H01L 27/04 — с подложкой из полупроводника

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Ефименко Сергей Афанасьевич, Наливайко Олег Юрьевич, Малый Игорь Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: H01L 27/04, H01L 21/77

Метки: интегральной, способ, кремниевой, микросхемы, изготовления

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Многоколлекторный инжекционный вентиль

Загрузка...

Номер патента: 2338

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Долгий Николай Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Ким Владимир Анатольевич

МПК: H01L 27/04

Метки: вентиль, многоколлекторный, инжекционный

Текст:

...Естест ванне, что скорость процесса Расса сывания определяется величиной базот вого тока и условиями его подвода К областям накопленного заряда.Орнентапя коллекторнк Областей в соответствии с Указанной является прннниально важным моментом для достиения цели. Это объясняется тем, что длина, а соответственно и сопротивление участков пассивной азы между коллекторной н нзопИРУ-определяетсядлиной стороны прямо УГОЛЬНОГО КОЛЛЕКТОРЗ,...

Интегральная схема

Загрузка...

Номер патента: 1037

Опубликовано: 14.03.1996

Авторы: Силин А. В., Белоус А. И., Чернуха Б. М.

МПК: H01L 27/04

Метки: схема, интегральная

Текст:

...первой области 8 второго типа проводимости, она является коллектором, собирающим носители при инжекции первой области 9 второго типа проводимости,исключающим ее взаимодействие с другими областями второго типа проводимости В схеме.Поскольку на первую область 8 второго типа проводимости в рабочем режиме интегральной схемы подается положительное напряжение, а второй скрытый слой 11 второго типа проводимости заземлен, между ними возникает канал...