H01L 31/04 — предназначенные для работы в качестве фотоэлектрических преобразователей, например фотоэлектрические модули или единичные фотоэлектрические элементы

Солнечный термоэлектрический холодильник

Загрузка...

Номер патента: 18317

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: холодильник, термоэлектрический, солнечный

Текст:

...поглощения фотонов от воздействия солнечного излучения структурой термоэлектрического солнечного холодильника на поверхность слоя 6 нанесен слой проводящего материала 7 из светопрозрачного материала, который выполняет функцию просветляющего слоя, снижающего поверхностную рекомбинацию носителей заряда на границе -слой 6 - проводящий слой 7. Толщина проводящего слоя 7 из светопрозрачного материала ( 0,0) составляет (0,52,0) мк. При...

Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18230

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, полупроводниковый, преобразователь, солнечной

Текст:

...полупроводника сформирован на -слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией 10 2010 21 см-3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим основанием 5. Его толщина составляет (0,10,4). Аналогичной концентрацией легирующей примеси обладает сильнолегированный -слой 6 широкозонного полупроводника, размещенный на -слое 1, однако его толщина составляет (0,30,5). Омическим контактом к...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18229

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводникового, преобразователя, энергии, способ, солнечной, изготовления

Текст:

...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/18, H01L 31/04

Метки: энергии, преобразователя, солнечной, способ, полупроводникового, изготовления

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Фотоэлектрический преобразователь

Загрузка...

Номер патента: U 9951

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Новиков Андрей Геннадьевич, Козадаев Константин Владимирович, Гайдук Петр Иванович, Микитчук Елена Петровна, Шевцова Виктория Игоревна

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, фотоэлектрический

Текст:

...прирост эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую на 8,3 за счет использования эффекта ППР золотых наночастиц 3. Основным недостатком этого устройства является технологически сложный метод формирования слоя наночастиц золота путем осаждения их из коллоидного раствора, мало пригодный для серийного производства и обладающий низкой адгезией к поверхности. Задача предлагаемой полезной модели заключается в создании...

Устройство когенерации из солнечного излучения

Загрузка...

Номер патента: U 9188

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович, Залесский Валерий Борисович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H01L 31/04

Метки: когенерации, устройство, солнечного, излучения

Текст:

...расположены по обе стороны цилиндрической эпитаксиальной структуры, причем их плоскость симметрии проходит через ось симметрии цилиндрической эпитаксиальной структуры и перпендикулярна прямым солнечным лучам в полдень, а плоскость симметрии цилиндрической эпитаксиальной структуры совмещена с фокусами обеих прозрачных фокусирующих линз, оптические оси которых параллельны лучам Солнца утром и вечером первую и вторую параболоцилиндрические линзы,...

Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: U 8466

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, солнечной, электрическую, преобразования, устройство

Текст:

...Как показали результаты расчета и эксперимента,высота выступов-слоя 2 составляет 100200 мкм, их диаметр равен 100200 мкм, а ширина впадин, то есть расстояние между выступами, составляет 100200 мкм. Затем на сформированный-слой 2 с выступами и впадинами конформно наносятся методом молекулярно-лучевой эпитаксии -слой 3 того же широкозонного полупроводника собственной проводимости, обладающего высокой подвижностью носителей...

Солнечный термоэлектрический холодильник

Загрузка...

Номер патента: 15155

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 35/28

Метки: солнечный, термоэлектрический, холодильник

Текст:

...подложке, на столбиковую поверхность которой последовательно методом газофазной эпитаксии нанесен -слой 2, -слой 3, -слой 4 и методом ионного распыления электропроводящий слой 5 из светопрозрачного материала. В соответствии с результатами расчета оптимальная высота столбиков диаметром(50200) микрон составляет (50150) микрон, а расстояние между столбиками (50100) микрон. В результате суммарная площадь фоточувствительной структуры типа-...

Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 15176

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Леонов Василий Севастьянович, Латышев Сергей Викторович, Денисенко Михаил Фёдорович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, изготовления, солнечной, способ, преобразователя, электрическую

Текст:

...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...

Преобразователь солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 15175

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Леонов Василий Севастьянович, Латышев Сергей Викторович, Денисенко Михаил Фёдорович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, электрическую, преобразователь, солнечной

Текст:

...полупроводника легирован акцепторной примесью с концентрацией (10161017) см-3, его толщина обусловливается максимальным переносом фото -инжектированных в -слое 2 носителей к-слою 4. Как показали результаты эксперимента, толщина -слоя 3 широкозонного полупроводника составляет (0,20,4) . Сильнолегированный -слой 4 широкозонного полупроводника сформирован на р-слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021)...

Способ изготовления термоэлектрического солнечного холодильника

Загрузка...

Номер патента: 15154

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 35/28, H01L 31/04

Метки: солнечного, изготовления, термоэлектрического, способ, холодильника

Текст:

...процесса диффузии бора 10001100 С, а время процесса составляет 0,30,5 часа. Методом термической диффузии на поверхности кремниевой монокристаллической области (подложки) формируют сильнолегированный слой-типа толщиной 0,10,3 мкм введением акцепторной примеси - бора с концентрацией (10201021) см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 С, а время процесса составляет 0,20,5 часа. На сформированный-слой широкозонного полупроводника со...

Способ изготовления солнечного термоэлектрического холодильника

Загрузка...

Номер патента: 15174

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 35/28

Метки: способ, термоэлектрического, холодильника, изготовления, солнечного

Текст:

...арсенида галлия, легированный -акцепторной примесью с концентрацией 31020 см-3, толщиной 0,1 микрон, который является омическим контактом к решетчатому верхнему металлическому контакту солнечного термоэлектрического холодильника -, осуществляют при температуре основания 400450 С со средней скоростью 2030 /сек. На торцевую сторону солнечного термоэлектрического холодильника по периметру наносят защитный диэлектрический слой диоксида кремния (2)...

Многослойный солнечный преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 13692

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Кулешов Владимир Константинович, Кравченко Владимир Михайлович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечный, преобразователь, многослойный

Текст:

...Сущность изобретения поясняется на фиг. 1, на которой приведена схема расположения слоев и элементов преобразователя, где 1 - фронтальный контакт,2 - антиотражающее покрытие,3 - верхний полупроводниковый (п/п) элемент,4 - туннельный переход,5 - нижний полупроводниковый (п/п) элемент,6 - прозрачный проводящий слой,7 - прозрачный диэлектрик,8 - части тыльного контакта,9 - ряды детектирующих антенных элементов,10 - слои с квантовыми...

Полупроводниковый преобразователь оптических излучений

Загрузка...

Номер патента: U 6298

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: излучений, оптических, преобразователь, полупроводниковый

Текст:

...эпитаксии, представляющий твердый раствор интерметаллического соединения 1. Параметр степени концентрации компонента в раствореизменяется от ну 21 ля до единицы, причем со стороны -слоя 4 из узкозонного полупроводника он представляет материал этого слоя -, а со стороны -области - перехода 2 - материал этой 2 области, то есть соединение 1. Например, если материалом -области - перехода являетсяс 21,43 эВ, а материалом -слоя 4 -с 30,36...

Полупроводниковый датчик солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: U 5383

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, энергии, датчик, солнечной

Текст:

...и обеспечивает омический контакт с электропроводящим слоем 4. Его толщина составляет (0,10,3) . Омическим контактом к р-слою 3 является проводящий слой 4,выполненный из прозрачного материала, например окиси индия-олова, который одновременно является просветляющим слоем. Он формируется толщиной (13) мкм. С помощью электропроводящего клея к нему по периметру присоединяется внешний металлический вывод 5, а сильнолегированный...

Солнечный термоэлектрический холодильник

Загрузка...

Номер патента: 9339

Опубликовано: 30.06.2007

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 35/28

Метки: солнечный, холодильник, термоэлектрический

Текст:

...например из арсенида галлия, ее толщина определяется полным поглощением в ней тепловой энергии решетки электронами, экстрагируемыми из слоя 6 -узкозонного полупроводника через анизо-типный резкий р- гетеропереход, и,как показали результаты эксперимента, составляет (25). Сильнолегированный р-слой 10 представляет часть р-области 9, который сформирован путем введения высокой концентрации акцепторной примеси 1020 см-3, обладает малым...

Преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 9069

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Сычик Андрей Васильевич, Шамкалович Владимир Иванович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/0352, H01L 31/06...

Метки: солнечной, преобразователь, энергии

Текст:

...носителей заряда . Р-варизонный слой 7 создает градиент напряженности электрического поля, ускоряя перенос фотогенерированных носителей заряда. Для достижения оптимального по максимуму разделения генерированных в р-варизонном слое 7 носителей заряда в диапазоне энергии фотонов 12 ширина этого слоя не должна превышать диффузионной длины основных избыточных носителей и составляет(0,5-0,9), причем она максимальная для полупроводников с...