Кравцов Андрей Валерьевич

Способ выращивания монокристаллов титанил-фосфата калия

Загрузка...

Номер патента: 16848

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Колесова Ирина Михайловна, Конойко Алексей Иванович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Лугинец Александр Михайлович, Кравцов Андрей Валерьевич

МПК: C30B 9/12, C30B 15/36, C30B 29/14...

Метки: способ, калия, монокристаллов, титанил-фосфата, выращивания

Текст:

...монокристаллов титанил-фосфата калия больших размеров и высокого оптического качества. Поставленная задача решается способом выращивания монокристалла титанилфосфата калия, в котором на монокристаллической затравке, основание которой ориентировано в плоскости (100), формируют боковые грани в плоскостях (1 1 0), (110), (20 1 ) и(201), затравку медленно опускают в состоящий из кристаллообразующих окислов и растворителя 6413 раствор-расплав,...

Способ выращивания монокристаллических пленок Y3Al5O12:Yb3+

Загрузка...

Номер патента: 15126

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна, Лугинец Александр Михайлович, Мащенко Александр Георгиевич, Кулешов Николай Васильевич

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: монокристаллических, способ, y3al5o12:yb3+, выращивания, пленок

Текст:

...концентрации кристаллообразующих окислов для надежного контроля толщины МП невозможно из-за резкого повышения вязкости раствора-расплава при более низких температурах 3. Задачей данного способа является снижение энергетических затрат и обеспечение возможности получения тонких пленок 10 - 100 мкм. Поставленная задача решается тем, что в способе выращивания монокристаллической пленки 35123, при котором готовят раствор-расплав,...

Способ получения висмут замещенного железо-иттриевого граната

Загрузка...

Номер патента: 13076

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна, Телеш Евгений Владимирович, Гурский Леонид Ильич, Волчик Татьяна Владимировна, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Лугинец Александр Михайлович

МПК: C30B 9/00, C30B 29/10

Метки: способ, железо-иттриевого, замещенного, граната, получения, висмут

Текст:

...в течение 20-50 часов и охлаждением до температуры 920-980 С, затем на вырезанные по плоскости (111) монокристаллические пластины железо-иттриевого граната напыляют висмут и осуществляют диффузионный отжиг при температуре 650 С и давлении кислорода 105 Па в течение 50 часов. Сущность изобретения заключается в использовании экологически чистого, химически неагрессивного к платиновой технологической оснастке, термодинамически устойчивого к...

Способ выращивания монокристаллической пленки Y3Al5O12:Nd3+

Загрузка...

Номер патента: 11436

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Лугинец Александр Михайлович, Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна, Каланда Николай Александрович, Гурецкий Сергей Арсеньевич

МПК: C30B 9/00, C30B 15/00, C30B 7/00...

Метки: пленки, y3al5o12:nd3+, монокристаллической, выращивания, способ

Текст:

...поэтапное наплавление раствора-расплава с его последующим гомогенизированием при 1250-1300 С. Монокристаллическую затравку из 3 А 5 О 12 опускают в тигель до ее касания поверхности нагретого раствора-расплава при 945-1020 С, содержащего оксиды РО, ВаО, 2 О 3 и А 2 О 3 на основе растворителя Р/В 2 О 3 в соотношении 11/1 моль/моль и кристаллообразующих А 2 О 3/2 О 3 в соотношении, находящемся в диапазоне 1-1,6 моль/моль. Подложку реверсивно...

Способ выращивания монокристалла KGd(WO4)2:Nd3+

Загрузка...

Номер патента: 11195

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Кравцов Андрей Валерьевич, Каланда Николай Александрович, Гурецкий Сергей Арсеньевич

МПК: C30B 15/00

Метки: способ, выращивания, монокристалла, kgd(wo4)2:nd3+

Текст:

...затравка приводится во вращение и перемещается вверх с постоянной скоростью. Способ, описанный в работе 2, по своей сущности наиболее близок к предполагаемому изобретению и выбран в качестве прототипа. К недостаткам указанного способа следует отнести наличие привнесенных механических дефектов в растущем кристалле из-за механического повреждения затравочного кристалла в процессе его изготовления, а также образование кругового...