Кононенко Валерий Константинович

Генератор радиально поляризованного лазерного излучения

Загрузка...

Номер патента: U 8149

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Рыжевич Анатолий Анатольевич, Кононенко Валерий Константинович

МПК: G02F 1/01, G02B 27/48

Метки: излучения, поляризованного, радиально, генератор, лазерного

Текст:

...призмы Брюстера, обеспечивающей радиальную поляризацию коллимированного выходного излучения. Данное устройство содержит оптикомеханический блок для ввода излучения в волокно с целью обеспечения оптической накачки волоконного лазера. В силу генерационных свойств активного тела выходное излучение устройства обладает недостаточно высокой стабильностью по мощности. Задачей предлагаемой полезной модели является формирование слабо...

Способ определения параметра сужения запрещенной зоны полупроводника

Загрузка...

Номер патента: 15271

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Кононенко Валерий Константинович, Луценко Евгений Викторович

МПК: G01R 33/00

Метки: сужения, зоны, полупроводника, запрещенной, определения, параметра, способ

Текст:

...данным , кривая 3 - расчет для постоянных хвостов плотности состояний (ширина хвостов 50 мэВ,5,310-5 мэВсм),на фиг. 4 - кривые зависимости величиныот концентрации носителей 0, кривая 1 построена по экспериментальным данным , кривая 4 - учет изменения ширины хвостовот температуры и уровня возбуждения полупроводника (4,110-5 мэВсм),на фиг. 5 - кривые зависимостиот температуры , кривая 1 построена по экспериментальным данным , кривая 2...

Пирометрический способ определения термодинамической температуры металла и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 12538

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Христол Филипп, Кононенко Валерий Константинович, Сеньков Андрей Григорьевич, Фираго Владимир Александрович

МПК: G01J 5/00

Метки: температуры, способ, пирометрический, устройство, осуществления, определения, термодинамической, металла

Текст:

...(истинную) температуру металлов при изменении их спектрального коэффициента излучения в процессе нагрева.Сущность изобретения заключается в том, что в пирометрическом способе определения термодинамической температуры металла, основанном на измерении яркостей теплового излучения фотоприемниками в двух спектральных участках и последующем определении температуры по величине отношения сигналов фотоприемников и зависимости этого...

Прецизионный лазерный дальномер

Загрузка...

Номер патента: 6263

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Козлов Владимир Леонидович, Манак Иван Степанович, Кононенко Валерий Константинович

МПК: G01C 3/08

Метки: прецизионный, лазерный, дальномер

Текст:

...а импульсы, пришедшие с дистанции, поступают на стоп-вход счетчика 14 с фотоприемника 9. Число импульсов между старт и стоп определяется путем заполнения временного интервала импульсами на длине волны 2. Делители 12, 13 используются для того, чтобы измерять временной интервал не между первыми импульсами,посланными на дистанцию, а между -ми (где- 1050 - коэффициент деления делителей 12, 13). Это необходимо для того, чтобы исключить влияние...

Полупроводниковый лазер

Загрузка...

Номер патента: 1385

Опубликовано: 16.09.1996

Авторы: Кононенко Валерий Константинович, Манак Иван Степанович, Афоненко Александр Анатольевич

МПК: H01S 3/19

Метки: полупроводниковый, лазер

Текст:

...ИМВПИСЬ как ЗЖТИВНЪЯ, УСИПИВЕЪЮЩЗЯ ИЗЛУЧЕНИЕ, так И ПЗССИВНЕЪЯ, Опоглощающая излучение, области. В предлагаемом устройстве это достигается использованием в качестве квантовой ямы, усиливающей излучение меньшей длины волны, квантоворазмерного слоя меньшей толщины или большей ширины запрещенной зоны по сравнению с поглощающим это излучение слоем. Возможно также и одновременное отличие указанных слоев как по толщине, так и ширине запрещенной...

Бистабильный полупроводниковый лазерный элемент

Загрузка...

Номер патента: 1099

Опубликовано: 14.03.1996

Авторы: Кононенко Валерий Константинович, Манак Иван Степанович, Афоненко Александр Анатольевич

МПК: H01S 3/19

Метки: бистабильный, полупроводниковый, элемент, лазерный

Текст:

...слоя приводит к разнице потенциальных барьеров для носителей тока со стороны барьерного слоя и эмиттерного слоя п-типа. В результате электроны легко инжектируются через поглощающий квантоворазмерный слой в усиливающий. Сущность изобретения поясняется чертежами. На фиг.1 показан общий вид бистабильного полупроводникового лазерного элемента. На фиг.2 представлена зонная схема лазерного элемента, показывающая изменение энергии в зоне...