Левченко Владимир Иванович

Способ термической обработки шихты для выращивания кристаллов селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 16033

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович, Якимович Владимир Никифорович

МПК: C30B 23/00, C30B 29/48

Метки: кристаллов, шихты, термической, цинка, выращивания, селенида, способ, обработки

Текст:

...температуры и отпаивают. Недостатком прототипа является необходимость использования взрывоопасного оборудования и дорогостоящих средств безопасности, что приводит к высокой себестоимости выпускаемой продукции. Задачей настоящего изобретения является разработка простого, исключающего использование взрывоопасного водорода и сложного технологического оборудования способа повышения эффективности термической обработки исходной шихты. Поставленная...

Способ выращивания эпитаксиальных пленок селенида цинка на пористом кремнии

Загрузка...

Номер патента: 15905

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна, Барсукова Екатерина Леонидовна

МПК: C30B 23/06, C30B 29/48, G02B 1/10...

Метки: эпитаксиальных, выращивания, пористом, пленок, кремнии, цинка, способ, селенида

Текст:

...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...

Способ определения коэффициента диффузии Cr в ZnSe

Загрузка...

Номер патента: 13546

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович, Барсукова Екатерина Леонидовна

МПК: G01N 13/00

Метки: способ, коэффициента, определения, диффузии

Текст:

...слоя измеряют оптическую плотность пластины А и определяют коэффициент диффузиииз выражения 2 где 0 - поверхностная концентрация- координата вдоль направления диффузии- время процесса отжига,и затем определяют искомый коэффициент диффузиив соответствии с выражением. Новым, по мнению авторов, является то, что процесс отжига происходит в течение 6 ч при температуре 10431,0 С, толщина удаляемого слоя составляет 6020 мкм, процедуруопределяют...

Микропроцессорный измеритель температуры

Загрузка...

Номер патента: U 5348

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Левченко Александр Иванович, Левченко Владимир Иванович

МПК: G01K 7/02

Метки: температуры, измеритель, микропроцессорный

Текст:

...измеритель 2, состоящий из корпуса с помещенными внутри него и функционально связанными термопарой, микропроцессором, цифровым индикатором и датчиком температуры холодных концов термопары. Недостатком этого устройства является недостаточная термостабильность показаний,обусловленная изменением параметров электронных деталей прибора при изменении температуры окружающей среды и дающая дополнительную погрешность измерений. Кроме...

Способ изготовления отрезающих фильтров

Загрузка...

Номер патента: 11644

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Барсукова Екатерина Леонидовна, Левченко Владимир Иванович

МПК: C30B 23/00, G02B 5/22, C30B 29/10...

Метки: фильтров, отрезающих, способ, изготовления

Текст:

...кварцевой ампуле и перепаде температуры между зонами испарения и кристаллизации 20-35 С и охлаждают его до комнатной температуры. Способ осуществляется следующим образом. Кристалл твердого раствора 1- с градиентом состава в направлении роста выращивают из паровой фазы из смеси предварительно синтезированных бинарных компонент ( и ) в вакуумированной кварцевой ампуле, в горизонтальной трубчатой печи при температуре кристаллизации 1150-1200...

Способ легирования хромом кристаллов селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Кулешов Николай Васильевич, Постнова Лариса Ивановна, Щербицкий Виктор Георгиевич, Левченко Владимир Иванович, Кисель Виктор Эдвардович, Сорокина Ирина Тиграновна

МПК: C30B 31/00, C30B 29/10, C30B 33/00...

Метки: легирования, способ, хромом, цинка, селенида, кристаллов

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...