H01L 21/306 — обработка химическими или электрическими способами, например электролитическое травление

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, удаления, полимерных, кремния, состав, загрязнений

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Селективный травитель слоев InGaAs относительно InGaAsP

Загрузка...

Номер патента: 14849

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Тептеев Алексей Алексеевич, Савостьянова Наталья Александровна

МПК: C09K 13/00, H01L 21/306

Метки: селективный, травитель, слоев, ingaas, ingaasp, относительно

Текст:

...под действием перекиси водорода происходит окисление поверхности эпитаксиального слоя с образованием соответствующих оксидов. Затем под действием молочной кислоты образованные оксиды растворяются. Чистота (марка) применяемых компонентов, используемых при изготовлении селективного травителя, определяется требованиями конкретного технологического процесса производства изделий микроэлектроники. 14849 1 2011.10.30 Выбранный состав травителя...

Способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 8580

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Лысюк Анатолий Александрович, Кукреш Анна Брониславовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/306, C09K 13/08

Метки: приготовления, диоксида, пленки, травления, кремния, способ, раствора

Текст:

...слоты низкие и постоянно меняются, это приводит в известном способе приготовления раствора к низкой скорости травления пленки диоксида кремния и нестабильности скорости травления пленки диоксида кремния. В основу изобретения положена задача увеличения и стабилизации скорости травления пленки диоксида кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ приготовления раствора для травления пленки диоксида кремния включает смешивание...

Состав для регенерации травителя на основе ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 8579

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Турыгин Анатолий Викторович, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Гладкова Людмила Владимировна

МПК: H01L 21/306

Метки: регенерации, травителя, основе, ортофосфорной, кислоты, состав

Текст:

...автоматизированной установке 2.1. Рассчитать объем и массу компонентов для приготовления заданного объема состава, исходя из соотношения компонентов, указанного в формуле гексафторосиликат аммония 0,3-1,0 г/л вода остальное. 2.2. Закачать с помощью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетную массу гексафторосиликата аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов. 2.4. Перемешать...

Состав для очистки поверхности полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 5639

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Сугакова Татьяна Евгеньевна, Кисель Анатолий Михайлович, Гранько Владимир Ильич, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/306

Метки: очистки, полупроводниковых, состав, пластин, поверхности

Текст:

...тому, что содержит кислородный гетероцикл фиксированных размеров, избирательно захватывающий ионы щелочных и щелочноземельных металлов. Пропанол-2 (изопропиловый спирт, ИПС) - материал квалификации ос.ч., производится на соответствие ГОСТ 9805-84. Химическая формула СН 3-СН(ОН)-СН 3. Это бесцветная прозрачная жидкость. Хорошо растворяется в воде. Относится к классу спиртов и к группе неионогенных поверхностно активных веществ. Умеренно...

Способ регенерации травителя на основе ортофосфорной кислоты

Загрузка...

Номер патента: 3417

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Курганович Александр Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Довнар Николай Александрович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/306, C23F 1/46

Метки: кислоты, основе, ортофосфорной, способ, травителя, регенерации

Текст:

...осуществляют путем добавления в отработанный травитель 0,1-0,2 об. ч. воды, нагревания до температуры 90-100 С и выдержки при этой температуре не менее 1 ч. Как показали эксперименты, 0,1-0,2 об. ч. воды достаточно для обратного превращения пирофосфорной кислоты в ортофосфорную. Уменьшение количества воды, добавляемой в травитель, менее 0,1 об. ч. не позволяет всю пирофосфорную кислоту перевести в ортофосфорную, а увеличение количества воды,...

Устройство для электрохимической обработки кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 2358

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Тюлин Олег Владимирович, Баранов Игорь Ливерьевич

МПК: H01L 21/306

Метки: устройство, пластин, кремниевых, электрохимической, обработки

Текст:

...прижимаются уплотнительными кольцами 6, 6 с помощью их резьбового соединения с держателями 3, 3. Это обеспечивает надежный электрический контакт электродовкремниевых пластин 5,5 с токопроводами 4,4 и изоляцию последних от электролита 2. В электролит 2 между электродами-кремниевыми пластинами 5, 5 помещен держатель 7, изолирующий от электролита 2 и помещенных в него обрабатываемых кремниевых пластин 9, цилиндрический электрод 8. К кремниевым...

Способ удаления фоторезиста с поверхности кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 1688

Опубликовано: 30.06.1997

Авторы: Сергеев Виктор Петрович, Роговой Владимир Иванович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, пластин, фоторезиста, кремниевых, способ, удаления

Текст:

...опасностью растрескивания пластин вследствие большого перепада температуры при последующей промывке пластин в деионизованной воде с температурой 5010. Деионизованная вода, в которой отмываются пластины от остатков серной кислоты, содержит примеси органического происхождения, как-то частицы ионообменных смол, микроорганизмы. Для их разложения вводится путем барботирования озоносодержащий газ. Органические примеси при концентрации озона 3, 12...