Канюков Егор Юрьевич

Способ создания высокочастотного микроконденсатора на основе пленки полиимида

Загрузка...

Номер патента: 18356

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Петров Александр Владимирович, Канюков Егор Юрьевич, Демьянов Сергей Евгеньевич

МПК: H01G 4/33, H01G 7/00

Метки: микроконденсатора, основе, способ, создания, полиимида, пленки, высокочастотного

Текст:

...пФ в частотном диапазоне от 107 до 109 Гц. Недостаток данного способа заключается в многостадийности технологии изготовления, связанной с применением нескольких физико-химических методик, а главное, с необходимостью использования жесткой металлической подложки на всех стадиях изготовления микроконденсатора. Задачей заявляемого решения является упрощение способа создания высокочастотного микроконденсатора и сокращение числа технологических...

Способ создания обмотки высокочастотного микроиндуктора на основе полиимидной пленки

Загрузка...

Номер патента: 16776

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Петров Александр Владимирович, Канюков Егор Юрьевич, Демьянов Сергей Евгеньевич

МПК: C23C 14/34, H01F 27/28, C23C 14/04...

Метки: полиимидной, создания, высокочастотного, способ, пленки, микроиндуктора, обмотки, основе

Текст:

...мкм. На финишном этапе изготовления подложка кремния, на которой изначально формировалась многослойная структура индуктора, стравливалась,что в конечном итоге обеспечивало гибкость изделия. Величина индуктивности такого индуктора составила 10-7 Гн, а его добротность - 10 при частоте 0,1 ГГц. Недостаток данного способа заключается в многостадийности технологии изготовления, связанной с применением нескольких физико-химических методик, а...

Способ создания высокочастотного микротрансформатора

Загрузка...

Номер патента: 16422

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Петров Александр Владимирович, Демьянов Сергей Евгеньевич, Канюков Егор Юрьевич

МПК: C23C 14/04, H01F 41/00, C23C 14/34...

Метки: микротрансформатора, высокочастотного, создания, способ

Текст:

...травления с использованием газов 2 и 3 стравливался слой - до поверхности оксида кремния на кремнии. В результате была сформирована первичная обмотка трансформатора спирального типа. Далее удалялся фоторезист и слой 2, расположенный поверх проводника -, после чего напылялся слой 2 толщиной 1,5 мкм для разделения первичной и вторичной обмоток. Аналогично первичной формировалась вторичная обмотка. Созданный таким образом планарный...