H01L 21/322 — для модификации их характеристик, например для образования внутренних дефектов кристаллической решетки

Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния

Загрузка...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Челядинский Алексей Романович, Оджаев Владимир Борисович, Васильев Юрий Борисович, Плебанович Владимир Иванович, Садовский Павел Кириллович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерного, способ, пластине, слоя, кремния, формирования

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: 16227

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322

Метки: полупроводниковая, пластина, кремниевая

Текст:

...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...

Способ изготовления полупроводниковой пластины кремния

Загрузка...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322

Метки: изготовления, кремния, пластины, полупроводниковой, способ

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 15745

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322

Метки: полупроводниковых, пластин, геттерирующее, кремниевых, покрытие

Текст:

...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: 15744

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластина, полупроводниковая, кремниевая

Текст:

...оксид титана или тантала легко растворяется в силициде, в результате чего барьер для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера в виде оксидной пленки исчезает. Эти силициды создают наименьшие механические напряжения в получаемой пластине. Кроме этого, рассматриваемые силициды образуют самоформирующиеся слои. Это значит, что они не растворяются во всем объеме полупроводниковой подложки,а существуют только в виде локализованного...

Способ формирования геттерирующего покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 15321

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/322, C23C 16/22

Метки: геттерирующего, покрытия, формирования, пластин, способ, полупроводниковых, кремниевых

Текст:

...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 15320

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/34, H01L 21/322

Метки: кремния, полупроводниковых, изготовления, способ, пластин

Текст:

...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 15319

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 8/02

Метки: кремния, пластин, изготовления, полупроводниковых, способ

Текст:

...в течение 30-150 с, далее в плазме аргона в течение 10-60 с, а затем в плазме кислорода в течение времени, необходимого для получения пленки требуемой толщины. Сущность заявляемого технического решения заключается в полном удалении оксида кремния, образовавшегося в результате проведения химобработки и при хранении пластин на воздухе, и последующем окислении чистой поверхности кремния в плазме кислорода. Процессы химической отмывки...

Способ радиационной обработки кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 8754

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/263, H01L 21/322...

Метки: способ, радиационной, приборов, полупроводниковых, кремниевых, обработки

Текст:

...носителей заряда, можно достичь, если рекомбинационные центры распределены не равномерно по базовой области, а в виде профиля, спадающего вглубь базы. Это позволяет существенно (уменьшить) снизить энергопотери на приборе в проводящем состоянии.Сущность изобретения состоит в том, что готовые кремниевые приборы, находящиеся под обратным смещением, подвергают облучению пучком электронов при пониженной температуре 90-120 К. Такая...