легированных, кремния, осаждения

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Ефименко Сергей Афанасьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Малый Игорь Васильевич

МПК: H01L 27/04, H01L 21/77

Метки: интегральной, изготовления, кремниевой, микросхемы, способ

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Способ формирования нанокристаллов германия Ge для энергонезависимой памяти

Загрузка...

Номер патента: 17081

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Гайдук Петр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Новиков Андрей Геннадьевич

МПК: H01L 21/44, H01L 21/336

Метки: энергонезависимой, памяти, способ, формирования, нанокристаллов, германия

Текст:

...объясняется следующим образом. Ограничивающим фактором при производстве приборов с плавающим затвором из массива нанокристаллов является управление плотностью, размерами, площадью покрытия и однородностью нанокристаллов в пределах структуры плавающего затвора. Для оп 3 17081 1 2013.04.30 тимальной работы прибора желательно иметь плотность нанокристаллов 51010-1012 см-2,при этом средний размер нанокристаллов должен составлять 5-20 нм...

Способ осаждения тонких пленок SiGe

Загрузка...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Комаров Фадей Фадеевич, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/205, C23C 16/30

Метки: пленок, осаждения, способ, тонких

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Способ химического осаждения из газовой фазы пленок вольфрама

Загрузка...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Сидерко Александр Александрович, Каленик Вера Ивановна, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C23C 16/14, H01L 21/285

Метки: осаждения, фазы, вольфрама, способ, пленок, химического, газовой

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Емельянов Виктор Андреевич, Соловьев Ярослав Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович

МПК: C23C 16/455, B05D 5/12, H01L 21/02...

Метки: поликристаллического, полуизолирующего, осаждения, пленки, кремния, способ

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Устройство подачи паров жидкого вещества в реактор установки химического осаждения из газовой фазы

Загрузка...

Номер патента: 11859

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Сидерко Александр Александрович, Плебанович Владимир Иванович, Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: B01F 03/04, G05D 23/00, F24H 9/02...

Метки: подачи, паров, газовой, установки, вещества, устройство, реактор, фазы, химического, жидкого, осаждения

Текст:

...использование резервуара меньшей емкости (например, 5 литров или менее). Использование обогреваемого трубопровода для подачи паров жидкого вещества в реактор технологической установки позволяет исключить конденсацию паров и засорение трубопровода. Для исключения конденсации паров внутри трубопровода необходимо обеспечить нагрев трубопровода до температуры на 2-5 С выше температуры паров жидкого вещества. Использование измерителя потока паров...

Способ получения пленки борофосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 4154

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Сидерко Александр Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Смагин Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/316

Метки: пленки, борофосфоросиликатного, способ, получения, стекла

Текст:

...При температуре испарителя с ТЭОС выше 70 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре испарителя с ДМФ ниже 20 С не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления ДМФ. При температуре испарителя с ДМФ выше 35 С в реактор подается избыточное количество паров ДМФ и суммарная концентрация бора и фосфора превышает 10 вес. , кроме того, повышается...

Способ осаждения пленок фосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 3924

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Буслов Игорь Иванович, Смагин Дмитрий Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/316

Метки: фосфоросиликатного, способ, пленок, осаждения, стекла

Текст:

...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...

Способ изготовления обкладки конденсатора из поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 3148

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Красницкий Василий Яковлевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, конденсатора, обкладки, поликристаллического, способ, изготовления

Текст:

...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...

Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 2883

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Сосновский Владимир Арестархович, Макаревич Игорь Иванович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, пленки, фосфоросиликатного, стекла, способ

Текст:

...существенно снижается концентрация соединений фосфора на выхлопе реактора, что позволяет использовать скруббер без дожигания. В выбранном диапазоне температуры испарителя давление паров диметилфосфита составляет 1.812 мм рт. ст. При температуре испарителя ниже 20 С усложняется управление процессом по концентрации фосфора и не обеспечивается необходимая концентрация фосфора в пленке из-за резкого снижения парциального давления паров ДМФ....

Способ осаждения пленок фосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 2531

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Красницкий Василий Яковлевич, Тихонов Владимир Ильич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, пленок, способ, стекла, фосфоросиликатного

Текст:

...определяется именно этим соотношением. Поэтому контроль за содержанием фосфора в пленке предельно облегчается. Кроме того, так как не используется фосфин, то и уровень привносимой дефектности снижается и повышается однородность осаждаемых пленок по толщине, а также реализуется процесс осаждения фосфоросиликатного стекла без использования высокотоксичного фосфина. Дополнительным преимуществом является некоторое сокращение площади, занимаемой...

Способ осаждения пленки борофосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 2502

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Красницкий Василий Яковлевич, Захарик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Аношин Валерий Михайлович

МПК: H01L 21/316

Метки: способ, стекла, пленки, борофосфоросиликатного, осаждения

Текст:

...содержанием фосфора и бора в пленке предельно упрощается. Подача ДМФ и ТСМБ по дополнительной паре инжекторов с газом-носителем - азотом непосредственно в зону реакции позволяет подавить возможные реакции с образованием побочных продуктов, что подтвер 2 2502 1 ждается результатами эксперимента и, следовательно, повысить качество осаждаемых пленок БФСС за счет снижения уровня привносимой дефектности. При подаче ТМФ и ТСМБ по той же паре...

Способ получения пленок фосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 1612

Опубликовано: 30.03.1997

Авторы: Буляк Борис Николаевич, Сасновский Владимир Арестархович, Кабаков Михаил Михайлович, Наливайко Олег Юрьевич, Тихонов Владимир Ильич, Макаревич Игорь Иванович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316

Метки: стекла, пленок, получения, способ, фосфоросиликатного

Текст:

...легирования пленки фосфором по пластине и по загрузке и предотвращает образование в газовой фазе не только частиц 2, но и Н 2 О 4, Р 25, Р 23, что обеспечивает преимущественное образование Р 25 уже непосредственно на подложке без осаждения на нее частиц Р 25, Р 23 из газовой фазы, приводящего к локальным неоднородностям легирования пленки фосфором. Выбор отношения объемных потоков 3/4 и объемного потока аммиака сделан на основе...

Способ осаждения пленки борофосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 1613

Опубликовано: 30.03.1997

Авторы: Кабаков Михаил Михайлович, Корешков Геннадий Анатольевич, Наливайко Олег Юрьевич, Макаревич Игорь Иванович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316

Метки: способ, борофосфоросиликатного, стекла, пленки, осаждения

Текст:

...издержки производства. 1613 1 При температуре испарителя с ТЭОС выше 75 С повышаются расход ТЭОС и неоднородность толщины пленок. При температуре реактора ниже 650 С снижается скорость осаждения и повышаются издержки производства, а также ухудшается конформность воспроизведения топологического рельефа. При температуре реактора выше 750 С ухудшается управляемость процесса по толщине и концентрациям фосфора и бора. При температуре испарителя с...