H01L 21/308 — с использованием масок

Травитель для анизотропного травления кремния ориентации (100)

Загрузка...

Номер патента: 7368

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/308

Метки: травления, кремния, травитель, анизотропного, ориентации, 100

Текст:

...температуре. Процесс травления при этом растягивается во времени. А при концентрации более 10 , например 15 , заметно повышается скорость травления маскирующего оксида кремния, что приводит к ухудшению качества травления. Глицерин является пассивным компонентом травителя и не оказывает существенного влияния на скорость или направление химической реакции травления кремния. Его роль заключается в том, что он является средой, в которой...

Способ изготовления полупроводниковых интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 3700

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Бордодынов Александр Петрович, Юшкевич Геннадий Иосифович

МПК: H01L 21/308

Метки: изготовления, полупроводниковых, схем, интегральных, способ

Текст:

...слое вне областей вскрытия окон в защитном проводящем и изолирующем слоях. Таким образом, второй проводящий слой формируется не только на защитном проводящем слое и на полупроводниковом слое (во вскрытых контактных окнах), а и на тонком изолирующем слое во вскрытых во время дополнительной фотолитографии окнах. Введение дополнительной операции позволит обеспечить гарантированно надежное соединение элементов металлической разводки с...

Способ изготовления обкладки конденсатора из поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 3148

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, способ, изготовления, поликристаллического, обкладки, конденсатора

Текст:

...слоя нанесение дополнительного слоя поликристаллического кремния создание выступов травлением дополнительного слоя через фоторезистивную маску формирование контактного окна к подложке во вспомогательном защитном и диэлектрическом слоях осаждение слоя поликристаллического кремния формирование обкладки удаление вспомогательного слоя. Из-за того, что после удаления вспомогательного слоя между сформированной обкладкой и поверхностью...