H01L 29/66 — типы полупроводниковых приборов

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 18057

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: быстродействующих, тиристоров, основе, способ, кремния, изготовления

Текст:

...структуры при этом защищают экраном,непроницаемым для электронов. Новым, по мнению автора, является то, что подвергают локальному облучению электронами область структуры под катодным электродом через отверстия в экране диаметром от 0,7 до 1,1 мм, которые равномерно распределены по площади экрана и расположены друг от друга на расстоянии от 0,8 до 1,2 мм, причем область поверхностной фаски тиристорной структуры при этом защищена...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Комаров Фадей Фадеевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Мильчанин Олег Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: способ, диода, изготовления, шоттки

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: шоттки, изготовления, диода, способ

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13060

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Токарев Владимир Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Шамягин Виктор Павлович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, диода, изготовления, шоттки

Текст:

...Если отжиг проводить более 180 минут при температуре более 1040 С, то глубина залегания перехода охранного кольца будет слишком большой, а поверхностная концентрация бора в охранном кольце пониженной,что приведет к снижению величины обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Если отжиг проводить в окислительной среде, то поверхностная концентрация бора в охранном кольце будет...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 12994

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: основе, тиристоров, способ, изготовления, кремния, быстродействующих

Текст:

...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...

Высоковольтный биполярный транзистор

Загрузка...

Номер патента: 12019

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: транзистор, биполярный, высоковольтный

Текст:

...до 0,2 мкм позволяет улучшить защитные свойства пассивирующего покрытия и компенсировать механические напряжения, возникающие на границе нитрид кремния - слой легкоплавкого стекла из-за разности их термических коэффициентов линейного расширения. В совокупности это обеспечивает дополнительное повышение выхода годных ВБТ. При толщине слоя нитрида кремния менее 0,05 мкм улучшение защитных свойств не достигается и компенсации механических...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 12057

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, шоттки, диода, способ

Текст:

...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...

Импульсное фотоприемное устройство

Загрузка...

Номер патента: 11738

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Зиневич Сергей Болеславович, Гордеев Николай Александрович

МПК: H03K 17/78, H01L 29/66, G01J 1/42...

Метки: устройство, импульсное, фотоприемное

Текст:

...транзистора соединен с токозадающим резистором и конденсатором, а исток полевого транзистора соединен с истоковым резистором, второй вывод которого и затвор полевого транзистора соединены с катодом ЛФД. При этом параметры нормально открытого полевого транзистора и истокового резистора выбраны так, что при заданном максимально допустимом значении фототока падение напряжения на истоковом резисторе равно напряжению отсечки полевого транзистора,...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 10443

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, диода, способ, шоттки

Текст:

...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...

Способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП – транзистора

Загрузка...

Номер патента: 10510

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Жигалко Игорь Борисович, Турцевич Аркадий Степанович, Карпов Иван Николаевич, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: мощного, высоковольтного, изготовления, способ, транзистора, дмоп

Текст:

...ДМОП-транзистора по способу-прототипу, а фиг. 10-18 - по предлагаемому способу. На фиг. 1 изображено поперечное сечение после формированияэпитаксиальной структуры 1, окисного слоя 2, создания фотолитографией рисунка охранных областей-типа проводимости 3. На фиг. 2 - структура после ионного легирования бором, удаления фоторезистивной маски и разгонки внедренной примеси, где 4 - -охранная область. На фиг. 3 - структура после...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 10252

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Карпов Иван Николаевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/00, H01L 29/66

Метки: диод, шоттки

Текст:

...счет уменьшения механических напряжений в первом барьерном слое, величина которых может превышать 1 ГПа. Никель также блокирует диффузию кислорода в силицид платины и обеспечивает формирование платиносодержащего первого барьерного слоя диода Шоттки с однородными свойствами, что, в свою очередь, приводит к снижению обратных токов, улучшению качества диодов Шоттки и повышению выхода годных. Кроме того, никель снижает высоту барьера барьерного...