Кисель Виктор Эдвардович

Непрерывный лазерный излучатель

Загрузка...

Номер патента: U 9813

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Васильева Ирина Владимировна, Тареев Анатолий Михайлович, Немененок Александр Иванович, Ивашко Алексей Михайлович, Топленикова Татьяна Васильевна, Кисель Виктор Эдвардович, Шашков Андрей Михайлович

МПК: H01S 3/16

Метки: непрерывный, излучатель, лазерный

Текст:

...взаимного нагрева благодаря наличию волоконных световодов во-вторых, благодаря применению лазерных диодов накачки, длины волн излучения которых могут отличаться друг от друга на величину 1. Известно, что длина волны излучения лазерного диода увеличивается при нагреве и уменьшается при охлаждении в среднем на 0,3 нм/град, а так как большинство активных сред имеют ограниченную спектральную полосу эффективного поглощения, то в широком диапазоне...

Миниатюрный лазерный излучатель

Загрузка...

Номер патента: U 7357

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Тареев Анатолий Михайлович, Васильева Ирина Владимировна, Векшин Сергей Константинович, Кисель Виктор Эдвардович, Немененок Александр Иванович

МПК: H01S 3/16

Метки: излучатель, лазерный, миниатюрный

Текст:

...торцом активного элемента,при этом вторая по ходу лучей линза второго объектива установлена с возможностью смещения вдоль оптической оси, а третья по ходу лучей линза установлена с возможностью смещения в плоскости, перпендикулярной оптической оси. Активный элемент излучателя выполнен из кристалла алюмоиттриевого граната, активированного ионами иттербия. Установка активного элемента с возможностью поперечного смещения относительно...

Миниатюрный твердотельный лазер с диодной накачкой

Загрузка...

Номер патента: U 7230

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Немененок Александр Иванович, Тареев Анатолий Михайлович, Батюшков Валентин Вениаминович, Векшин Сергей Константинович, Кулешов Николай Васильевич, Кисель Виктор Эдвардович, Курильчик Сергей Владимирович, Васильева Ирина Владимировна

МПК: H01S 3/16

Метки: твердотельный, накачкой, диодной, лазер, миниатюрный

Текст:

...генерации. Лазер отличается от прототипа тем, что объектив выполнен в виде одиночной короткофокусной линзы. Активный элемент установлен с поперечным смещением относительно оптической оси объектива и возможностью вращения вокруг собственной оси. 72302011.04.30 На плоских торцах активного элемента расположены кольцеобразные прокладки из теплопроводящего эластичного материала. Активный элемент выполнен из кристалла алюмо-иттриевого граната,...

Способ легирования хромом кристаллов селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 10929

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Кисель Виктор Эдвардович, Щербицкий Виктор Георгиевич, Кулешов Николай Васильевич, Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна, Сорокина Ирина Тиграновна

МПК: C30B 29/10, C30B 31/00, C30B 33/00...

Метки: легирования, хромом, кристаллов, способ, селенида, цинка

Текст:

...исходном нелегированном материале и введенные на стадии диффузии структурные дефекты. При этом вследствие того, что в процессе отжига в парах цинка устраняются не только введенные,но и присутствующие в исходном материале дефекты, в качестве последнего может быть использован недорогойс относительно большими оптическими потерями. Кроме того, разделение в предлагаемом способе стадий диффузионного легирования и отжига позволяет оптимизировать...