H01L 21/365 — с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение

Способ формирования слоев поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 8758

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Шкуратов Александр Георгиевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: C23C 16/24, H01L 21/365

Метки: кремния, способ, формирования, слоев, поликристаллического

Текст:

...то обеспечивается термическая однородность. Осаждение поликремния осуществляется только после вывода реактора на второй уровень температуры, чем обеспечивается минимальный разброс температуры как вдоль реактора, так и по поверхности пластин и, следовательно, повышается стабильность и воспроизводимость процесса осаждения по толщине слоя поликристаллического кремния. При высокой скорости подъема температуры (более 9 С/мин) термическая...