H01L 31/00 — Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, специально предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов

Термофотоэлектрический преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 16817

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: H01L 31/00, H02N 6/00

Метки: преобразователь, термофотоэлектрический

Текст:

...преобразователе цилиндрическая линза Френеля 1 оптически связана через первый спектроделитель 3 и протяженный цилиндрический эмиттер 2 со вторым спектроделителем 4, который оптически соединен с глухими зеркалами 5, отражательными элементами 6, фотоэлементами 7, при этом ось симметрии протяженного цилиндрического эмиттера 2 расположена параллельно большим сторонам цилиндрической линзы Френеля 1 и проходит через ее фокус. Отражательные...

Фотодиод

Загрузка...

Номер патента: 16070

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельяненко Юрий Савельевич, Стельмах Вячеслав Фомич, Чапланов Аркадий Михайлович, Колос Владимир Владимирович, Маркевич Мария Ивановна, Адашкевич Сергей Владимирович

МПК: H01L 31/00

Метки: фотодиод

Текст:

...С 49. Из фигуры видно, что слой полупроводника 1 расположен на кремниевой подложке 2. На внешней стороне слоя полупроводника 1 расположен прозрачный металлический электрод 3, например, на основе тонкой (10 нм) пленки золота, образующей с ней выпрямляющий переход, а между второй стороной слоя полупро 2 16070 1 2012.06.30 водника 1 и кремниевой подложкой 2 расположен второй электрод 4, например, на основе приповерхностного слоя кремниевой...

Способ получения гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович

МПК: C01G 28/00, C30B 23/06, C30B 29/10...

Метки: полупроводниковых, способ, основе, материалов, гетероструктуры, получения

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Способ изготовления фотодиода

Загрузка...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сивец Василий Иосифович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/00

Метки: фотодиода, способ, изготовления

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Преобразователь солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 13915

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H02N 6/00, H01L 31/00

Метки: преобразователь, электрическую, солнечной, энергии

Текст:

...элементов преобразователя солнечной энергии. В преобразователе солнечной энергии в электрическую входное солнечное излучение 1 параллельно поступает в массив оптических средств 3 и фокусирующий концентратор отражающего типа 2, содержащий оптически последовательно расположенные сферические зеркала 13 и плоские зеркала 14. Плоские зеркала 14 оптически связаны с массивом оптических средств 3, в котором каждое из оптических средств связано с...

Электронный тонкопленочный элемент

Загрузка...

Номер патента: 13885

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: G03F 7/00, H01L 31/00

Метки: тонкопленочный, элемент, электронный

Текст:

...активного слоя 2 прозрачной диэлектрической подложки 1 через нее и внутренний активный слой 3. Проводящие области выходные 4 электрически связаны как непосредственно, так и туннельно через наноразмерные зазоры 5 с проводящими приемными областями 6, фиг. 2. В конкретном исполнении прозрачная диэлектрическая подложка 1 - это тонкопленочный прозрачный материал, который выполнен, например, из полиэтилентерефталата (диэлектрического прозрачного...

P-I-N-фотодиод с управляемой оптическим излучением ёмкостью

Загрузка...

Номер патента: 9651

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Малышев Сергей Александрович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 27/14, H01L 31/00

Метки: ёмкостью, p-i-n-фотодиод, излучением, управляемой, оптическим

Текст:

...проводимостью. Совокупность указанных признаков позволяет увеличить сопротивление - перехода и создать условие накопления фотоносителями избыточного электрического заряда в поглощающем полупроводнике с собственной проводимостью, что приводит к увеличению добротности фотодиода и уменьшению необходимой для управления оптической мощности. Данный фотодиод может также использоваться при оптическом управлении СВЧ цепями в качестве...

Лавинный фотоприемник

Загрузка...

Номер патента: 6271

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/00

Метки: фотоприемник, лавинный

Текст:

...проводимости 2 с участками буферного слоя 4 соединены параллельно. На обратной стороне подложки 1 сформирован второй металлический электрод 7, образующий омический контакт к подложке 1. Устройство работает следующим образом. К металлическим электродам 5 и 7 прикладывается постоянное напряжение таким образом, чтобы - переход находился под обратным смещением. При этом все приложенное напряжение в основном падает на буферном слое 4 и области...

Лавинный фотоприемник

Загрузка...

Номер патента: 2929

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 31/00

Метки: фотоприемник, лавинный

Текст:

...следующим образом. В кремниевой пластине -типа проводимости с удельным сопротивлением 20 Омсм формировался защитный слой 0,3 мкм и методами оптической литографии- топологический рисунок слоев 2 и 3, обеспечивающий равноудаленность границ слоев 2 и 3. Затем проводилось локальное травление окисного слоя, снятие фоторезиста, повторная фотолитография со вскрытием окон только под слой 2 и ионная имплантация бора во вскрытые окна. При...