Лукашова Надежда Васильевна

Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 16100

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Лукашова Надежда Васильевна, Сорока Сергей Александрович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01C 7/00, H01C 1/00, H01L 21/8238...

Метки: резистора, кмоп, интегральной, способ, изготовления, высокоомного, схемы, полупроводникового

Текст:

...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...