H01L 23/48 — приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода или вводы

Металлизация интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Владимирович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 21/28...

Метки: схемы, интегральной, металлизация

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Способ изготовления межэлементных соединений микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Лабан Эдуард Казимирович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/02, H01L 23/48...

Метки: межэлементных, соединений, изготовления, микросхемы, способ

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Материал для тонкопленочного омического контакта к кремнию

Загрузка...

Номер патента: 13808

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Колос Светлана Валентиновна

МПК: H01L 23/48, C22C 19/05

Метки: омического, тонкопленочного, кремнию, контакта, материал

Текст:

...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 23/52, H01L 23/48, H01L 21/02...

Метки: приборов, полупроводниковых, системы, кремниевых, изготовления, способ, металлизации

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Металлизация полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: полупроводникового, прибора, металлизация

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...

Пленочная токопроводящая система для кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9889

Опубликовано: 30.10.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/00, H01L 21/02...

Метки: токопроводящая, кремниевых, система, приборов, пленочная, полупроводниковых

Текст:

...Стандартно используемые толщины пленок сплавов алюминия, как следует из описания прототипа, составляют от 0,5 до 2,0 мкм. При этом размер зерна на ее поверхности может на порядок превышать размер зерна на границе с барьерным слоем. Наличие мелкокристаллической фазы в полученной токоведущей системе в области барьерного слоя отрицательно сказывается на устойчивости к электромиграции, поскольку основным его механизмом является перенос вещества...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9585

Опубликовано: 30.08.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: кремниевых, изготовления, способ, полупроводниковых, приборов, металлизации, системы

Текст:

...пленки, в том числе и в составе рассматриваемой системы, зависит от глубины. На границе с барьерным слоем поликристаллического или аморфного кремния металлическая пленка является мелкокристаллической. Это обусловлено как особенностями конденсации пленки на подложке при ее вакуумном напылении,так и последующим их взаимодействием. Более высокая концентрация кремния в металлической пленке со стороны подложки приводит к меньшему размеру...

Способ формирования металлизации обратной стороны кремниевой пластины

Загрузка...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: способ, металлизации, обратной, формирования, стороны, кремниевой, пластины

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Металлизация полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Кавунов Андрей Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 23/482, H01L 21/60, H01L 23/48...

Метки: металлизация, полупроводникового, прибора

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Металлизация полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Портнов Лев Яковлевич

МПК: H01L 23/482, H01L 23/48, H01L 21/60...

Метки: металлизация, прибора, полупроводникового

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...

Полупроводниковый прибор

Загрузка...

Номер патента: 3537

Опубликовано: 30.09.2000

Авторы: Баранов В. В., Дереченник Станислав Станиславович, Корчаго Наталия Васильевна, Достанко Анатолий Павлович, Урбан Михаил Владимирович, Старовойтов Иван Васильевич

МПК: H01L 23/48

Метки: прибор, полупроводниковый

Текст:

...а такжепоявления значительных обратных токов иснижения пробивного напряжения обратноемещенного диода в случаях касания проволочным проводом защитно-пассивирующего покрытия на планерной стороне. кристалла. Вероятность-такого касания существует по следующим причинамугловое смещение (перекос) вывода 10 при сборке из-за размягчения стекла баллона 13 в процессе образования метаплостеклянного спая. вероятного расположения кристалла со...

Способ обработки выводной рамки полупроводниковых и микроэлектронных приборов из железо-никелевого сплава перед покрытием драгоценными металлами

Загрузка...

Номер патента: 2146

Опубликовано: 30.06.1998

Авторы: Лях Николай Иванович, Ковалевский Александр Адамович, Калиберда Эмма Федоровна

МПК: H01L 23/48

Метки: способ, обработки, выводной, полупроводниковых, микроэлектронных, металлами, сплава, рамки, покрытием, железо-никелевого, драгоценными, приборов

Текст:

...полученной смешиванием азотной и уксусной кислот в соотношении 37, введением 8 - 10 мл хлористо-водородной кислоты на 1 л смеси и растворения никеля металлического до его концентрации 0,05 - 5 г/л в совокупности указанных признаков, позволяют исключить наличие железа на поверхности выводной рамки под золочение или серебрение, тем самым исключив его диффузию в процессе сборочных операций, создать сплошной блестящий слой никеля химическим...

Способ обработки выводных рамок из железоникелевых сплавов перед золочением

Загрузка...

Номер патента: 1957

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Чижик Александр Георгиевич, Дударчик Анатолий Иванович, Сычевская Регина Фоминична, Ковалевский Александр Адамович, Яворович Алексей Алексеевич, Лях Николай Иванович

МПК: H01L 23/48

Метки: сплавов, выводных, золочением, железоникелевых, обработки, рамок, способ

Текст:

...пятен, протравов и раковин помещали в ванну с раствором для консервации, затем использовали и для золочения. Определив ВРЗМН золочения рамок по контрольному процессу длн обеспеченя толщины (1,03,0) мкм помещали их по 12 штук в установку для локального ЗОЛОЧЕНИВ выводных рамок и проводили локальноепосле золочения выводные рамки выгружались и проводилась оценка их качества и толщины. Оцена толщины проводилась весовым методом.Внешний вид...