Лемешевская Алла Михайловна

Высоковольтный МОП-транзистор

Загрузка...

Номер патента: 18093

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Дудар Наталия Леонидовна, Гетьман Сергей Николаевич, Леонов Николай Иванович

МПК: H01L 29/772

Метки: высоковольтный, моп-транзистор

Текст:

...низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП 2 18093 1 2014.04.30 транзистора и образованию утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка транзистора, и подложкой. Для предотвращения утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка высоковольтного МОП-транзистора, и подложкой необходимо запереть паразитный МОП-транзистор, подав на затвор паразитного транзистора потенциал области того...

Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 16100

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Лукашова Надежда Васильевна, Сорока Сергей Александрович, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна

МПК: H01C 7/00, H01L 21/8238, H01C 1/00...

Метки: схемы, полупроводникового, изготовления, высокоомного, резистора, способ, кмоп, интегральной

Текст:

...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...

Высоковольтный МОП транзистор с изолированным истоком

Загрузка...

Номер патента: U 8247

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Гетьман Сергей Николаевич, Лемешевская Алла Михайловна, Дудар Наталия Леонидовна, Леонов Николай Иванович

МПК: H01L 29/06

Метки: изолированным, истоком, высоковольтный, моп, транзистор

Текст:

...область противоположного типа проводимости, например дрейфовую область. Однако дрейфовая область в высоковольтном транзисторе имеет низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП транзистора и образованию утечки между областью базы и подложкой. Для предотвращения утечки между областью базы высоковольтного МОП транзистора и подложкой необходимо запереть паразитный МОП транзистор, подав на затвор паразитного...

Фотодиод

Загрузка...

Номер патента: U 7483

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Цымбал Владимир Сергеевич, Голуб Елена Степановна, Блынский Виктор Иванович, Лемешевская Алла Михайловна

МПК: H01L 21/00

Метки: фотодиод

Текст:

...точек их генерации до области полупроводника с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки. Большая глубина рельефа перехода позволяет увеличить чувствительность фотодиода не только к фиолетовому и голубому, но и к зеленому свету. Сущность полезной модели поясняется фигурами, где 1 - подложка,2 - первая область,3 - вторая область,4 - локальная область,5 - область пространственного заряда - перехода,6 - охранное кольцо,7 -...

МОП-транзистор со встроенным каналом

Загрузка...

Номер патента: 11992

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Дудар Наталия Леонидовна, Емельянов Виктор Андреевич, Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна, Шведов Сергей Васильевич, Леонов Николай Иванович

МПК: H01L 29/00

Метки: моп-транзистор, встроенным, каналом

Текст:

...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...

Способ изготовления высокоомного поликремниевого резистора

Загрузка...

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Шведов Сергей Васильевич, Котов Владимир Семенович, Леонов Николай Иванович, Дударь Наталья Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна

МПК: H01C 1/00, H01L 29/00, H01C 7/00...

Метки: способ, высокоомного, изготовления, резистора, поликремниевого

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...

Высокоомный поликремниевый резистор

Загрузка...

Номер патента: 11703

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Леонов Николай Иванович, Котов Владимир Семенович, Лемешевская Алла Михайловна, Дударь Наталья Леонидовна, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01C 1/00, H01C 7/00, H01L 29/00...

Метки: высокоомный, резистор, поликремниевый

Текст:

...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...

Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от статического электричества

Загрузка...

Номер патента: 4988

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Силин Анатолий Васильевич, Лемешевская Алла Михайловна, Шведов Сергей Васильевич, Усов Геннадий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Пономарь Владимир Николаевич

МПК: H01L 29/06

Метки: защиты, схемы, выходного, интегральной, элемент, транзистора, моп, статического, электричества

Текст:

...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...