Медведева Анна Борисовна

Способ удаления фоторезиста после плазмохимического травления поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Цивако Алексей Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, B08B 3/02

Метки: плазмохимического, после, удаления, способ, кремния, поликристаллического, травления, фоторезиста

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/311

Метки: поликристаллического, интегральных, пленкой, кремния, микросхем, изготовлении, пластин, реставрации, способ

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Метки: кремния, пластины, монокристаллического, поверхности, качества, контроля, способ

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: B08B 3/12, H01L 21/02

Метки: окнах, микросхем, интегральных, изготовлении, полимера, удаления, способ, контактных

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, G05D 23/00, B08B 3/02...

Метки: аэрозольной, кремния, полупроводниковых, травления, очистке, пленки, химической, пластин, диоксида, способ

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ аэрозольного удаления фоторезиста и полимерных загрязнений с поверхности полупроводниковых кремниевых пластин после плазмохимического травления

Загрузка...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/30

Метки: удаления, фоторезиста, способ, загрязнений, травления, после, полимерных, поверхности, пластин, аэрозольного, плазмохимического, кремниевых, полупроводниковых

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: H01L 21/306

Метки: состав, удаления, поверхности, загрязнений, полимерных, кремния

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Способ струйной очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин с металлизированной разводкой на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/44, B08B 3/08

Метки: пластин, поверхности, разводкой, кремниевых, полупроводниковых, металлизированной, очистки, струйной, способ, основе, алюминия

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Способ регенерации раствора ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 14499

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Карпович Дмитрий Викторович, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Вечер Дмитрий Вячеславович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: C23F 1/46

Метки: способ, ортофосфорной, кислоты, раствора, регенерации

Текст:

...Регенерация раствора ортофосфорной кислоты выполнялась путем периодической подачи воды в отработанный раствор, охлажденный до температуры (905) С и непрерывно циркулирующий в течение 2-2,5 ч. Затем производился нагрев восстановленного раствора 34 до температуры (1605) С и выполнялся процесс травления пленки нитрида кремния. Результаты представлены в табл. 3. Пример 4. Для проведения регенерации по заявляемому способу был выбран...

Состав для травления пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/02

Метки: поликристаллического, кремния, состав, травления, пленок

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Состав для проявления позитивного фоторезиста

Загрузка...

Номер патента: 11541

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Бахматова Надежда Андреевна

МПК: G03F 7/32

Метки: позитивного, состав, фоторезиста, проявления

Текст:

...бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетные массы гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля 4000 и высыпать в транспортную емкость. 2.4. Перемешать полученный состав. Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами. Для приготовления заявляемого состава были взяты различные концентрации гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля...

Способ очистки отборника проб деионизованной воды, выполненного в виде гибкой поливинилхлоридной трубки

Загрузка...

Номер патента: 11521

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: B08B 11/00

Метки: воды, поливинилхлоридной, выполненного, гибкой, трубки, виде, очистки, отборника, способ, проб, деионизованной

Текст:

...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...

Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7

Загрузка...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: способ, очистки, полупроводниковой, кремниевой, контроля, растворе, химической, качества, ph больше 7, поверхности, пластины

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: состав, остатков, интегральных, изготовлении, кремниевых, металло-кремнийорганических, полимерных, микросхем, удаления

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Турыгин Анатолий Викторович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: пленок, состав, химической, поверхности, алюминия, очистки, основе

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 8580

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Кукреш Анна Брониславовна, Лысюк Анатолий Александрович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: C09K 13/08, H01L 21/306

Метки: раствора, приготовления, травления, способ, кремния, пленки, диоксида

Текст:

...слоты низкие и постоянно меняются, это приводит в известном способе приготовления раствора к низкой скорости травления пленки диоксида кремния и нестабильности скорости травления пленки диоксида кремния. В основу изобретения положена задача увеличения и стабилизации скорости травления пленки диоксида кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния включает смешивание...

Состав для регенерации травителя на основе ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 8579

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Гладкова Людмила Владимировна, Турыгин Анатолий Викторович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/306

Метки: состав, ортофосфорной, травителя, основе, регенерации, кислоты

Текст:

...автоматизированной установке 2.1. Рассчитать объем и массу компонентов для приготовления заданного объема состава, исходя из соотношения компонентов, указанного в формуле гексафторосиликат аммония 0,3-1,0 г/л вода остальное. 2.2. Закачать с помощью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетную массу гексафторосиликата аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов. 2.4. Перемешать...

Состав для очистки поверхности полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 5639

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Сугакова Татьяна Евгеньевна, Емельянов Виктор Андреевич, Гранько Владимир Ильич, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, пластин, полупроводниковых, состав, очистки

Текст:

...тому, что содержит кислородный гетероцикл фиксированных размеров, избирательно захватывающий ионы щелочных и щелочноземельных металлов. Пропанол-2 (изопропиловый спирт, ИПС) - материал квалификации ос.ч., производится на соответствие ГОСТ 9805-84. Химическая формула СН 3-СН(ОН)-СН 3. Это бесцветная прозрачная жидкость. Хорошо растворяется в воде. Относится к классу спиртов и к группе неионогенных поверхностно активных веществ. Умеренно...