Луценко Евгений Викторович

Полихроматический лазерный имитатор солнечного излучения

Загрузка...

Номер патента: U 10300

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Свитенков Илья Евгеньевич, Ржеуцкий Николай Викторович, Павловский Вячеслав Николаевич, Луценко Евгений Викторович, Яблонский Геннадий Петрович

МПК: G01R 31/40

Метки: полихроматический, излучения, имитатор, лазерный, солнечного

Текст:

...солнечного элемента. Полихроматический лазерный имитатор солнечного излучения работает следующим образом излучение всех шести лазеров 1-6 сводят стеклянной призмой 7 в один световой пучок, который затем фокусируют линзовой системой 8, 9 на поверхность солнечного элемента 10, интенсивность излучения лазеров на поверхности солнечного элемента устанавливают так, чтобы их вклад в общее излучение соответствовал таблице, а суммарная...

Эталонный источник излучения на основе белого светодиода

Загрузка...

Номер патента: U 8369

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Никоненко Сергей Викторович, Данильчик Александр Викторович, Луценко Евгений Викторович

МПК: G01J 1/00

Метки: белого, источник, основе, излучения, эталонный, светодиода

Текст:

...расположение терморезистора на выходных контактах светодиода, что обуславливает большую разность температур между чипом светодиода и терморезистора, регулирование температуры по прямому напряжению смещения светодиода, которое в общем случае зависит от старения светодиода. Для установления зависимости напряжения смещения от температуры светодиодного чипа требуются прецизионные измерения для каждого отдельного светодиодного чипа. Для...

Эталонный монохромный светодиод

Загрузка...

Номер патента: U 8354

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Данильчик Александр Викторович, Луценко Евгений Викторович, Никоненко Сергей Викторович

МПК: G01J 1/00

Метки: эталонный, светодиод, монохромный

Текст:

...светодиодов светового потока, силы света, координат цветности, доминантной длины волны, чистоты цвета, а также пиковой длины волны 3. Монохромный возимый эталонный светодиод состоит из светодиода с линзой термостатированного корпуса эталонного светодиода встроенного терморезистора, установленного на выходных контактах светодиода и используемого в качестве индикатора температуры. Стабилизацию температуры светодиодного чипа...

Устройство для измерения усредненной силы света светодиодов

Загрузка...

Номер патента: U 8225

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Ждановский Владимир Анатольевич, Ржеуцкий Николай Викторович, Луценко Евгений Викторович, Никоненко Сергей Викторович, Зубелевич Виталий Зигмундович, Данильчик Александр Викторович

МПК: G01J 1/00

Метки: измерения, силы, усредненной, устройство, света, светодиодов

Текст:

...фотодиодную головку и блок регистрации держатели фотометрической и фотодиодной головок систему питания источников излучения, состоящую из программируемого источника тока/мультиметра и цифрового мультиметра персональный компьютер. Для управления гониометром использован двухканальный контроллер шаговых двигателей, обеспечивающий автоматизированное управление поворотными платформами. Для прецизионной установки испытуемого светодиода и...

Устройство для измерения пространственного распределения силы излучения твердотельных источников излучения

Загрузка...

Номер патента: U 8173

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Никоненко Сергей Викторович, Данильчик Александр Викторович, Ржеуцкий Николай Викторович, Зубелевич Виталий Зигмундович, Луценко Евгений Викторович, Ждановский Владимир Анатольевич

МПК: G01J 1/00

Метки: силы, твердотельных, излучения, источников, пространственного, распределения, устройство, измерения

Текст:

...использована система термостабилизации, состоящая из термоконтроллера, элемента Пельтье и датчика температуры, обеспечивающая задание и поддержание стабильной температуры. Все это позволяет проводить измерения в различных стабильных температурных условиях и минимизировать ошибки измерения силы света и излучения, обусловленные дрейфом и флуктуациями температуры, а также позволяет расширить номенклатуру испытуемых твердотельных источников...

Способ определения параметра сужения запрещенной зоны полупроводника

Загрузка...

Номер патента: 15271

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Луценко Евгений Викторович, Кононенко Валерий Константинович

МПК: G01R 33/00

Метки: параметра, способ, сужения, определения, полупроводника, зоны, запрещенной

Текст:

...данным , кривая 3 - расчет для постоянных хвостов плотности состояний (ширина хвостов 50 мэВ,5,310-5 мэВсм),на фиг. 4 - кривые зависимости величиныот концентрации носителей 0, кривая 1 построена по экспериментальным данным , кривая 4 - учет изменения ширины хвостовот температуры и уровня возбуждения полупроводника (4,110-5 мэВсм),на фиг. 5 - кривые зависимостиот температуры , кривая 1 построена по экспериментальным данным , кривая 2...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN

Загрузка...

Номер патента: 13504

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Данильчик Александр Викторович, Павловский Вячеслав Николаевич, Луценко Евгений Викторович, Новицкий Николай Николаевич, Шуленков Алексей Серафимович, Стогний Александр Иванович, Яблонский Геннадий Петрович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: прозрачного, эпитаксиальному, слою, омического, контакта, изготовления, p-gan, способ

Текст:

...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...

Способ повышения эффективности излучения пленки органического полупроводника

Загрузка...

Номер патента: 11684

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Яблонский Геннадий Петрович, Гурский Александр Леонидович, Осипов Константин Александрович, Луценко Евгений Викторович, Хойкен Михаель, Павловский Вячеслав Николаевич

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: полупроводника, эффективности, повышения, излучения, органического, способ, пленки

Текст:

...Способ повышения эффективности люминесценции органических полупроводниковых пленок рассмотрим на примере термического отжига органического полупроводника,(1-) - ,(1,1-)-4,4- (-). Заявленный способ проиллюстрирован чертежами 2 11684 1 2009.02.28 Фиг. 1 - схематическое изображение стенда для термической обработки пленок органических полупроводников. Фиг. 2 - график зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) органического...

Люминесцирующее кварцевое стекло

Загрузка...

Номер патента: 8954

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Малашкевич Георгий Ефимович, Подденежный Евгений Николаевич, Демидович Александр Анатольевич, Луценко Евгений Викторович

МПК: C03C 3/06, C03C 4/12

Метки: кварцевое, люминесцирующее, стекло

Текст:

...составляет не менее 1.Стекло получали прямым золь-гель методом. В качестве исходного сырья использовали тетраэтилортосиликат 51(0 С 2 Н 5)4, соляную кислоту НС 1 (как катализатор), аморфный тонкодисперсный кремнезем 5102 (как наполнитель для уменьшения растрескивания ксерогелей), соли тулия Тш(1103)3 и алюминия А 1(1 Т 03)3 и дистиллированную воду Н 20. Тетраэтилортосиликат подвергали гидролизу в водном растворе в присутствии соляной кислоты...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Шуленков Алексей Серафимович, Луценко Евгений Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Стогний Александр Иванович, Шинеллер Бернд, Хойкен Михаель

МПК: H01L 21/28, H01L 21/283, H01L 33/00...

Метки: эпитаксиальному, прозрачного, способ, контакта, изготовления, слою, p-gan, омического

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...