H01L 29/06 — отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей

Конструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона

Загрузка...

Номер патента: U 10687

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Белый Владимир Николаевич, Казак Николай Станиславович, Мохаммед А. Бинхуссаин, Гасенкова Ирина Владимировна, Хани Абдулкарим Аларифи, Марзук Салех Алшамари, Мухуров Николай Иванович

МПК: H01L 29/06

Метки: метаматериала, диапазона, гиперболического, спектрального, конструкция, оптического

Формула / Реферат:

Конструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона, содержащая диэлектрическую подложку с периодической системой наноотверстий по всей площади поверхности, заполненных благородными металлами, отличающаяся тем, что наноотвеКонструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона, содержащая диэлектрическую подложку с периодической системой наноотверстий по всей площади поверхности,...

Высоковольтный МОП транзистор с изолированным истоком

Загрузка...

Номер патента: U 8247

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Гетьман Сергей Николаевич, Леонов Николай Иванович, Дудар Наталия Леонидовна

МПК: H01L 29/06

Метки: моп, высоковольтный, изолированным, истоком, транзистор

Текст:

...область противоположного типа проводимости, например дрейфовую область. Однако дрейфовая область в высоковольтном транзисторе имеет низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП транзистора и образованию утечки между областью базы и подложкой. Для предотвращения утечки между областью базы высоковольтного МОП транзистора и подложкой необходимо запереть паразитный МОП транзистор, подав на затвор паразитного...

Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от статического электричества

Загрузка...

Номер патента: 4988

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Емельянов Виктор Андреевич, Силин Анатолий Васильевич, Шведов Сергей Васильевич, Пономарь Владимир Николаевич, Усов Геннадий Иванович

МПК: H01L 29/06

Метки: моп, защиты, выходного, схемы, транзистора, элемент, статического, электричества, интегральной

Текст:

...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...