Ковалева Светлана Анатольевна

Способ получения сверхтвердых поликристаллов на основе нитрида бора плотных модификаций

Загрузка...

Номер патента: 18630

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Ковалева Светлана Анатольевна, Валькович Игорь Владимирович, Сенють Владимир Тадеушевич

МПК: B01J 3/06, C04B 35/583

Метки: способ, плотных, бора, основе, сверхтвердых, нитрида, поликристаллов, получения, модификаций

Текст:

...(сверхтвердых поликристаллов) на основе нитрида бора плотных модификаций,при котором смешивают порошок ВНБ и порошок КНБ, размер зерен которого составляет 1-40 мкм, добавляют в смесь порошок алюминия в количестве 1-10 от массы смеси порошков КНБ и ВНБ, осуществляют отжиг полученной шихты в восстановительной атмосфере при температуре 750-1000 С в течение 1-3 ч, прессуют из шихты заготовку и спекают прессованную заготовку при давлении...

Способ создания окисной пленки на поверхности полупроводниковой либо металлической подложки

Загрузка...

Номер патента: 14296

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Жорник Виктор Иванович, Петлицкая Татьяна Владимировна, Витязь Петр Александрович, Пилипенко Владимир Александрович, Ковалева Светлана Анатольевна

МПК: C25D 11/02, B82B 3/00

Метки: способ, либо, подложки, металлической, полупроводниковой, создания, пленки, поверхности, окисной

Текст:

...например монокристаллического кремния, эпитаксиальные пленки кремния, а также поликристаллический кремний, алюминий и др. Сущность изобретения поясняется прилагаемыми фигурами. Фиг. 1 - блок-схема для реализации предлагаемого способа на основе атомно-силового микроскопа (АСМ). Фиг. 2 - АСМ 3 - изображение топографии поверхности монокристаллического кремния КДБ-12 (111) с локальной окисной пленкой, полученной после первого этапа сканирования...

Композиционный углеродсодержащий материал для поглощения электромагнитного излучения и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 12034

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Сенють Владимир Тадеушевич, Прищепов Анатолий Сергеевич, Ковалева Светлана Анатольевна

МПК: C08L 23/00, G12B 17/00, C08K 3/00...

Метки: композиционный, способ, поглощения, получения, излучения, электромагнитного, углеродсодержащий, материал

Текст:

...тем, что указанные компоненты взяты в следующем соотношении, мас.модифицированный графит 2-30 полиэтилен остальное. Способ получения композиционного материала для поглощения электромагнитного излучения, включающий модифицирование графитового наполнителя, смешивание модифицированного графитового наполнителя с полиэтиленовым связующим, совмещение полученной смеси, ее терморасширение и формование, причем, согласно...

Способ получения поликристаллического материала на основе кубического нитрида бора

Загрузка...

Номер патента: 10582

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Грицук Виталий Дмитриевич, Ковалева Светлана Анатольевна, Гамеза Людмила Михайловна, Валькович Игорь Владимирович, Сенють Владимир Тадеушевич

МПК: B01J 3/06, C04B 35/583

Метки: бора, поликристаллического, основе, кубического, нитрида, получения, материала, способ

Текст:

...проскальзыванием, коагуляцией (агрегированием) и жидкоподобной коалесценцией(слиянием). В результате наблюдаются такие явления, как локализация плотности получаемой заготовки с образованием поликристаллических частиц от субмикронных до микронных размеров, а также выдавливание мелких пор и их слияние в крупные. Качество получаемого материала при этом невысокое. Использование высоких давлений свыше 7 ГПа при спекании непосредственно нано-...

Способ получения композиционного материала на основе наноалмазов

Загрузка...

Номер патента: 10303

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Грицук Виталий Дмитриевич, Сенють Владимир Тадеушевич, Гамеза Людмила Михайловна, Валькович Игорь Владимирович, Ковалева Светлана Анатольевна

МПК: B01J 3/06, C01B 31/00, C23C 16/22...

Метки: наноалмазов, получения, материала, основе, композиционного, способ

Текст:

...ГПа в диапазоне температур 1400-1600 С в течение 10-60 с. В результате получили алмазную заготовку, пропитанную кремнием. Однако в данном способе получения ПСТМ на основе наноалмазов образование карбида кремния было отмечено только на границах алмазных зерен, покрытых слоем неалмазного углерода. Более длительная изотермическая выдержка, производимая с целью связывания всего объема кремния, поступившего в заготовку, приводит к...