H01L 21/66 — испытания или измерения в процессе изготовления или обработки

Способ радиационной отбраковки диодов Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18058

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Петрович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: шоттки, диодов, радиационной, отбраковки, способ

Текст:

...до 5,1610-2 Кд/кг, одновременно пропуская через диоды прямой ток, величина которого составляет от 1 до 5 максимального прямого тока диода, измеряют величину пробивного напряжения у облученных диодов и осуществляют их отбраковку по изменению этой величины. Сущность способа состоит в следующем. Диоды Шоттки облучают при комнатной температуре малыми (относительно уровня легирования исходного полупроводника) дозами гамма-облучения при...

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Метки: способ, качества, пластины, контроля, монокристаллического, кремния, поверхности

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Способ радиационной отбраковки биополярных транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 17795

Опубликовано: 30.12.2013

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: способ, биополярных, отбраковки, радиационной, транзисторов

Текст:

...обратного тока упомянутых транзисторов для обеспечения активации поверхностных дефектов в переходах транзисторных структур осуществляют термическое воздействие на транзисторы в течение 50,5 ч при температуре 125 С при подаче на транзисторы смещения, составляющего не более 70 от максимально установленного запирающего напряжения для данных транзисторов, после чего осуществляют низкоинтенсивное радиационное и термическое воздействие на...

Способ отбора МОП-транзисторов для космической аппаратуры

Загрузка...

Номер патента: 17800

Опубликовано: 30.12.2013

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: отбора, аппаратуры, космической, способ, моп-транзисторов

Текст:

...отбор транзисторов. Отбраковываются изделия,изменения параметров которых выходят за пределы обычного статистического распределения. В основу предлагаемого метода положены следующие физические явления. При воздействии ионизирующих излучений в МОП-транзисторах происходят следующие процессы 6 генерация и накопление заряда в защитном диэлектрике изменение заряда поверхностных состояний на границе полупроводник-диэлектрик...

Способ определения времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика МДП-микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 17531

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Филипеня Виктор Анатольевич, Петлицкий Александр Николаевич, Чигирь Григорий Григорьевич, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/28

Метки: отказ, диэлектрика, мдп-микросхемы, способ, подзатворного, времени, наработки, определения

Текст:

...не протекает через диэлектрик и не создает вклада в деградацию диэлектрика, что приводит к увеличению погрешности измерений. С уменьшением длительности импульса величина погрешности возрастает, и при длительности импульса менее 5 мс точность измерений становится недопустимо низкой при использовании длительности импульса более 50 мс существенно возрастает время испытаний и нарушается экспрессность контроля. Время испытаний увеличивается до...

Способ контроля остаточных напряжений в кремниевой структуре покрытие SiO2–основа Si

Загрузка...

Номер патента: 17232

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Ходарина Людмила Петровна

МПК: G01L 1/25, H01L 21/66

Метки: кремниевой, способ, структуре, покрытие sio2–основа si, остаточных, контроля, напряжений

Текст:

...тонкой оболочки. По условию минимума свободной энергии край отделенной полоски покрытия должен был бы принять форму волны с осью симметрии,лежащей в срединной плоскости покрытия. Однако поскольку прогиб полоски возможен только в одну сторону (вверх от основы), то свободный край полоски изгибается по некоторой, как правило несимметричной, волнообразной кривой, смещенной вверх от основы. Волнообразный изгиб свободного края покрытия...

Способ радиационной отбраковки МОП-транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 15627

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: радиационной, способ, отбраковки, моп-транзисторов

Текст:

...а у приборов с небольшим количеством дефектов или бездефектных таких изменений значительно меньше. Так, количество накопленного при облучении в диэлектрике объемного заряда определяется дефектами роста пленки и количеством примесей в диэлектрике. Наличие указанных дефектов в МОП-транзисторах при одной и той же дозе излучения приводит к значительному сдвигу порогового напряжения по сравнению с транзисторами, не имеющими таких дефектов. 15627...

Способ отбора силовых кремниевых диодов для космических аппаратов

Загрузка...

Номер патента: 15625

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, силовых, способ, космических, отбора, кремниевых, аппаратов

Текст:

...к наличию любых структурных дефектов, в том числе и радиационных, является время жизни неравновесных носителей зарядаННЗ в базовой, наименее легированной области диодной структуры. Экспериментально установлено 6, что этот электрический параметр в диодах на кремнии в достаточно широком и важном для практики диапазоне доз облучения (Ф)(гамма-квантами, быстрыми электронами, нейтронами и протонами) сохраняет линейный характер зависимости...

Способ отбора силовых диодов с повышенной радиационной стойкостью

Загрузка...

Номер патента: 14465

Опубликовано: 30.06.2011

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: радиационной, способ, повышенной, силовых, диодов, отбора, стойкостью

Текст:

...после воздействия и отбор диодов по изменению этих параметров. Новым, по мнению авторов, является то, что облучение электронами проводят при температуре от 130 до 150 С флюенсами, составляющими от 10 до 15 от численного значения концентрации основной легирующей примеси в исходном полупроводниковом материале диодов. Сущность способа заключается в реализации возможности проведения полного цикла отбраковочных испытаний силовых диодов на...

Способ контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры

Загрузка...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: частности, изделия, полупроводниковой, способ, пластины, поверхности, качества, контроля, структуры

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Устройство для контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры

Загрузка...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01B 11/30, G01B 9/00, G01N 21/88...

Метки: пластины, полупроводниковой, поверхности, частности, изделия, структуры, устройство, качества, контроля

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Устройство для получения количественных характеристик дефектов поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 13857

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: характеристик, поверхности, изделий, количественных, получения, дефектов, устройство

Текст:

...содержащее точечный источник оптического излучения, держатель изделий и экран, содержит расположенную между источником излучения и держателем изделий координатную сетку, а также тем, что в качестве координатной сетки используют фотошаблон топологических структур полупроводниковых приборов. Сущность заявляемого технического решения заключается в формировании на контролируемой поверхности светотеневой координатной сетки, искажение...

Способ контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 13856

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: изделий, способ, поверхности, контроля, качества

Текст:

...в качестве координатной сетки. Формирование координатной сетки более дешевыми способами, например трафаретной печатью, как правило, повреждает поверхность полупроводниковых пластин. Поэтому их использование также ограничено. Таким образом, недостатки прототипа связаны с высокой трудоемкостью контроля,обусловленной как большим количеством технологических операций по приготовлению образцов для контроля, так и сложностью этих операций....

Способ определения концентрации примесных атомов водорода в кремнии

Загрузка...

Номер патента: 13506

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Медведева Ирина Федоровна, Мурин Леонид Иванович, Коршунов Федор Павлович

МПК: G01N 27/20, H01L 21/66

Метки: водорода, концентрации, способ, кремнии, определения, атомов, примесных

Текст:

...только в спектрах ИК поглощения 4), что делает данный центр непригодным для контроля содержания водорода в малых концентрациях. Комплекс является электрически активным центром с глубокими уровнями, однако вследствие возможного захвата второго атома водорода и трансформации данного центра в электрически неактивный комплекс 2 его концентрации могут сильно отличаться от концентрации водорода в образцах кремния. Для контроля содержания...

Способ разбраковки полупроводниковых кремниевых диодных структур

Загрузка...

Номер патента: 13236

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: диодных, кремниевых, полупроводниковых, разбраковки, способ, структур

Текст:

...прикладывают к тестовой структуре контакты и пропускают через нее импульсы прямого, а затем обратного тока, измеряют прямое падение напряжения и определяют время жизни неосновных носителей заряда в 2 13236 1 2010.06.30 базовой области, по которому осуществляют разбраковку структур, причем измеряют прямое падение напряжения посредством дополнительных контактов, прикладываемых к тестовой структуре. Сущность изобретения заключается в том,...

Способ отбраковки потенциально ненадежных силовых кремниевых диодов

Загрузка...

Номер патента: 13130

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: потенциально, ненадежных, способ, кремниевых, диодов, отбраковки, силовых

Текст:

...после проведения при упомянутом радиационном воздействии термоциклирования в диапазоне температур от - 75 до 185 С в течение от 30 до 40 мин. Сущность способа. Диоды, полученные на основе высокоомных кремниевых структур с переходом, подвергают термоциклированию (воздействию тепловых ударов при многократном изменении температуры от отрицательных до положительных и наоборот) в диапазоне от -75 до 185 С в течение 30-40 мин в процессе низко...

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: U 5775

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: качества, изделий, устройство, контроля, поверхности

Текст:

...уменьшением радиуса кривизны наблюдаемых топографических дефектов. В ряде случаев это приводит к фокусировке их изображения (изображение дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемая полезная модель поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения...

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: U 5480

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: изделий, поверхности, устройство, контроля, качества

Текст:

...источник оптического излучения, держатель образцов и экран, дополнительно содержит расположенную между источником излучения и держателем образцов координатную сетку, а также тем, что в качестве координатной сетки используют фотошаблон топологических структур полупроводниковых приборов. Сущность заявляемого технического решения заключается в формировании на контролируемой поверхности светотеневой координатной сетки, искажение изображения...

Способ ускоренной отбраковки полупроводниковых приборов с повышенной чувствительностью параметров к дестабилизирующим воздействиям

Загрузка...

Номер патента: 11849

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: способ, чувствительностью, дестабилизирующим, ускоренной, отбраковки, полупроводниковых, параметров, повышенной, воздействиям, приборов

Текст:

...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...

Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: радиационной, приборов, способ, отбраковки, основе, стойкости, полупроводниковых, кремния

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Способ выявления глубоких уровней в p-n-переходе полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 11643

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Шведов Сергей Васильевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, полупроводникового, p-n-переходе, выявления, прибора, уровней, способ

Текст:

...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...

Способ отбраковки высоковольтных кремниевых полупроводниковых диодов по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 11098

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: стойкости, полупроводниковых, способ, высоковольтных, диодов, кремниевых, отбраковки, радиационной

Текст:

...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...

Способ определения дозы ионного легирования полупроводниковой структуры

Загрузка...

Номер патента: 10818

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: легирования, структуры, способ, определения, дозы, полупроводниковой, ионного

Текст:

...см-3 и 1,041019 см-3 3, 10, т.е. все функции 11, 12, 13 описывают реакцию невырожденногона ионное облучение. Резистивный 1 и переходный 4 слои могут быть получены любым традиционным способом - эпитаксия осаждение поликристаллического полупроводника с одновременным или последующим его легированием до уровня не ниже (2-3)10 см-3 ионная имплантация. В последнем случае структура -(-) не имеет резкой границы, которая тогда условно...

Способ контроля механических напряжений в кремниевой структуре пленка SiO2–подложка Si

Загрузка...

Номер патента: 10215

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Пономарь Владимир Николаевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01L 1/25, H01L 21/66

Метки: контроля, напряжений, пленка sio2–подложка si, способ, структуре, кремниевой, механических

Текст:

...плотность интерференционных линий вне зависимости от ориентации сторон сосредоточена в углах окна. В случае круглого окна в каждой его точке создаются равные условия формирования интерференционной картины, зависящие только от действительных значений напряжений в данном азимутальном направлении. Выбор радиального направления для определения относительного удлинения отделенной от подложки пленки обусловлен тем, что только это удлинение...

Способ контроля качества поверхности изделия

Загрузка...

Номер патента: 10214

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Сенько Сергей Федорович, Сенько Александр Сергеевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: качества, изделия, поверхности, контроля, способ

Текст:

...областью в виде квадратного фрагмента размером . Фактический диаметр изображения всей поверхности пластины составляет 200 мм (1000 мм, т.е./2), фактический размер изображения фрагмента, т.е.40 мм (примечание в данном случае при печати все размеры несколько уменьшены). На фиг. 3 приведен упомянутый выделенный фрагмент изображения поверхности пластины с разделением его на четыре равных элемента размером , с усреднением яркости изображения...

Способ контроля качества поверхности изделия

Загрузка...

Номер патента: 10213

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: поверхности, контроля, способ, изделия, качества

Текст:

...таких поверхностей лучшую планаризацию. Материалы разных слоев покрытия также могут быть разными. Шероховатость поверхностей, используемых в изделиях микроэлектроники, оптики,точного машиностроения и др. областей науки и техники, где наличие дефектов поверхности является одним из показателей ее качества, соответствует преимущественно 6-14 классам. Поверхности 13-го и 14-го класса шероховатости являются зеркальными. Для контроля их качества...

Способ определения концентрации железа в кремниевых p+-n-структурах методом емкостной спектроскопии глубоких уровней

Загрузка...

Номер патента: 10299

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Комаров Борис Анатольевич, Мурин Леонид Иванович

МПК: G01L 27/00, H01L 21/66

Метки: емкостной, кремниевых, спектроскопии, железа, уровней, p+-n-структурах, определения, концентрации, глубоких, способ, методом

Текст:

...неразрушающего контроля к промышленным диффузионным переходам, в особенности к кремнию -типа. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения концентрации железа в кремниевых рструктурах методом емкостной спектроскопии глубоких уровней кремниевые рструктуры облучают при комнатной температуре высокоэнергетическими частицами с энергиями частиц больше граничной энергии для образования пар Френкеля в кремнии и такой дозой,...

Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, радиационной, основе, способ, отбраковки, кремния, стойкости, приборов

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Способ контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 9545

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Антон Викторович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: контроля, качества, способ, поверхности, изделий

Текст:

...оптического диапазона от точечного источника и анализ отраженного на экран светотеневого изображения 4.При Контроле поверхности согласно способу-прототипу свет от точечного источника направляют на контролируемую поверхность, а отраженный световой поток - на экран. Наличие дефектов поверхности приводит К локальному изменению угла отражения падающего света, что проявляется в изменении интенсивности освещения соответствующих этим дефектам...

Пирометр

Загрузка...

Номер патента: 9672

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Бублей Сергей Евгеньевич, Скубилин Михаил Демьянович, Письменов Александр Владимирович

МПК: H01L 21/66, G01J 5/58

Метки: пирометр

Текст:

...на частоте модуляции, выделение переменной состав ВУ 9672 С 1 200741830ляющей, регистрацию излучения под углом от нормали К поверхности излучения, равным главному углу падения луча, и выделение в детектируемом сигнале разности ортогонально поляризованных компонент излучения, по которой определяется температура поверхности объекта.Недостатки известного пирометра - необходимость модуляции излучения и выделения переменной составляющей...

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 9319

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01N 21/88, G01B 9/00, G01B 11/30...

Метки: контроля, изделий, качества, поверхности, устройство

Текст:

...Направление отраженного света обусловлено всевозможной пространственной ориентацией граней, приводя к диффузному отражению, т.е. рассеянию света. При больщих углах падения света часть граней неровностей попадает в область тени соседних неровностей поверхности.При этом освещается только часть граней неровностей поверхности, находящаяся вне тени И обращенная К источнику света. При дальнейшем увеличении угла падения света освещается все...

Способ контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 9318

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: качества, изделий, способ, поверхности, контроля

Текст:

...размер проекции микронеровностей на волновой фронтисточника излучения уменьшается пропорционально косинусу угла падения. При некотором достаточно большом угле этот размер становится меньше четверти длины волны, что приводит К возникновению зеркальной Компоненты в отраженном световом потоке.Совокупность рассмотренных факторов позволяет получить псевдозеркальную компоненту отраженного света, обеспечивающую формирование изображения контролируемой...

Способ четырехзондовой дозиметрии ионной имплантации

Загрузка...

Номер патента: 9323

Опубликовано: 30.06.2007

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66, H01L 21/265, H01L 21/02...

Метки: четырехзондовой, ионной, имплантации, способ, дозиметрии

Текст:

...концентрация основных носителей заряда о(х) постоянна по глубине х резистивного слоя 1 или модуль ее приведенного безразмерного градиента/1 при любом х, на точности косвенного измерения дозы по калибровочной кривой может негативно сказаться технологическая неоднородность / толщины выращенного резистивного слоя 1 в различных точках его поверхности. В случае о(х), известное выражение для ПС легированных полупроводниковых слоев 5 т.е....

Способ измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре

Загрузка...

Номер патента: 8857

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Киселев Владимир Иосифович, Пшенко Анатолий Николаевич

МПК: H01L 21/66

Метки: способ, измерения, структуре, полупроводниковой, ионов, дозы, имплантированной

Текст:

...и масс-спектрального рабочего диапазона.Поставленная задача достигается тем, что в способе измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре, включающем формирование на полупроводни шахковой подложке тестового элемента полевого типа, содержащего Контактные площадки истока И стока для зондовь 1 х измерений электрофизической характеристики тестового элемента в зависимости от приложенного К нему электрического...

Способ контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 8716

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: изделий, способ, поверхности, качества, контроля

Текст:

...несовершенства поверхности, являющиеся важным показателем качества контролируемых поверхностей. Они приводят к диффузному рассеянию света и не могут быть идентифицированы.В результате при использовании способа-прототипа контроль качества поверхности в ряде случаев оказывается недостаточно объективным. Причиной этого является недостаточно высокое качество получаемой светотеневой Картины, обусловленное наложением зеркально и диффузно...

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 8675

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66, G01N 21/88...

Метки: устройство, контроля, качества, изделий, поверхности

Текст:

...возможностей устройства за счет пространственного разделения оптических компонент, формирующих изображение контролируемой поверхности.Поставленная задача решается тем, что устройство для контроля качества поверхности изделий, включающее точечный источник оптического излучения, держатель образцов И экран, между источником Излучения И держателем образцов содержит подвижный трафарет, отверстие в котором обеспечивает освещение...

Способ контроля качества поверхностей изделий

Загрузка...

Номер патента: 8342

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич, Пуглаченко Елена Георгиевна

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: контроля, качества, поверхностей, изделий, способ

Текст:

...ямок и бугорков различных размеров и форм. Наличие ямки приводит к фокусировке отраженного света, что на топограмме проявляется в появлении более светлого, по сравнению со средней освещенностью топограммы, пятна. Наличие бугорка, наоборот, приводит к расфокусировке света, что проявляется в появлении на топограмме темного пятна. Интенсивность освещения любой точки на экране отражает локальную кривизну контролируемой поверхности в...

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 7255

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Александр Сергеевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01B 11/30, H01L 21/66

Метки: устройство, поверхности, качества, контроля, изделий

Текст:

...приведенной на фиг. 3, показано заявляемое устройство, включающее точечный источник света, помещенный в корпус 1, внутри которого установлено выпуклое зеркало. Источник света питается от блока питания 2, установленного вне рабочей зоны контроля. Свет от точечного источника после отражения от выпуклого зеркала попадает на предметный столик 3 с установленной на нем контролируемой пластиной. Отраженный пучок света направляется на экран...

Гравитационный сортировщик

Загрузка...

Номер патента: U 2035

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Баршай Федор Петрович, Пась Николай Сергеевич, Панков Александр Демидович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: гравитационный, сортировщик

Текст:

...размещена на продолжении линии хорды участка зацепления сектора, а центр делительной окружности совмещен с центром поворота рычага, позволяет обеспечить беззазорное зацепление и уменьшить погрешность совмещения выхода гибкой части трека со входами каналов сортировки. На фиг. 1 показана полезная модель - гравитационный сортировщик, вид со стороны пульта управления на фиг. 2 - то же, проекция на наклонную плоскость. На фиг. 3, 4, 5...

Способ контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 6374

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, поверхности, контроля, изделий, способ

Текст:

...разрешающей способности, глубины резкости, размеров и яркости изображения. 3 6374 1 Поставленная задача решается тем, что в способе контроля качества поверхности изделий путем наблюдения на экране изображения поверхности, полученного отражением света от контролируемого изделия, освещенного точечным источником, освещение проводят расходящимся пучком света. Сущность заявляемого способа заключается в формировании изображения контролируемой...