H05H 1/00 — Получение плазмы; управление плазмой

Плазмотрон для нанесения покрытия

Загрузка...

Номер патента: U 10210

Опубликовано: 30.08.2014

Автор: Оковитый Василий Вячеславович

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмотрон, покрытия, нанесения

Текст:

...расширения металла основы и керамического слоя, а также неравномерности распределения температурного поля в покрытии. Термомеханические напряжения усугубляются действием остаточных напряжений, возникающих в покрытии при напылении, и ослабляются эффектами пластичности и ползучести, реализующимися в металлическом подслое. Многослойное покрытие формируется из порошков(фракция 40-50 мкм,плотность 8100 кг/м 3) и 2-7 23 (фракция менее 40,...

Система определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки

Загрузка...

Номер патента: U 9421

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Полыко Валерий Владимирович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Бордусов Сергей Валентинович, Цивако Алексей Александрович, Мадвейко Сергей Игоревич, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H05H 1/00

Метки: система, обработки, среды, свч, проведения, плазмохимической, плазмообразующей, давления, процессов, определения, оптимального

Текст:

...зависимости для процесса удаления фоторезистивных покрытий с поверхности кремниевых подложек в атмосфере 2. Результаты исследований были положены в основу разработанной системы определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки материалов. Аналоги описываемой полезной модели представлены в 3, 4, 5. По своей технической сущности и достигаемому техническому результату к...

Изобретения категории «Получение плазмы; управление плазмой» в СССР.

Плазмотрон для нанесения покрытия

Загрузка...

Номер патента: U 9423

Опубликовано: 30.08.2013

Автор: Оковитый Василий Вячеславович

МПК: H05H 1/00

Метки: нанесения, плазмотрон, покрытия

Текст:

...ввода порошка в область установившегося плазменного потока следует отнести периодическое заплавление порошком с высокой температурой плавления плазменного канала, из-за чего приходится прерывать технологический процесс для чистки канала. Подача порошка на срез плазмотрона снижает время пребывания частиц порошка в плазменной струе (на порядок в сравнении с вводом порошка в начальную область). Однако при достаточной мощности плазменной струи и...

Плазмотрон для нанесения покрытия на внутренние поверхности деталей

Загрузка...

Номер патента: U 8930

Опубликовано: 28.02.2013

Автор: Оковитый Василий Вячеславович

МПК: H05H 1/00

Метки: нанесения, поверхности, покрытия, плазмотрон, деталей, внутренние

Текст:

...Катодный узел 1 состоит из катода 5, ко 2 89302013.02.28 торый с помощью резьбового соединения закреплен в корпусе 6. Резьбовой способ крепления катода 5, изготовленного из лантанированного вольфрама, обеспечивает его надежное крепление и при необходимости быструю регулировку за счет изменения зазора между катодом 5 и водоохлаждаемым анодом 7 в процессе эксплуатации плазмотрона по мере износа катода 5 при вкручивании пробки 8 (фиг. 2)....

Межэлектродная вставка плазмотрона

Загрузка...

Номер патента: 16787

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Шараховский Александр Иванович, Шараховский Леонид Иванович

МПК: H05H 1/00, B01J 19/08

Метки: межэлектродная, вставка, плазмотрона

Текст:

...холодный газ вводится ниже по потоку, чем более горячий. Благодаря оттеснению по ходу потока горячего газа к оси более холодным вводимым ниже газом, в таком потоке формируется пограничный слой с радиальным температурным градиентом, характеризующимся понижением температуры и, соответственно, повышением плотности по направлению к стенке. В интенсивном поле центростремительных ускорений, достигающих в вихревом потоке многих десятков , такой...

Плазмотрон для нанесения покрытия

Загрузка...

Номер патента: 14906

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Оковитый Вячеслав Александрович, Шевцов Александр Иванович, Оковитый Василий Вячеславович, Девойно Олег Георгиевич

МПК: H05H 1/00

Метки: покрытия, плазмотрон, нанесения

Текст:

...его в плазменную струю затруднено из-за максимальной энергетической плотности плазмы и неустановившейся турбулентности плазмообразующего газа. Кроме того, впрыскивание порошка в плазменную струю производится транспортирующим газом с температурой окружающей среды, в результате чего в этой области происходит его быстрый нагрев и расширение. Указанное явление препятствует проникновению частиц порошка в сечение плазменной струи. Из-за...

Ионный источник

Загрузка...

Номер патента: 13847

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: H01J 27/00, H01L 3/00, H01J 27/02...

Метки: ионный, источник

Текст:

...7, изолятор 8 между анодом 1 и фланцем 9 и изолятор 10 между дополнительным электродом 7 и фланцем 9. Со стороны анода 1 полый катод 2 закрыт фланцем 9 с осевым контрагирующим отверстием (на чертеже не показано), в которое введен анод 1. Внутри полого катода 2 расположена осесимметричная внутренняя магнитная система 11, снабженная корпусом 12. Внешняя магнитная система 5 и дополнительная магнитная система 6 ориентированы одноименными...

Импульсный вакуумно-дуговой технологический источник плазмы

Загрузка...

Номер патента: U 6837

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Селифанов Сергей Олегович, Селифанов Олег Владимирович

МПК: H05H 1/00, C23C 14/24

Метки: вакуумно-дуговой, технологический, импульсный, источник, плазмы

Текст:

...Предпочтительно, если количество узлов первичного плазмообразования выбрано из интервала 2-8, а количество конденсаторных блоков - из интервала 2-4. Лучше, если каждый узел первичного плазмообразования оснащен, по меньшей мере,еще одним изолятором с инициирующим тонкопленочным токопроводом, а инициирующий электрод выполнен с возможностью обеспечения плотного прижима каждого изолятора к соответствующему поджигающему электроду. Удобно,...

Импульсный вакуумно-дуговой технологический источник плазмы

Загрузка...

Номер патента: U 5669

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович, Чекан Николай Михайлович

МПК: H05H 1/00, C23C 14/24

Метки: вакуумно-дуговой, технологический, плазмы, импульсный, источник

Текст:

...расходуется 1,22,5 мм высоты подлежащего расходованию участка катода, при этом радиус катода из-за наличия конусности уменьшается на 0,10,2 мм при угле уклона 5 и на 0,71,4 мм при угле уклона 30. Поскольку величина зазора между катодом и электродом-экраном ограничена значением 2,5 мм, а исходное ее значение равно 1,5 мм, высота израсходованной части материала катода составляет максимум 2 мм при угле уклона 30 и 12 мм при угле уклона 5. В...

Технологический импульсный вакуумно-дуговой источник плазмы

Загрузка...

Номер патента: U 4887

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Чекан Николай Михайлович, Селифанов Сергей Олегович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/00

Метки: плазмы, вакуумно-дуговой, технологический, источник, импульсный

Текст:

...увеличение межпрофилактического ресурса высоконадежного функционирования технологического импульсного вакуумно-дугового источника плазмы с высокой равномерностью выработки расходуемого торца катода. Поставленная задача достигается тем, что в известном технологическом импульсном вакуумно-дуговом источнике плазмы, содержащем охлаждаемый кольцевой нерасходуемый анод, установленный соосно с ним и выполненный с возможностью осевого перемещения...

Устройство для генерации плазменных потоков

Загрузка...

Номер патента: U 4905

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Авраменко Владимир Борисович, Кузмицкий Антон Михайлович

МПК: H05H 1/00

Метки: потоков, генерации, плазменных, устройство

Текст:

...разряда составляет 1-2 мм, при этом диэлектрические выступы канала разряда над замкнутыми электродами больше 2 мм. Совокупность указанных признаков позволяет решить поставленную техническую задачу за счет того, что электроды, выполненные с осевыми отверстиями и расположенные симметрично каналу разряда, утоплены в корпус на глубину, превышающую два диаметра плазменных струй из электродных пятен (больше 2 мм), что предотвращает их...

Ускоритель плазмы

Загрузка...

Номер патента: 10941

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Белявин Климентий Евгеньевич, Кузнечик Олег Ольгердович, Хроленок Валерий Васильевич, Минько Дмитрий Вацлавович

МПК: H05H 1/00, H05H 1/24

Метки: плазмы, ускоритель

Текст:

...только от отношения площади выходного сечения к площади его критического сечения и не зависит в широких пределах от изменения давления перед соплом. Конфигурация внешнего электрода в данном ускорителе является постоянной, поэтому для изменения параметров потока на выходе из ускорителя необходимо заменять электрод. Техническая задача, решаемая изобретением, - расширение технологических возможностей ускорителя плазмы за счет регулирования...

Технологический импульсный вакуумно-дуговой генератор плазмы

Загрузка...

Номер патента: U 4567

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Селифанов Олег Владимирович, Селифанов Сергей Олегович

МПК: C23C 14/24, H05H 1/00

Метки: технологический, генератор, вакуумно-дуговой, плазмы, импульсный

Текст:

...конусной поверхности расходуемого электрода выбран из интервала 520 . Отличием предлагаемого технологического импульсного вакуумно-дугового генератора плазмы является и то, что экран выполнен с возможностью подвода к нему электрического напряжения. Отсутствие научно-технических публикаций, касающихся вышеуказанных отличительных признаков технологического импульсного вакуумно-дугового генератора плазмы,подтверждает новизну полезной модели....

Протяженный ускоритель с анодным слоем

Загрузка...

Номер патента: U 4435

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Ших Сергей Константинович, Биленко Эдуард Григорьевич, Белый Алексей Владимирович

МПК: C23C 14/48, H05H 1/00

Метки: протяженный, ускоритель, анодным, слоем

Текст:

...ионно-лучевой обработки и расширение технологических возможностей за счет возможности обработки двух поверхностей листовых деталей за одну установку. Поставленная задача решается за счет того, что в протяженном ускорителе с анодным слоем, включающем корпус с постоянными магнитами, катод и анод, ускоряющие щели ускорителя расположены оппозитно друг к другу и направлены во внутрь ускорителя. Сущность предложенной полезной модели поясняется...

Ускоритель плазмы

Загрузка...

Номер патента: U 3683

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Минько Дмитрий Вацлавович, Хроленок Валерий Васильевич, Кузнечик Олег Ольгердович, Белявин Климентий Евгеньевич

МПК: H05H 1/00

Метки: ускоритель, плазмы

Текст:

...сечения и не зависит в широких пределах от изменения давления перед соплом. Конфигурация внешнего электрода в данном ускорителе является постоянной, поэтому для изменения параметров потока на выходе из ускорителя необходимо заменять электрод. Техническая задача, решаемая полезной моделью, - расширение технологических возможностей ускорителя плазмы за счет регулирования скорости потока плазмы на выходе из ускорителя. Технический результат...

Устройство для нанесения тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 6131

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Минько Леонид Яковлевич, Кузмицкий Антон Михайлович, Авраменко Владимир Борисович

МПК: H05H 1/00

Метки: устройство, нанесения, тонких, пленок

Текст:

...камерах. Сущность изобретения поясняется чертежом, где представлен общий вид предлагаемого устройства (фиг. 1). Устройство содержит полый цилиндрический корпус 1, электродные камеры 2, разрядную камеру 3, два электрода 4, расположенные с противоположных сторон цилиндри 2 6131 1 ческого корпуса 1, канал для прохождения разряда 5 и отверстие в боковой поверхности для прохождения плазмы 6, регулятор объема электродных камер 7. Устройство...

Источник эрозионной плазмы

Загрузка...

Номер патента: 2643

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Авраменко Владимир Борисович, Ковалев Андрей Михайлович, Кузмицкий Антон Михайлович

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмы, эрозионной, источник

Текст:

...площади отверстий для истечения плазмы 1 к минимальной площади сечения разрядного канала 2 (фиг. 2). Спектральные линии атома меди представляют материал электродов, а атома водорода - диэлектрика. Следует отметить, что график получен из спектрограмм, усредненных по 20 - 60 разрядам каждая и является не скорректированным по спектральной чувствительности фотоэмульсии (учет спектральной чувствительности приводит лишь к уменьшению масштаба...

Низкоэнергетичный ионный источник

Загрузка...

Номер патента: 2013

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Свирин Василий Тимофеевич, Стогний Александр Иванович

МПК: H05H 1/00

Метки: источник, низкоэнергетичный, ионный

Текст:

...устройства 2 больше коэффициента преобразования прототипа 1, т.к. в предлагаемом ИИ длина разрядного промежутка больше примерно на высоту конической вставки, поэтому время нахождения нейтралей в области ионообразования больше и, следовательно, больше вероятность ионизации, а из образовавшихся внутри вставки ионов лишь незначительное количество уходит на ее стенки, т.к. вставка находится под плавающим потенциалом, подавляющая часть ионов...