Кисель Анатолий Михайлович

Способ удаления фоторезиста после плазмохимического травления поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Цивако Алексей Александрович

МПК: H01L 21/02, B08B 3/02

Метки: травления, поликристаллического, плазмохимического, способ, удаления, кремния, после, фоторезиста

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: пленкой, пластин, интегральных, изготовлении, способ, кремния, микросхем, поликристаллического, реставрации

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66

Метки: пластины, кремния, способ, контроля, монокристаллического, поверхности, качества

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: B08B 3/12, H01L 21/02

Метки: удаления, полимера, микросхем, окнах, способ, контактных, интегральных, изготовлении

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, B08B 3/02, G05D 23/00...

Метки: травления, пленки, кремния, пластин, диоксида, полупроводниковых, очистке, химической, аэрозольной, способ

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ аэрозольного удаления фоторезиста и полимерных загрязнений с поверхности полупроводниковых кремниевых пластин после плазмохимического травления

Загрузка...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Трусов Виктор Леонидович, Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/30

Метки: полупроводниковых, полимерных, кремниевых, поверхности, загрязнений, удаления, фоторезиста, аэрозольного, пластин, способ, травления, плазмохимического, после

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/306

Метки: удаления, поверхности, полимерных, состав, загрязнений, кремния

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Способ струйной очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин с металлизированной разводкой на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/44, B08B 3/08

Метки: очистки, поверхности, кремниевых, полупроводниковых, струйной, алюминия, металлизированной, разводкой, основе, пластин, способ

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Способ регенерации раствора ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 14499

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Карпович Дмитрий Викторович, Вечер Дмитрий Вячеславович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: C23F 1/46

Метки: раствора, регенерации, кислоты, способ, ортофосфорной

Текст:

...Регенерация раствора ортофосфорной кислоты выполнялась путем периодической подачи воды в отработанный раствор, охлажденный до температуры (905) С и непрерывно циркулирующий в течение 2-2,5 ч. Затем производился нагрев восстановленного раствора 34 до температуры (1605) С и выполнялся процесс травления пленки нитрида кремния. Результаты представлены в табл. 3. Пример 4. Для проведения регенерации по заявляемому способу был выбран...

Состав для травления пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02

Метки: поликристаллического, пленок, травления, кремния, состав

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Состав для проявления позитивного фоторезиста

Загрузка...

Номер патента: 11541

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Бахматова Надежда Андреевна, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G03F 7/32

Метки: фоторезиста, состав, позитивного, проявления

Текст:

...бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетные массы гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля 4000 и высыпать в транспортную емкость. 2.4. Перемешать полученный состав. Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами. Для приготовления заявляемого состава были взяты различные концентрации гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля...

Способ очистки отборника проб деионизованной воды, выполненного в виде гибкой поливинилхлоридной трубки

Загрузка...

Номер патента: 11521

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 11/00

Метки: воды, поливинилхлоридной, виде, проб, способ, деионизованной, выполненного, гибкой, очистки, трубки, отборника

Текст:

...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...

Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7

Загрузка...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: очистки, способ, контроля, поверхности, кремниевой, полупроводниковой, пластины, химической, ph больше 7, растворе, качества

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: кремниевых, остатков, удаления, микросхем, изготовлении, интегральных, металло-кремнийорганических, полимерных, состав

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Турыгин Анатолий Викторович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: основе, пленок, состав, химической, очистки, поверхности, алюминия

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 8580

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Лысюк Анатолий Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Кукреш Анна Брониславовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: C09K 13/08, H01L 21/306

Метки: диоксида, раствора, способ, пленки, приготовления, травления, кремния

Текст:

...слоты низкие и постоянно меняются, это приводит в известном способе приготовления раствора к низкой скорости травления пленки диоксида кремния и нестабильности скорости травления пленки диоксида кремния. В основу изобретения положена задача увеличения и стабилизации скорости травления пленки диоксида кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния включает смешивание...

Состав для регенерации травителя на основе ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 8579

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Турыгин Анатолий Викторович, Медведева Анна Борисовна, Гладкова Людмила Владимировна, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/306

Метки: основе, кислоты, травителя, состав, регенерации, ортофосфорной

Текст:

...автоматизированной установке 2.1. Рассчитать объем и массу компонентов для приготовления заданного объема состава, исходя из соотношения компонентов, указанного в формуле гексафторосиликат аммония 0,3-1,0 г/л вода остальное. 2.2. Закачать с помощью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетную массу гексафторосиликата аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов. 2.4. Перемешать...

Состав для очистки поверхности полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 5639

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Гранько Владимир Ильич, Сугакова Татьяна Евгеньевна, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/306

Метки: очистки, состав, поверхности, пластин, полупроводниковых

Текст:

...тому, что содержит кислородный гетероцикл фиксированных размеров, избирательно захватывающий ионы щелочных и щелочноземельных металлов. Пропанол-2 (изопропиловый спирт, ИПС) - материал квалификации ос.ч., производится на соответствие ГОСТ 9805-84. Химическая формула СН 3-СН(ОН)-СН 3. Это бесцветная прозрачная жидкость. Хорошо растворяется в воде. Относится к классу спиртов и к группе неионогенных поверхностно активных веществ. Умеренно...

Способ очистки ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 3682

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Кукреш Анна Брониславовна, Довнар Николай Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванов Геннадий Иванович

МПК: C01B 25/235

Метки: ортофосфорной, очистки, кислоты, способ

Текст:

...полной или частичной закупорки, частыми остановками процесса для замены фильтров или их очистки от твердой фазы. В основу изобретения положена задача создания высокопроизводительного, пригодного для серийного промышленного производства способа очистки ортофосфорной кислоты за счет уменьшения вязкости и повышения скорости фильтрации, исключения закупорки пор фильтров твердой фазой и частых остановок по этой причине процесса очистки...

Способ регенерации травителя на основе ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 3417

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Курганович Александр Александрович, Довнар Николай Александрович

МПК: C23F 1/46, H01L 21/306

Метки: регенерации, ортофосфорной, травителя, кислоты, основе, способ

Текст:

...осуществляют путем добавления в отработанный травитель 0,1-0,2 об. ч. воды, нагревания до температуры 90-100 С и выдержки при этой температуре не менее 1 ч. Как показали эксперименты, 0,1-0,2 об. ч. воды достаточно для обратного превращения пирофосфорной кислоты в ортофосфорную. Уменьшение количества воды, добавляемой в травитель, менее 0,1 об. ч. не позволяет всю пирофосфорную кислоту перевести в ортофосфорную, а увеличение количества воды,...