Мороз Иван Иванович

Сегнетоэлектрический керамический материал

Загрузка...

Номер патента: 10867

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Пушкарев Анатолий Васильевич, Олехнович Николай Михайлович, Радюш Юрий Владимирович, Мороз Иван Иванович

МПК: H01G 4/12, H01B 3/12, C04B 35/462...

Метки: сегнетоэлектрический, керамический, материал

Текст:

...сегнетоэлектрический керамический материал получают по обыкновенной керамической технологии. Заданного состава смесь порошков исходных реактивов после ее помола подвергают обжигу при температуре 700-800 С в течение 4-5 ч и затем при температуре 900-1000 С в течение 3-4 ч с промежуточным помолом продукта первого обжига. Продукт после второго обжига измельчают и из полученного порошка спекают керамический материал при температуре 1100-1200 С в...

Способ получения керамического композиционного материала сегнетоэлектрик-феррит

Загрузка...

Номер патента: 10176

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Пушкарев Анатолий Васильевич, Олехнович Николай Михайлович, Мороз Иван Иванович, Радюш Юрий Владимирович

МПК: C04B 35/26, C04B 35/645

Метки: керамического, композиционного, способ, получения, сегнетоэлектрик-феррит, материала

Текст:

...исходной смеси порошков, и не содержит дополнительных фаз. Керамический композиционный материал сегнетоэлектрик-феррит, получаемый по заявляемому способу, проявляет соответствующие диэлектрические и магнитные свойства. Заявляемое техническое решение иллюстрируется на примере получения следующих керамических композиционных материалов титанат бария-магний-никель-цинковый феррит (3-0,270,310,4224), магний ниобат-цирконат...

Сегнетоэлектрический керамический материал

Загрузка...

Номер патента: 10086

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Радюш Юрий Владимирович, Олехнович Николай Михайлович, Мороз Иван Иванович, Пушкарев Анатолий Васильевич

МПК: H01B 3/12, H01G 4/12, C04B 35/462...

Метки: керамический, сегнетоэлектрический, материал

Текст:

...проницаемости. Поставленная задача решается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал на основе титаната бария (ВаТ 3) дополнительно содержит ниобат лития (3). Состав материала определяется формулой (3)1(3). Оптимальная величина молярной доли 3 в конечном продукте лежит в пределах 0,01 х 0,20. В качестве исходной шихты используют смесь порошков ВаТ 3 и 3 при молярной доле 3, лежащей в указанных пределах. Способ...