H01L 35/28 — основанные только на эффектах Пельтье или Зеебека

Солнечный термоэлектрический холодильник

Загрузка...

Номер патента: 18317

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: холодильник, термоэлектрический, солнечный

Текст:

...поглощения фотонов от воздействия солнечного излучения структурой термоэлектрического солнечного холодильника на поверхность слоя 6 нанесен слой проводящего материала 7 из светопрозрачного материала, который выполняет функцию просветляющего слоя, снижающего поверхностную рекомбинацию носителей заряда на границе -слой 6 - проводящий слой 7. Толщина проводящего слоя 7 из светопрозрачного материала ( 0,0) составляет (0,52,0) мк. При...

Водоохлаждающее устройство

Загрузка...

Номер патента: U 8627

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28

Метки: водоохлаждающее, устройство

Текст:

...мс помощью электропроводящего клея установлен на металлическом основании 12. Методом электронно-лучевого или магнетронного распылителя на торцевые стороны мструктуры с диэлектрическим слоем 11 по периметру через маску нанесен металлический слой 13, накоротко замыкающий мструктуру,то есть ее верхний и нижний омические контакты 10 и 4. Толщины слоев мструктуры определены экспериментально и равны электропроводящего светопрозрачного слоя 100,30,1...

Водоохлаждающий элемент

Загрузка...

Номер патента: U 8626

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич, Уласюк Николай Николаевич

МПК: H01L 35/28

Метки: элемент, водоохлаждающий

Текст:

...причем толщина основания составляет 13 мкм. Габаритные размеры металлического основания 11 составляют 4848 мм, а размеры расположенной на нем структуры 4444 мм. Просветляющий слой 10 исключает потери на отражение излучения от -слоя, то есть повышает коэффициент поглощения фотонов -слоем 5. Поскольку концентрация электронов в -слое 3 при инжекции фотогенерированных электронов из слоя 5 достигает 1019 см-3 и выше, а концентрация...

Солнечный термоэлектрический холодильник

Загрузка...

Номер патента: 15155

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: солнечный, холодильник, термоэлектрический

Текст:

...подложке, на столбиковую поверхность которой последовательно методом газофазной эпитаксии нанесен -слой 2, -слой 3, -слой 4 и методом ионного распыления электропроводящий слой 5 из светопрозрачного материала. В соответствии с результатами расчета оптимальная высота столбиков диаметром(50200) микрон составляет (50150) микрон, а расстояние между столбиками (50100) микрон. В результате суммарная площадь фоточувствительной структуры типа-...

Способ изготовления термоэлектрического солнечного холодильника

Загрузка...

Номер патента: 15154

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: термоэлектрического, способ, солнечного, изготовления, холодильника

Текст:

...процесса диффузии бора 10001100 С, а время процесса составляет 0,30,5 часа. Методом термической диффузии на поверхности кремниевой монокристаллической области (подложки) формируют сильнолегированный слой-типа толщиной 0,10,3 мкм введением акцепторной примеси - бора с концентрацией (10201021) см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 С, а время процесса составляет 0,20,5 часа. На сформированный-слой широкозонного полупроводника со...

Способ изготовления солнечного термоэлектрического холодильника

Загрузка...

Номер патента: 15174

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: изготовления, солнечного, холодильника, термоэлектрического, способ

Текст:

...арсенида галлия, легированный -акцепторной примесью с концентрацией 31020 см-3, толщиной 0,1 микрон, который является омическим контактом к решетчатому верхнему металлическому контакту солнечного термоэлектрического холодильника -, осуществляют при температуре основания 400450 С со средней скоростью 2030 /сек. На торцевую сторону солнечного термоэлектрического холодильника по периметру наносят защитный диэлектрический слой диоксида кремния (2)...

Солнечный термоэлектрический холодильный элемент

Загрузка...

Номер патента: U 5540

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Андрей Васильевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/28

Метки: термоэлектрический, элемент, холодильный, солнечный

Текст:

...сформирована методом фотолитографии на р-слое 1, то есть на полупроводниковой подложке, на решетчатую поверхность которой последовательно методом газофазной эпитаксии нанесен -слой 2, -слой 3, р-слой 4 и методом ионного распыления электропроводящий слой 5 из светопрозрачного материала. 3 55402009.08.30 В соответствии с результатами расчета оптимальная высота выступов составляет(30300) микрон, угол наклона граней выступов к своей оси -...

Солнечный термоэлектрический холодильник

Загрузка...

Номер патента: 9339

Опубликовано: 30.06.2007

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 35/28

Метки: холодильник, термоэлектрический, солнечный

Текст:

...например из арсенида галлия, ее толщина определяется полным поглощением в ней тепловой энергии решетки электронами, экстрагируемыми из слоя 6 -узкозонного полупроводника через анизо-типный резкий р- гетеропереход, и,как показали результаты эксперимента, составляет (25). Сильнолегированный р-слой 10 представляет часть р-области 9, который сформирован путем введения высокой концентрации акцепторной примеси 1020 см-3, обладает малым...

Полупроводниковый холодильник

Загрузка...

Номер патента: 7011

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович, Сычик Андрей Васильевич, Лашицкий Эдуард Казимирович

МПК: H01L 35/28

Метки: полупроводниковый, холодильник

Текст:

...коэффициентом передачи электронов на р-область 3 нанесен варизонный рМг-слой 5 также методом жидкофазной или газофазной эпитаксии, который согласовывает р-область 3 и р 1-область 6 по постоянным кристаллических решеток. Варизонный ртг-слой 5 представляет твердыйраствор интерметаллического соединения АХА В. Параметр степени концентрациикомпонента в ртг-слое 5 Изменяется от нуля до единицы, причем со стороны р-области 3 он представляет...

Способ изготовления полупроводникового термоэлемента

Загрузка...

Номер патента: 7007

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шамкалович Владимир Иванович, Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович, Калантаева Татьяна Владимировна

МПК: H01L 35/28

Метки: способ, термоэлемента, полупроводникового, изготовления

Текст:

...выполнена из широкозонного бинарного соединения баАз, то варизонный слой реализуется структурой 1 пх 6 а 1 ХА 5, где х - параметр степени концентрации компонента в растворе, путем монотонного снижения интенсивности потока компонента Ап 1 от максимального значения до нуля и монотонного повышения интенсивности потока компонента Ап 2 от нуля до максимального значения. Параметр х изменяется от 1 до нуля. Режим формирования варизонного слоя Ап 1...

Термоэлектрический холодильник

Загрузка...

Номер патента: 6828

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Сычик Андрей Васильевич, Шамкалович Владимир Иванович, Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 35/28

Метки: термоэлектрический, холодильник

Текст:

...экстрагируемых из 1- в 1-область и, как показали результаты эксперимента, составляет (25). Сильнолегированный 1 слой 4 представляет часть 1-области 3, который сформирован путем введения высокой концентрации донорной примеси 1020 см-3, обладает малым сопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим слоем 7. Сильнолегированный 1-слой 6 представляет часть 1-области 5 и также сформирован методом диффузии или ионной имплантации...