Медведева Анна Борисовна

Способ удаления фоторезиста после плазмохимического травления поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Цивако Алексей Александрович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: B08B 3/02, H01L 21/02

Метки: кремния, удаления, способ, после, плазмохимического, поликристаллического, фоторезиста, травления

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/311

Метки: пленкой, кремния, реставрации, способ, изготовлении, интегральных, поликристаллического, пластин, микросхем

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Метки: поверхности, пластины, кремния, качества, монокристаллического, контроля, способ

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, B08B 3/12

Метки: полимера, интегральных, микросхем, контактных, удаления, изготовлении, способ, окнах

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, B08B 3/02, G05D 23/00...

Метки: способ, травления, аэрозольной, химической, пластин, кремния, диоксида, пленки, очистке, полупроводниковых

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ аэрозольного удаления фоторезиста и полимерных загрязнений с поверхности полупроводниковых кремниевых пластин после плазмохимического травления

Загрузка...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 21/30

Метки: загрязнений, после, аэрозольного, удаления, травления, кремниевых, полупроводниковых, пластин, полимерных, поверхности, фоторезиста, плазмохимического, способ

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, удаления, загрязнений, состав, кремния, полимерных

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Способ струйной очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин с металлизированной разводкой на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: B08B 3/08, H01L 21/44

Метки: металлизированной, алюминия, основе, поверхности, пластин, способ, струйной, очистки, полупроводниковых, кремниевых, разводкой

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Способ регенерации раствора ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 14499

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Вечер Дмитрий Вячеславович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Карпович Дмитрий Викторович, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: C23F 1/46

Метки: регенерации, кислоты, раствора, способ, ортофосфорной

Текст:

...Регенерация раствора ортофосфорной кислоты выполнялась путем периодической подачи воды в отработанный раствор, охлажденный до температуры (905) С и непрерывно циркулирующий в течение 2-2,5 ч. Затем производился нагрев восстановленного раствора 34 до температуры (1605) С и выполнялся процесс травления пленки нитрида кремния. Результаты представлены в табл. 3. Пример 4. Для проведения регенерации по заявляемому способу был выбран...

Состав для травления пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/02

Метки: пленок, кремния, состав, поликристаллического, травления

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Состав для проявления позитивного фоторезиста

Загрузка...

Номер патента: 11541

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Бахматова Надежда Андреевна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: G03F 7/32

Метки: состав, позитивного, проявления, фоторезиста

Текст:

...бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетные массы гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля 4000 и высыпать в транспортную емкость. 2.4. Перемешать полученный состав. Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами. Для приготовления заявляемого состава были взяты различные концентрации гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля...

Способ очистки отборника проб деионизованной воды, выполненного в виде гибкой поливинилхлоридной трубки

Загрузка...

Номер патента: 11521

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: B08B 11/00

Метки: воды, проб, трубки, виде, деионизованной, поливинилхлоридной, гибкой, способ, очистки, выполненного, отборника

Текст:

...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...

Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7

Загрузка...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02, C09K 13/00

Метки: способ, контроля, химической, качества, поверхности, кремниевой, полупроводниковой, растворе, ph больше 7, пластины, очистки

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: интегральных, металло-кремнийорганических, состав, удаления, микросхем, изготовлении, остатков, кремниевых, полимерных

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Турыгин Анатолий Викторович

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: химической, алюминия, поверхности, состав, основе, очистки, пленок

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 8580

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Лысюк Анатолий Александрович, Кукреш Анна Брониславовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: C09K 13/08, H01L 21/306

Метки: кремния, приготовления, пленки, травления, диоксида, раствора, способ

Текст:

...слоты низкие и постоянно меняются, это приводит в известном способе приготовления раствора к низкой скорости травления пленки диоксида кремния и нестабильности скорости травления пленки диоксида кремния. В основу изобретения положена задача увеличения и стабилизации скорости травления пленки диоксида кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния включает смешивание...

Состав для регенерации травителя на основе ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 8579

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Турыгин Анатолий Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Гладкова Людмила Владимировна, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/306

Метки: травителя, ортофосфорной, основе, состав, регенерации, кислоты

Текст:

...автоматизированной установке 2.1. Рассчитать объем и массу компонентов для приготовления заданного объема состава, исходя из соотношения компонентов, указанного в формуле гексафторосиликат аммония 0,3-1,0 г/л вода остальное. 2.2. Закачать с помощью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетную массу гексафторосиликата аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов. 2.4. Перемешать...

Состав для очистки поверхности полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 5639

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Сугакова Татьяна Евгеньевна, Гранько Владимир Ильич

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, состав, полупроводниковых, очистки, пластин

Текст:

...тому, что содержит кислородный гетероцикл фиксированных размеров, избирательно захватывающий ионы щелочных и щелочноземельных металлов. Пропанол-2 (изопропиловый спирт, ИПС) - материал квалификации ос.ч., производится на соответствие ГОСТ 9805-84. Химическая формула СН 3-СН(ОН)-СН 3. Это бесцветная прозрачная жидкость. Хорошо растворяется в воде. Относится к классу спиртов и к группе неионогенных поверхностно активных веществ. Умеренно...