H01L 33/00 — Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, специально предназначенные для светового излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов

Люминофорная композиция

Загрузка...

Номер патента: 18119

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Дробышевская Наталья Евгеньевна, Бойко Андрей Андреевич, Подденежный Евгений Николаевич, Трусова Екатерина Евгеньевна, Бобкова Нинель Мироновна, Урецкая Ольга Владиславовна

МПК: C09K 11/80, H05B 33/14, H01L 33/00...

Метки: люминофорная, композиция

Текст:

...наноструктурированный порошок иттрий-алюминиевого граната, легированного церием, прокаленный в атмосфере аргона, в качестве оксидного стекла легкоплавкое стекло состава 23-232-2 при следующем соотношении компонентов, мас.наноструктурированный порошок иттрий-алюминиевого граната, легированного церием - 11,0 легкоплавкое стекло состава 2 з-23-2-2 - 44,5 порошок кварцевого стекла - 44,5. В состав композиции люминофор вводится в виде...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович, Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович

МПК: B82B 3/00, H01L 33/00, H01L 21/02...

Метки: галлия, эпитаксиальному, способ, p-gan, изготовления, слою, прозрачного, контакта, нитрида, омического

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур

Загрузка...

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Рябцев Геннадий Иванович, Беляева Ада Казимировна, Баранов Валентин Владимирович, Телеш Евгений Владимирович, Паращук Валентин Владимирович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02, H01S 3/04...

Метки: алмазного, теплоотводящего, способ, диодных, структур, лазерных, изготовления, основания

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...

Полупроводниковый светодиод

Загрузка...

Номер патента: U 7184

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, полупроводниковый

Текст:

...стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через прямосмещенные - первый переход дырок и - второй прямосмещенный переход электронов и составляет (1,11,6), где- диффузионная длина носителей заряда. Сильнолегированный -слой 1 широкозонного полупроводника сформирован на металлическом основании 2 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021) см 3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 13804

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: прозрачного, эпитаксиальному, способ, изготовления, p-gan, омического, слою, контакта

Текст:

...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...

Светоизлучающий элемент

Загрузка...

Номер патента: 13634

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Абдуллаев Олег Рауфович, Леончик Сергей Викентьевич, Шишонок Елена Михайловна, Якунин Александр Сергеевич

МПК: H01L 33/00, H01L 27/15

Метки: элемент, светоизлучающий

Текст:

...шире спектральный диапазон световой эмиссии, тем меньше ее температурное тушение. Излучательные электронные переходы (типа 4-4, 45) на трехвалентных ионах различных редкоземельных элементов, инкорпорированных в различные кристаллические матрицы, являются источниками световой эмиссии в виде линейчатых спектров или широких полос в УФ, видимом или ИК - диапазонах. Указанные электронные переходы запрещены для свободных ионов, но оказываются...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN

Загрузка...

Номер патента: 13504

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Павловский Вячеслав Николаевич, Шуленков Алексей Серафимович, Яблонский Геннадий Петрович, Данильчик Александр Викторович, Новицкий Николай Николаевич, Луценко Евгений Викторович, Стогний Александр Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: изготовления, прозрачного, слою, контакта, эпитаксиальному, омического, p-gan, способ

Текст:

...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...

Способ сборки лазерных структур на теплоотводящем основании из керамики нитрида бора

Загрузка...

Номер патента: 13388

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Паращук Валентин Владимирович, Леончик Сергей Викентьевич, Рябцев Геннадий Иванович, Тепляшин Леонид Леонидович, Жиздюк Татьяна Борисовна, Безъязычная Татьяна Владимировна, Красковский Андрей Сергеевич, Микаелян Геворк Татевосович, Шишенок Николай Александрович, Титовец Сергей Николаевич, Кабанов Владимир Викторович, Рябцев Андрей Геннадьевич, Щемелев Максим Анатольевич, Шишенок Елена Михайловна, Богданович Максим Владимирович, Соколов Сергей Николаевич, Пожидаев Александр Викторович, Беляева Ада Каземировна

МПК: H01L 33/00, H01S 5/00

Метки: лазерных, теплоотводящем, основании, структур, керамики, нитрида, бора, сборки, способ

Текст:

...распределение припоя по поверхности монтажной пластины можно получить нанесением последовательно в едином технологическом цикле четырех металлов хромникель-олово-серебро (патент 2173913, МПК 601 21/58, опубл. 15.07.1999). Каждый из вышеперечисленных способов имеет свой недостаток. Так, в техническом решении по патенту 2075140 на монтажную поверхность наносится слой золота,геометрические параметры которого необходимо выдерживать в жестких...

Способ повышения эффективности излучения пленки органического полупроводника

Загрузка...

Номер патента: 11684

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Яблонский Геннадий Петрович, Гурский Александр Леонидович, Луценко Евгений Викторович, Хойкен Михаель, Павловский Вячеслав Николаевич, Осипов Константин Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: пленки, органического, полупроводника, повышения, излучения, способ, эффективности

Текст:

...Способ повышения эффективности люминесценции органических полупроводниковых пленок рассмотрим на примере термического отжига органического полупроводника,(1-) - ,(1,1-)-4,4- (-). Заявленный способ проиллюстрирован чертежами 2 11684 1 2009.02.28 Фиг. 1 - схематическое изображение стенда для термической обработки пленок органических полупроводников. Фиг. 2 - график зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) органического...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Шуленков Алексей Серафимович, Хойкен Михаель, Шинеллер Бернд, Луценко Евгений Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Стогний Александр Иванович

МПК: H01L 21/28, H01L 33/00, H01L 21/283...

Метки: изготовления, слою, эпитаксиальному, прозрачного, контакта, p-gan, способ, омического

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...

Способ изготовления светоизлучающего диода

Загрузка...

Номер патента: 4669

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Савостьянова Наталья Александровна, Лойко Галина Ивановна, Закроева Нина Михайловна, Корытько Дмитрий Константинович

МПК: H01L 33/00

Метки: светоизлучающего, изготовления, диода, способ

Текст:

...структура после утонения пластины до 110 мкм и формирования омического контакта - к подложке. На фиг. 7 представлена структура после травления подложки через маски разнотолщинных резистов. На фиг. 8 представлена структура после формирования линзы. Пример осуществления способа. Для изготовления СИД в качестве полупроводникового материала используют п- подложку, на которой методом жидкофазной эпитаксии выращены п- буферный слой толщиной 5 мкм,...

Светоизлучающий прибор

Загрузка...

Номер патента: 3790

Опубликовано: 30.03.2001

Автор: Тептеев Алексей Алексеевич

МПК: H01L 33/00

Метки: светоизлучающий, прибор

Текст:

...направленности. Эта задача достигается тем, что СП содержит концентратор из полупроводникового материала, выполненный в виде усеченного конуса с металлизированными стенками, в меньшем основании которого расположен светоизлучающий слой, а в большом - линза, что позволяет сузить диаграмму направленности и увеличить внешнюю квантовую эффективность. По сравнению с прототипом 3 предлагаемый СП имеет существенные отличия за счет того, что...