H01L 27/04 — с подложкой из полупроводника

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Ефименко Сергей Афанасьевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Малый Игорь Васильевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 27/04, H01L 21/77

Метки: кремниевой, изготовления, интегральной, микросхемы, способ

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Многоколлекторный инжекционный вентиль

Загрузка...

Номер патента: 2338

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Ким Владимир Анатольевич, Долгий Николай Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 27/04

Метки: многоколлекторный, инжекционный, вентиль

Текст:

...Естест ванне, что скорость процесса Расса сывания определяется величиной базот вого тока и условиями его подвода К областям накопленного заряда.Орнентапя коллекторнк Областей в соответствии с Указанной является прннниально важным моментом для достиения цели. Это объясняется тем, что длина, а соответственно и сопротивление участков пассивной азы между коллекторной н нзопИРУ-определяетсядлиной стороны прямо УГОЛЬНОГО КОЛЛЕКТОРЗ,...

Изобретения категории «с подложкой из полупроводника» в СССР.

Интегральная схема

Загрузка...

Номер патента: 1037

Опубликовано: 14.03.1996

Авторы: Белоус А. И., Чернуха Б. М., Силин А. В.

МПК: H01L 27/04

Метки: схема, интегральная

Текст:

...первой области 8 второго типа проводимости, она является коллектором, собирающим носители при инжекции первой области 9 второго типа проводимости,исключающим ее взаимодействие с другими областями второго типа проводимости В схеме.Поскольку на первую область 8 второго типа проводимости в рабочем режиме интегральной схемы подается положительное напряжение, а второй скрытый слой 11 второго типа проводимости заземлен, между ними возникает канал...