H01L 21/82 — для получения приборов, например интегральных схем, каждый из которых состоит из нескольких компонентов

Термочувствительная интегральная схема

Загрузка...

Номер патента: 8810

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Володкевич Александр Антонович, Дворников Олег Владимирович, Муравьев Борис Дмитриевич

МПК: H01L 21/82, G01R 19/03

Метки: схема, термочувствительная, интегральная

Текст:

...кристалла, например, при помощи металлизированных межсоединений. В каждом кристалле сформирован биполярный транзистор 4, нагревательный резистивный элемент 5. Транзистор имеет Центрально расположенный коллекторный контакт 6, эмиттерные 7 и базовые 8 области. Эмиттерные области расположены по периферии транзистора максимально близко к нагревательному элементу симметрично относительно двух взаимно перпендикулярных осей УУ, 22. Эмиттерные,...

Способ изготовления низкопороговых КМДП-интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 2335

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Ершова Надежда Васильевна, Воронин Сергей Иванович, Костенко Евгений Михайлович

МПК: H01L 21/82

Метки: схем, кмдп-интегральных, изготовления, низкопороговых, способ

Текст:

...окислением в сухом ЕС 1 при Т 100 ОС 0создают подзатворный окисел толщиной 400 А. Из графиков, поназанннх на фиг.1 и 2, видно, что при этом пороговые напряжения р-канального транзистора соспэплнт 0,7 В, пнанального транзистора 050 В. Затем наносят полпкремний И с помощью фотолито г графин формируют электродьтзатворов и первый уровень металли зации. Затем формируют межслоиннй диэлектрик и о помощью фотолитографии вскрывают отверстия к...