H01L 21/308 — с использованием масок

Травитель для анизотропного травления кремния ориентации (100)

Загрузка...

Номер патента: 7368

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/308

Метки: 100, кремния, травления, анизотропного, травитель, ориентации

Текст:

...температуре. Процесс травления при этом растягивается во времени. А при концентрации более 10 , например 15 , заметно повышается скорость травления маскирующего оксида кремния, что приводит к ухудшению качества травления. Глицерин является пассивным компонентом травителя и не оказывает существенного влияния на скорость или направление химической реакции травления кремния. Его роль заключается в том, что он является средой, в которой...

Способ изготовления полупроводниковых интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 3700

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Бордодынов Александр Петрович, Юшкевич Геннадий Иосифович

МПК: H01L 21/308

Метки: полупроводниковых, схем, изготовления, интегральных, способ

Текст:

...слое вне областей вскрытия окон в защитном проводящем и изолирующем слоях. Таким образом, второй проводящий слой формируется не только на защитном проводящем слое и на полупроводниковом слое (во вскрытых контактных окнах), а и на тонком изолирующем слое во вскрытых во время дополнительной фотолитографии окнах. Введение дополнительной операции позволит обеспечить гарантированно надежное соединение элементов металлической разводки с...

Изобретения категории «с использованием масок» в СССР.

Способ изготовления обкладки конденсатора из поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 3148

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, изготовления, способ, поликристаллического, конденсатора, обкладки

Текст:

...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...