H01L 21/314 — из неорганических веществ

Способ создания пассивирующего покрытия полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1676

Опубликовано: 30.06.1997

Авторы: Апанович Леонтий Васильевич, Фазлеев Ким Фахруллович, Верниковский Станислав Антонович

МПК: H01L 21/314

Метки: покрытия, создания, структур, полупроводниковых, пассивирующего, способ

Текст:

...5 ООО 8 О 0 ОА. Затем создают пленку 5 фосфорносиликатного стекла с 0,5252-ньм содержанием Раб (см.фиг 2). Методом литографии вскрываются контактные окна (см.фиг.3) диаметром 160 мкм в системе оксид кремния фосфорно-силикатное стекло (310, ФСС). Нанесение пленки тантанала 6(см. фнг.4) толщиной 500-600 про ВОДЯТ МЕТОДОМ ППЗЗМЕННОГО РЗСПЪШЕННЯ.для формирования окон диаметром140 мкм, расположенны осесиетрично относительно окон, вскрыты в системе...